公开(公告)号：WO2017005492A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/EP2016/064454

申请日：2016-06-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WENDT, Mathias

IPC: C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  C04B37/04 ,  H01L33/00 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L24/29 ,  C03C27/08 ,  C04B37/003 ,  C04B37/005 ,  C04B37/006 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B37/04 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/30 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/086 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2933/0066

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden von zumindest zwei Komponenten (1, 2) mit den Schritten: A) Bereitstellen zumindest einer ersten Komponente (1) und einer zweiten Komponente (2), B) Aufbringen zumindest einer Spenderschicht (3) auf die erste und/oder die zweite Komponente (1, 2), wobei die Spenderschicht (3) mit Sauerstoff (31) angereichert ist, C) Aufbringen einer Metallschicht (4) auf die Spenderschicht (3), die erste oder die zweite Komponente (1, 2), D) Aufheizen zumindest der Metallschicht (4) auf eine erste Temperatur (T1), so dass die Metallschicht (4) aufgeschmolzen wird und die erste Komponente (1) und die zweite Komponente (2) miteinander verbunden werden, und E) Aufheizen der Anordnung auf eine zweite Temperatur (T2), so dass der Sauerstoff (31) aus der Spenderschicht (3) in die Metallschicht (4) übergeht und die Metallschicht (4) sich zu einer stabilen Metalloxidschicht (5) umwandelt, wobei die Metalloxidschicht (5) eine höhere Schmelztemperatur als die Metallschicht (4) aufweist, wobei zumindest die Spenderschicht (3) und die Metalloxidschicht (5) die erste Komponente (1) mit der zweiten Komponente (2) miteinander verbindet.

Abstract translation: 本发明涉及一种接合至少两个部件的方法（1,2），包括以下步骤：（1）和第二部件（2），B）施加至少一个供体层（3），以第一A）提供至少一个第一部件 和/或所述第二部件（1,2），所述施体层（3）富含氧（31），C）供体层（3）上施加金属层（4），所述第一或第二部件（1， 2）中，d）加热至少所述金属层（4）（到第一温度T1），使得金属层（4）被熔化，并且将第一构件（1）和所述第二部件（2）连接在一起，以及e） 将组件加热到一个第二温度（T2），使得从在所述金属层（4）的施体层（3）中的氧（31）通过与所述金属层（4）被转换成一个稳定的金属氧化物层（5），其中所述金属氧化物层 （5）较高的熔融温度比 金属层（4），其中，至少所述施体层（3）和金属氧化物层（5），第一部件（1）与第二构件（2）连接在一起。

公开(公告)号：WO2016141354A2

公开(公告)日：2016-09-09

申请号：PCT/US2016/021048

申请日：2016-03-04

Applicant: AMBRI INC.

Inventor： THOMPSON, Greg ,  BRADWELL, David, J. ,  PUJARI, Vimal ,  LEE, Chia-Ying ,  MCCLEARY, David ,  COCKING, Jennifer ,  FRITZ, James D.

IPC: H01M10/39 ,  H01M2/06 ,  H01M2/08

CPC classification number: H01M2/065 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/74 ,  C22C27/04 ,  H01M2/06 ,  H01M2/08 ,  H01M10/39 ,  H01M10/399 ,  H01M2220/10 ,  H01M2300/0057

Abstract: The disclosure provides seals for devices that operate at elevated temperatures and have reactive metal vapors, such as lithium, sodium or magnesium. In some examples, such devices include energy storage devices that may be used within an electrical power grid or as part of a standalone system. The energy storage devices may be charged from an electricity production source for later discharge, such as when there is a demand for electrical energy consumption.

Abstract translation: 本公开为在高温下操作并具有反应性金属蒸气（例如锂，钠或镁）的装置提供密封。 在一些示例中，这样的设备包括可以在电力电网内或作为独立系统的一部分使用的能量存储设备。 能量存储装置可以从用于稍后放电的电力生产源充电，诸如当需要电能消耗时。

公开(公告)号：WO2016135332A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/EP2016/054160

申请日：2016-02-26

Applicant: ELEMENT SIX (UK) LIMITED

Inventor： CAN, Nedret ,  SALEHI, Sedigheh

IPC: B32B18/00 ,  C04B35/528 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/645 ,  C04B37/02 ,  E21B10/573 ,  E21B10/567 ,  B01J3/06 ,  B32B9/00

CPC classification number: B01J3/062 ,  B01J2203/062 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/0685 ,  B32B18/00 ,  C04B35/528 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/645 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/363 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  E21B10/5735

Abstract: A superhard polycrystalline construction (30) comprises a first region (34) comprising a body of thermally stable polycrystalline superhard material having an exposed surface forming a working surface (4), and a peripheral side edge (6), a second region (32) forming a substrate to the first region, and a third region (36) at least partially interposed between the first and second regions wherein the third region comprises a material more acid resistant than polycrystalline diamond material having a binder-catalyst phase comprising cobalt, and/or more acid resistant than cemented carbide material.

