公开(公告)号：WO2014126143A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：PCT/JP2014/053312

申请日：2014-02-13

Applicant: 山陽特殊製鋼株式会社

Inventor： 澤田　俊之

IPC: C22C45/04 ,  C22C45/02 ,  C23C14/34 ,  G11B5/667 ,  G11B5/851

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C33/003 ,  C22C45/02 ,  C22C45/04 ,  G11B5/667 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183

Abstract: 　垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用ＣｏＦｅ系合金およびスパッタリングターゲット材が提供される。この合金は、垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金であって、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、ＩｒおよびＰｔから選択される１種以上と、Ｓｃ、Ｙ、ランタノイド（原子番号５７～７１）、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、ＷおよびＢから選択される１種以上と、残部ＣｏおよびＦｅならびに不可避的不純物からなり、原子％で、下記の式（ａ）～（ｄ）：（ａ）０．１％≦ＴＣＲ≦１０％、（ｂ）５％≦ＴＡＭ≦２５％、（ｃ）１３％≦ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ＋ＴＮＭ≦２５％、（ｄ）０≦Ｆｅ％／（Ｆｅ％＋Ｃｏ％）≦０．８０、を全て満たす、合金である。

Abstract translation: 提供：在垂直磁记录介质中用于软磁薄膜层的CoFe系合金; 和溅射靶材料。 该合金是用于垂直磁记录介质中的软磁性膜层的合金，并且由选自Ge，Ru，Rh，Pd，Re，Os，Ir和Pt中的一种或多种元素形成，以及一种或多种选自 在Sc，Y，镧系元素（原子序数57-71），Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Mo，W和B中，余量由Co，Fe和不可避免的杂质组成。 该合金的原子％满足下述所有式（a） - （d）：（a）0.1％≤TCR≤10％ （b）5％≤TAM≤25％; （c）13％≤TCR/ 2 + TAM + TNM≤25％; （d）0≤Fe％/（Fe％+ Co％）≤0.80。

公开(公告)号：WO2013183546A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/JP2013/065106

申请日：2013-05-30

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福岡　淳 ,  斉藤　和也 ,  坂巻　功一 ,  畠　知之

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  C22C19/07 ,  C22C38/00 ,  G11B5/667 ,  G11B5/851 ,  B22F9/04 ,  B22F9/08

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/14 ,  B22F9/082 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C33/0285 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/26 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/20 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183 ,  H01J2237/02

Abstract: 　本発明は、原子比における組成式が（Ｆｅ ａ －Ｃｏ １００－ａ ） １００－ｂ－ｃ－ｄ －Ｔａ ｂ －Ｎｂ ｃ －Ｍ ｄ （０＜ａ≦８０、０≦ｂ≦１０、０≦ｃ≦１５、５≦ｂ＋ｃ≦１５、２≦ｄ≦２０、１５≦ｂ＋ｃ＋ｄ≦２５、Ｍは、Ｍｏ、ＣｒおよびＷからなる群から選ばれる１つ以上の元素を表す。）で表され、不可避的不純物からなる残部を含み、かつ３００℃における曲げ破断歪率ε ｆＢ が０．４％以上であるＦｅ－Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。

Abstract translation: 本发明提供由组成式（Fea-Co100-a）100-bcd-Tab-Nbc-Md（0

公开(公告)号：WO2012081669A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/JP2011/079057

申请日：2011-12-15

Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 ,  荒川 篤俊 ,  池田 祐希

Inventor： 荒川　篤俊 ,  池田　祐希

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  G11B5/851 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183

Abstract: Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲットが、金属素地（Ａ）と、前記（Ａ）の中に、Ｐｔを４０～７６ｍｏｌ％含有するＣｏ－Ｐｔ合金相（Ｂ）と前記相（Ｂ）とは異なるＣｏ又はＣｏを主成分とする金属又は合金相（Ｃ）を有することを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が可能な強磁性材スパッタリングターゲットを得る。

