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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERBUNDMATERIALS
    1.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERBUNDMATERIALS 审中-公开
    一种用于生产复合材料

    公开(公告)号：WO2016192965A1

    公开(公告)日：2016-12-08

    申请号：PCT/EP2016/060896

    申请日：2016-05-13

    Applicant: ROGERS GERMANY GMBH

    Inventor： MEYER, Andreas ,  BRITTING, Stefan ,  KNÖCHEL, Dieter ,  BIERWAGEN, David

    IPC: C04B37/02

    CPC classification number: C04B37/026 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Verbundmaterials (5), insbesondere einer Leiterplatte, wobei das Verbundmaterial (5) ein flächiges Basismaterial (1), insbesondere eine Keramik, aufweist, an welcher ein- oder beidseitig mittels einer Lotschicht (3) eine Zusatzschicht (2), insbesondere eine Metallisierung, angebracht wird, gekennzeichnet durch: - Bereitstellen des Basismaterials (1), wobei das Basismaterial (1) auf mindestens einer Seite eine erste Oberfläche (A1) aufweist; - Bereitstellen der Zusatzschicht (2) und Anordnen der Lotschicht (3) zwischen einer zweiten Oberfläche (A2) der Zusatzschicht (2) und der ersten Oberfläche (A1) derart, dass beim Auflegen der Zusatzschicht (3) auf die erste Oberfläche (A1) die erste Oberfläche (A1) des Basismaterials (1) flächig mit der Lotschicht (3) bedeckt ist, wobei eine Dicke der Lotschicht (3) zwischen dem Basismaterial (1) und der Zusatzschicht (2) kleiner als 12 µm, insbesondere kleiner als 7 µm, ist; - Erhitzen des Basismaterials (1) und der auf der ersten Oberfläche (A1) angeordneten Zusatzschicht (2) zumzumindest teilweisen Schmelzen der Lotschicht (3) und Verbinden des Basismaterials (1) mit der mindestens einen Zusatzschicht (2).

    Abstract translation: 一种用于制造复合材料（5），尤其是印刷电路板，其中所述复合材料（5）具有平的基体材料（1），特别是陶瓷的过程中，向其中通过焊料层的装置的一个或两个侧部（3）的附加层（2）， 特别是金属化被施加，其特征在于： - 提供基体材料（1），其中，所述基体材料（1）上的至少一个侧面上的第一表面（A1）包括; - 提供附加层（2）和第二表面的辅助层（2）的（A2）和所述第一表面（A1）之间配置焊料层（3），使得将所述附加层时（3）的第一表面上（A1） 基材（1）的第一表面（A1）的表面覆盖有焊料层（3），其特征在于，厚度在基材（1）和所述辅助层之间的焊料层（3）的（2）是小于12微米，特别是小于7 是，微米; - 布置加热基材（1）和第一表面（A1）的额外层（2）zumzumindest焊料层（3）的部分熔融和基材连接（1）上与所述至少一个附加层（2）。

    セラミックスプレートと金属製の円筒部材との接合構造
    3.
    发明申请
    セラミックスプレートと金属製の円筒部材との接合構造 审中-公开
    陶瓷板和金属圆柱体之间的接合结构

    公开(公告)号：WO2015146563A1

    公开(公告)日：2015-10-01

    申请号：PCT/JP2015/056892

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 片居木　俊 ,  谷村　昂

    IPC: C04B37/02 ,  B23K1/19 ,  H01L21/683

    CPC classification number: H01L21/6833 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  B23K3/00 ,  B23K2203/18 ,  B23K2203/52 ,  C04B37/02 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/80 ,  H01L21/68785

    Abstract: 半導体製造装置用部材は、ＡｌＮ製のセラミックスプレートであるサセプタ１０と、サセプタ１０に接合されたガス導入パイプ２０とを備えている。サセプタ１０のうちガス導入パイプ２０のフランジ２２と対向する位置には、環状のパイプ接合用バンク１４が形成されている。また、フランジ２２とパイプ接合用バンク１４との間には、パイプろう付け部２４が形成されている。フランジ２２は、幅が３ｍｍ以上、厚みが０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下である。パイプ接合用バンク１４は、高さが０．５ｍｍ以上であることが好ましく、フランジ２２の外縁に対向する角の面取りがＣ面取りの場合にはＣ０．３以上、Ｒ面取りの場合にはＲ０．３以上であることが好ましい。

    Abstract translation: 半导体制造装置的构件包括作为AlN陶瓷板的基座（10）和与基座（10）接合的气体导入管（20）。 在基座（10）中，在与气体入口管（20）凸缘（22）相对的位置处形成圆形管接合组（14）。 此外，在凸缘（22）和管接合体（14）之间形成管焊接部（24）。 凸缘（22）的宽度为3mm以上，厚度为0.5mm以上且2mm以下。 管接合体（14）的高度优选为0.5mm以上，在与凸缘（22）的外缘相对的角部处的材料的剥离优选为C0.3以上的程度 的倒角，在四舍五入的情况下为R0.3以上的半径。

    METHOD FOR SEALED WELDING OF ELEMENTS USING ULTRASOUND
    8.
    发明申请
    METHOD FOR SEALED WELDING OF ELEMENTS USING ULTRASOUND 审中-公开
    通过超声波密封元件的焊接方法

    公开(公告)号：WO2010010103A3

    公开(公告)日：2010-04-08

    申请号：PCT/EP2009059390

    申请日：2009-07-21

    Applicant: SCHUNK SONOSYSTEMS GMBH ,  SCHAPPEL JOCHEN ,  TRUBE DR STEFAN ,  STROH DIETER

    Inventor： SCHAPPEL JOCHEN ,  TRUBE DR STEFAN ,  STROH DIETER

    IPC: C03C27/04 ,  C03C27/08 ,  C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  C04B37/04

    CPC classification number: C03C27/046 ,  B23K20/10 ,  B23K20/22 ,  C03C27/08 ,  C04B37/006 ,  C04B37/026 ,  C04B37/045 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/32 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/597

    Abstract: The invention relates to a method for the sealed welding of a first element, made of a first material, to a second element, made of the first or of a second material, using ultrasound, wherein an intermediate element is disposed between the first element and the second element in an area to be connected and sealed and then ultrasonic oscillations are transmitted by way of a sonotrode. To ensure that the desired sealing weld connection can be provided even in areas in which the intermediate element and/or the first and/or the second element partially overlap, it is proposed that the intermediate element used is one that comprises perforations that are open both toward the first element and toward the second element, said perforations being filled with the material of the intermediate element during welding, at least in areas.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于从第一或借助超声波的第二材料的密封的第一材料的第一元件的焊接与第二元件，其特征在于，设置在所述第一构件和结缔组织和彼此抵靠所述第二构件之间被密封区域的中间元件 然后通过超声波发生器传输超声波振动。 为了确保即使在中间元件和/或第一和/或第二元件分段重叠的区域中，可以提供期望的密封焊接接头，但是提出，当使用中间元件时，两者 具有通向第一元件以及第二元件的开口，其在焊接过程中至少部分地填充有中间元件的材料。

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