Abstract translation: 超硬多晶结构（30）包括第一区域（34），第一区域（34）包括具有形成工作表面（4）的暴露表面和周边侧边缘（6）的热稳定多晶超硬材料体，第二区域（32） 至少部分插入在第一和第二区域之间的第三区域（36），其中第三区域包括比具有包含钴的粘合剂 - 催化剂相的多晶金刚石材料更耐酸的材料和/ 或者比硬质合金材料更耐酸。

公开(公告)号：WO2016117553A1

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：PCT/JP2016/051427

申请日：2016-01-19

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

Inventor： 青木　克之

IPC: C04B35/584 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H05K1/03 ,  H05K1/05

CPC classification number: C04B35/584 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H05K1/03 ,  H05K1/05

Abstract: 　熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化珪素焼結体において、窒化珪素焼結体の任意の断面をＸＲＤ分析したとき、回折角２９．３±０．２°、２９．７±０．２°、２７．０±０．２°、３６．１±０．２°で検出される最強ピーク強度Ｉ ２９．３° 、Ｉ ２９．７° 、Ｉ ２７．０° 、Ｉ ３６．１° としたときに、ピーク比（Ｉ ２９．３° ）／（Ｉ ２７．０° ＋Ｉ ３６．１° ）が０．０１～０．０８を満たし、かつ、ピーク比（Ｉ ２９．７° ）／（Ｉ ２７．０° ＋Ｉ ３６．１° ）が０．０２～０．１６を満たすことを特徴とする窒化珪素焼結体である。上記構成によれば、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高く、絶縁性および強度が優れた窒化珪素焼結体を提供できる。

Abstract translation: 导热率为50W / m·K以上，三点弯曲强度为600MPa以上的高导热性氮化硅烧结体，其特征在于，在任意的交叉 对氮化硅烧结体进行XRD分析，峰值比（I29.3°）/（I27.0°+ I36.1°）在0.01-0.08的范围内，峰值比（I29。 7°）/（I27.0°+ I36.1°）在0.02-0.16的范围内，其中I29.3°，I29.7°，I27.0°和I36.1°是最强峰强度 衍射角分别为29.3±0.2°，29.7±0.2°，27.0±0.2°和36.1±0.2°。 通过上述结构，可以提供具有50W / m·K以上的高导热率的氮化硅烧结体和优异的绝缘性和强度。

公开(公告)号：WO2016021491A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/JP2015/071776

申请日：2015-07-31

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 大開　智哉 ,  大井　宗太郎

IPC: H01L23/12 ,  C04B37/02 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L21/4871 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/3006 ,  C04B37/02 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/40 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　金属板とセラミックス基板との接合性を損なうことなく、ろうシミの発生を抑制し、半導体チップのはんだ接合性を高めることを目的とし、金属素板のプレス加工により打ち抜き成形された金属板をセラミックス基板の一方の面に積層してろう付けにより接合するパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記金属板のバリの高さを０．０２１ｍｍ以下、破断面の厚さを０．０６８ｍｍ以上とし、前記バリが生じている側の表面をセラミックス基板の一方の面に重ねるように前記金属板を前記セラミックス基板上に積層してろう付けする。

Abstract translation: 本发明的目的是在不破坏金属板和陶瓷基板之间的接合性能的同时，抑制钎料填充金属污渍的发生，并且提高半导体芯片的焊点性能。 一种电源模块用基板的制造方法，其特征在于，通过在陶瓷基板的一个表面上层叠钎焊而形成的基板，通过压制金属板而冲压的金属板，金属板的毛刺高度为 设定为0.021mm以下，将断裂面的厚度设定为0.068mm以上，将金属板层叠并钎焊到陶瓷基板上，使其在形成有毛刺的一侧的表面位于 陶瓷基板的一个表面的顶部。

公开(公告)号：WO2015163453A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/JP2015/062545

申请日：2015-04-24

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 大井　宗太郎 ,  大開　智哉

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H05K1/02

CPC classification number: H01L23/3736 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/02 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H01L2924/00

Abstract: 　１枚のセラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層とを備える少なくとも１つのパワーモジュール用基板と；このパワーモジュール用基板の前記金属層が接合されたヒートシンクと；を有し、前記金属層が純度９９．９９質量％以上のアルミニウム板からなり、前記ヒートシンクが純度９９．９０質量％以下のアルミニウム板からなり、前記回路層が、前記セラミックス基板に接合された純度９９．９９質量％以上のアルミニウム板からなる第１層と、該第１層の表面に接合された純度９９．９０質量％未満のアルミニウム板からなる第２層との積層構造を有する。

Abstract translation: 本发明具有：设置有陶瓷基板的至少一个功率模块基板，形成在陶瓷基板的一侧的电路层以及形成在陶瓷基板的另一侧的金属层。 以及功率模块基板的金属层连接到的散热器。 金属层包括纯度为至少99.99质量％的铝板，散热器包括纯度不超过99.90质量％的铝板。 电路层具有双层结构，其中：第一层包括纯度至少为99.99质量％的铝板，铝板与陶瓷基板接合; 并且第二层包括纯度小于99.90质量％的铝板，所述铝板与第一层的表面接合。

公开(公告)号：WO2015163232A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/JP2015/061719