Abstract translation: 本发明提供一种铁磁材料溅射靶，其为：包含具有包含Cr为20mol％以下的金属的金属的溅射靶，5mol％min的Pt，余量为Co的溅射靶; 其特征在于具有金属基体（A）的靶，在金属基体（A）中，含有40-76mol％Pt和Co的Co-Pt合金相（B），以Co为主体的金属 其组成或与合金相（B）不同的合金相（C）。 获得能够通过磁控管溅射装置改善漏磁通和稳定放电的铁磁材料溅射靶。

公开(公告)号：WO2012011204A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：PCT/JP2010/067179

申请日：2010-09-30

Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 ,  荻野 真一 ,  佐藤 敦 ,  中村 祐一郎 ,  荒川 篤俊

Inventor： 荻野　真一 ,  佐藤　敦 ,  中村　祐一郎 ,  荒川　篤俊

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F2998/00 ,  C22C19/07 ,  C22C32/00 ,  C22C2202/02 ,  H01F41/183 ,  C22C32/0026 ,  B22F9/082

Abstract: Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地（Ａ）と、前記（Ａ）の中に、Ｃｏを９０ｗｔ％以上含有する扁平状の相（Ｂ）を有し、前記相（Ｂ）の平均粒径が１０以上１５０μｍ以下、かつ、平均アスペクト比が１：２～１：１０であることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。スパッタ時のパーティクルの発生を抑制できるとともに、漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が可能な強磁性材スパッタリングターゲットを得る。

Abstract translation: 公开了由具有20摩尔％以下的Cr，Co作为余量的组成的金属构成的铁磁材料溅射靶，其中：所述靶组成物具有金属基体（A）和平坦相（B），其中 在金属基体（A）中含有90重量％以上的Co。 平相（B）的平均粒径为10〜150μm，平均纵横比为1:2〜1:10。 因此，获得铁磁材料溅射靶，其中可以防止在溅射期间产生颗粒并通过改善漏磁通量在磁控溅射装置中稳定地放电。

公开(公告)号：WO2011102359A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：PCT/JP2011/053211

申请日：2011-02-16

Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 ,  池田 祐希 ,  中村 祐一郎 ,  荒川 篤俊

Inventor： 池田　祐希 ,  中村　祐一郎 ,  荒川　篤俊

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  B22F7/08 ,  C04B35/00 ,  C04B35/622 ,  C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00

CPC classification number: C04B35/645 ,  B22F3/14 ,  B22F7/08 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/405 ,  C22C1/0433 ,  C22C1/051 ,  C22C19/07 ,  C22C38/002 ,  C23C14/3414 ,  H01F41/183

Abstract: 磁性材スパッタリングターゲットの組成になるように調合した原料粉末を、バッキングプレートと共にダイスへ充填し、ホットプレスすることにより、前記磁性材ターゲット粉末の焼結と同時にバッキングプレートに接合したことを特徴とするスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体。バッキングプレートにターゲットの原料粉末を配置し、焼結することにより、高い平均漏洩磁束を得ることができ、より安定してスパッタできるスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体を得ることを課題とする。また焼結と接合を同時に行うことによって、製造プロセスが少なく、製造期間を短縮でき、スパッタ中の温度上昇による剥離問題が生じさせない同組立体を提供する。また、コスト低減化とＰＴＦ（漏洩磁束）を向上させたスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体を可能とすることを課題とする。

Abstract translation: 溅射靶 - 背板组装体的特征在于，将与磁性材料溅射靶的组成相匹配的原料粉末与背板一起填充在模具中，并被热压，从而与 背板同时烧结磁性材料目标粉末。 通过将靶材的原料粉末配置在背板上并烧结，溅射靶 - 背板组件体可以获得高平均通过焊剂（PTF），并且可以更稳定地溅射。 此外，通过同时进行烧结和接合，溅射靶 - 背板组装体具有短的制造工艺，可以缩短制造周期，并且不会由于溅射期间的温度升高而引起剥离问题。 此外，溅射靶 - 背板组装体使得可以降低成本并改善PTF。

公开(公告)号：WO2011070850A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：PCT/JP2010/067947

申请日：2010-10-13

Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 ,  池田 祐希 ,  中村 祐一郎 ,  荻野 真一

Inventor： 池田　祐希 ,  中村　祐一郎 ,  荻野　真一

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  H01F10/16 ,  H01F10/18 ,  H01F41/18

CPC classification number: G11B5/851 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/65 ,  H01F10/16 ,  H01F41/183

Abstract: Ｃｏを含有する金属マトリックス相と、ＳｉＯ ２ を含有し、粒子を形成して分散して存在する６～１４ｍｏｌ％の酸化物の相（以下、「酸化物相」という。）から構成されるスパッタリングターゲットであって、前記金属マトリックス相及び酸化物相を構成する成分以外に、前記酸化物相内又はその表面に点在する０．３ｍｏｌ％以上、１．０ｍｏｌ％未満のＣｒ酸化物を含有し、酸化物相の各粒子の平均面積が２．０μｍ ２ 以下であることを特徴とするＣｏ若しくはＣｏ合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット。アーキングを低減させ、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られ、かつ、高密度でスパッタ時に発生するパーティクルの少ないＣｏ若しくはＣｏ合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。

Abstract translation: 公开了包含分散在Co或Co合金相中的氧化物相的溅射靶。 溅射靶包括：含Co金属基体相; 和含有SiO 2的相，其中分散有6〜14摩尔％的氧化物的相以形成颗粒（以下称为“氧化物相”）。 溅射靶的特征在于，除了构成金属基体相的成分以外，Cr氧化物在氧化物相或氧化物相的表面积中分散，其量为0.3摩尔％以上且小于1.0摩尔％ 氧化物相和氧化物相中所含的粒子的平均表面积为2.0μm2以下。 包括分散在Co或Co合金相中的氧化物相的溅射靶使得能够减少电弧，可以在磁控溅射装置中实现稳定的放电，并且以高密度溅射时产生减少量的颗粒。

公开(公告)号：WO2009054369A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/JP2008/069021

申请日：2008-10-21

Applicant: 三井金属鉱業株式会社 ,  加藤 和照

Inventor： 加藤 和照

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/00 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C19/07 ,  C22C32/00 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C32/0021 ,  C22C32/0026 ,  C23C14/0688 ,  H01F41/183

Abstract: 　本発明は、結晶粒の成長を抑制し、低透磁率かつ高密度とすることにより、成膜効率化および膜特性の向上が実現できる磁気記録膜用スパッタリングターゲット、およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、ＣｏおよびＰｔを含むマトリックス相と、金属酸化物相とからなるスパッタリングターゲットであって、透磁率が６～１５、相対密度が９０％以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲットである。

Abstract translation: 提供了一种用于磁记录膜的溅射靶，通过抑制晶粒的生长，降低磁导率和增加密度，可以提高成膜效率和膜特性。 还提供了制造这种溅射靶的方法。 溅射靶由包括Co和Pt以及金属氧化物相的基体相组成。 溅射靶的磁导率为6〜15，相对密度为90％以上。

公开(公告)号：WO2009041398A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/JP2008/067119

申请日：2008-09-22

Applicant: 山陽特殊製鋼株式会社 ,  澤田 俊之 ,  岸田 敦 ,  柳谷 彰彦

Inventor： 澤田 俊之 ,  岸田 敦 ,  柳谷 彰彦

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/15 ,  B22F9/08 ,  C22C1/04 ,  C22C19/03 ,  G11B5/738 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/8404 ,  B22F2998/00 ,  C22C1/0433 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183 ,  B22F9/082

Abstract: 　中間層として用いて垂直磁気記録媒体を作製すると結晶粒の微細化により極めて良好な記録特性が得られる、Ｎｉ－Ｗ－Ｂ系中間層膜用合金および薄膜製造用スパッタリングターゲット材が提供される。このスパッタリングターゲット材は、ａｔ％で、Ｗ：１～２０％、Ｂ：０．１～１０％、ならびに残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる。また、スパッタリングターゲット材は、ａｔ％で、Ｗ：１～２０％、Ｂ：０．１～１０％、ならびに残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形することにより製造されることができる。

Abstract translation: 公开了一种用于Ni-W-B中间层膜的合金，其能够在用作垂直磁记录介质的中间层时由于晶粒的小型化而获得极好的记录特性。 还公开了用于制造薄膜的溅射靶构件。 该溅射靶构件由以％计，1-20％的W，0.1-10％的B和余量的Ni和不可避免的杂质构成。 该溅射靶构件可以通过将气体雾化而制成的原料粉末固化成型，以原子比为1-20％的W，0.1-10％的B，余量的Ni和不可避免的 杂质。

公开(公告)号：WO2005093124A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/002221

申请日：2005-02-15

Applicant: 株式会社 日鉱マテリアルズ ,  中村 祐一郎 ,  久野 晃

Inventor： 中村 祐一郎 ,  久野 晃

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C22C19/07 ,  C22F1/10 ,  C23C14/3414 ,  H01F10/16 ,  H01F41/183

Abstract:  鋳造時の初晶をベースとしたＣｏリッチ相からなる島状の圧延組織を備えていることを特徴とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット。島状の圧延組織が平均寸法２００μｍ以下である同Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット。鋳造時の偏析や残留応力の少ない、均一微細な圧延組織を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットに関し、該ターゲットを安定して、かつ低コストで製造できるようにするとともに、パーティクルの発生を防止又は抑制し、成膜の製品歩留りを上げることを目的とする。

Abstract translation: 一种Co-Cr-Pt-B系合金溅射靶，其特征在于，具有包含基于铸态中的一次晶体的富Co相的岛状轧制结构， 和Co-Cr-Pt-B基合金溅射靶，其中岛状的卷绕结构具有200μm或更小的平均尺寸。 Co-Cr-Pt-B基合金溅射靶可以在铸造中产生的偏析和残余应力减少，并且可以具有均匀且细的轧制结构，这导致防止或抑制颗粒的产生 成膜成品率的提高。 此外，可以以低成本稳定地制造所述靶。

公开(公告)号：WO02058086A1

公开(公告)日：2002-07-25

申请号：PCT/JP2002/000278

申请日：2002-01-17

IPC: H01F10/00 ,  H01F10/13 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01F41/30 ,  H05K9/00 ,  H01F10/20

CPC classification number: H01F41/301 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/007 ,  H01F10/132 ,  H01F10/138 ,  H01F10/3227 ,  H01F41/183 ,  H05K9/0084 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/3183 ,  Y10T428/32

Abstract: A thin magnetic film utilizing a granular film to provide excellent high frequency characteristics and a method of manufacturing the magnetic film, a laminated magnetic film, and a magnetic part and an electronic device utilizing the laminated magnetic film, wherein, by a non-reactive spattering, the oxidation of magnetic material is eliminated and a saturation magnetization is increased to increase the resonance frequency of a permeability, the size of magnetic particles and the thickness of insulation layers in a granular structure formed of the magnetic particles and the insulation layers are optimized by the combination of a multiple simultaneous spattering with the non-reactive spattering to provide a proper magnitude of a crystal magnetic anisotropy in the particles so as to provide excellent soft magnetic characteristics, and a resistivity is increased by optimizing the thickness of the insulation layers to reduce an eddy current so as to improve an exchange interaction between the magnetic particles.

Abstract translation: 利用粒状膜提供优异的高频特性的薄磁膜和制造磁性膜的方法，层叠磁性膜和磁性部分以及利用层压磁性膜的电子器件，其中通过非反应性溅射 消除了磁性材料的氧化，并且增加饱和磁化强度以增加磁导率的共振频率，由磁性颗粒和绝缘层形成的颗粒结构中的磁性颗粒的尺寸和绝缘层的厚度被优化 多次同时溅射与非反应性飞溅的组合，以提供颗粒中的晶体磁各向异性的适当大小，以便提供优异的软磁特性，并且通过优化绝缘层的厚度来减小电阻率，以减少 涡流，以改善交流互动 磁性颗粒。