申请日：2015-04-16

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 寺▲崎▼　伸幸 ,  長友　義幸

IPC: C04B37/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K1/20 ,  H01L23/40 ,  B23K35/26 ,  B23K35/28 ,  B23K35/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C21/00 ,  C22C24/00 ,  C22C28/00

CPC classification number: C04B37/026 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K1/20 ,  B23K35/26 ,  B23K35/28 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  C04B37/02 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C21/00 ,  C22C24/00 ,  C22C28/00 ,  H01L23/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明の接合体の製造方法は、セラミックスからなるセラミックス部材と、Ｃｕ又はＣｕ合金からなるＣｕ部材とが接合されてなる接合体の製造方法であって、Ｃｕおよび該Ｃｕと共晶反応する共晶元素を含むろう材と、活性金属材とを介して、前記セラミックス部材の一面側に前記Ｃｕ部材を積層する積層工程と、積層された前記セラミックス部材および前記Ｃｕ部材を加熱処理する加熱処理工程と、を備えている。

Abstract translation: 该方法是一种组合物的制造方法，其包括由Cu或Cu合金构成的陶瓷和与Cu结合的Cu构件构成的陶瓷构件，该方法包括：将Cu构件重叠在其上的叠加工序 陶瓷构件的一个表面，钎焊材料和介于其间的活性金属材料，所述钎料包含Cu和与Cu共晶反应的共晶元素; 以及加热步骤，其中陶瓷构件和重叠在其上的Cu构件被加热。

公开(公告)号：WO2015161904A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/EP2014/078599

申请日：2014-12-18

Applicant: ENDRESS+HAUSER GMBH+CO. KG

Inventor： DREWES, Ulfert ,  SCHMIDT, Elke ,  UEHLIN, Thomas ,  BERLINGER, Andrea

IPC: C04B37/02 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0075 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/665 ,  C04B2237/04 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/32 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  G01L9/0072 ,  G01L13/025 ,  G01L19/0007 ,  G01L19/0046 ,  G01L19/04 ,  G01L19/0681 ,  G01L19/14

Abstract: Es ist ein Drucksensor, mit einem Grundkörper (1) aus Keramik, einer auf dem Grundkörper (1) angeordneten Messmembran (3, 41), einer im Grundkörper (1) unter der Messmembran (3, 41) eingeschlossenen Druckmesskammer (5), und mindestens einem mit dem Grundkörper (1) über eine druckdichte, vorzugsweise elastomerfreie, mechanische Verbindung (7, 37, 49) verbundenen Metallkörper, beschrieben, bei dem durch die Verbindung (7, 37, 49) bedingte thermomechanische Spannungen dadurch reduziert sind, dass die druckdichte mechanische Verbindung (7, 37, 49) über einen zwischen dem Grundkörper (1) und dem Metallkörper angeordneten Anpassungskörper (9, 19, 39, 51) erfolgt, der einen thermischen Ausdehnungskoeffizient (a(z)) aufweist, der in vom Grundkörper (1) zum Metallkörper verlaufender Richtung (z) von einem einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten (α k ) der Keramik des Grundkörpers (1) entsprechenden Ausdehnungskoeffizienten auf einen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten (α M ) des Metallkörpers entsprechenden Ausdehnungskoeffizienten ansteigt, und der Anpassungskörper (9, 19, 39, 51) durch eine erste Fügung (11) mit dem Grundkörper (1) und durch eine zweite Fügung (13) mit dem Metallkörper verbunden ist.

Abstract translation: 它与由陶瓷制成的基体（1）的压力传感器，在所述基体设置在基体一（1）测量膜片（3，41），一（1）的测量膜片的（3，41）封闭的压力测量室（5），和 通过压力密封的，优选的弹性体 - 自由，机械连接到金属主体连接（7，37，49），其中，由连接所述基体（1）中的至少一个所述（7，37，49）相关的热机械应力减小，所述 通过所述基体（1）和金属体之间的压力密封的机械连接（7，37，49），其设置匹配元件（9，19，39，51）由热膨胀系数（（Z））的，其在基体 （1）以对应于膨胀系数金属体延伸方向（z）由所述基体（1）的陶瓷的热膨胀系数（αk）的（热膨胀系数α M）上升对应膨胀系数被连接到金属体的金属体，和调整体（9，19，39，51）由第一加法（11）到所述基体（1）和（第二次加入的13）的。

公开(公告)号：WO2015147249A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/059572

申请日：2015-03-27

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 油本　憲志 ,  宮下　庸介

IPC: B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C04B35/583

CPC classification number: C04B35/5831 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5068 ,  C04B41/52 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/401 ,  C22C26/00 ,  C22C2026/003 ,  C23C16/34 ,  C04B35/58021 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/5063

Abstract: 　ｃＢＮ粒子と結合相とを含む焼結体を工具基体とするｃＢＮ焼結体切削工具において、前記焼結体は、ｃＢＮ粒子を４０容量％以上６０容量％未満およびＡｌが下限値で２質量％、上限値でＹをＡｌ含有割合（容量％）、ＸをｃＢＮ含有割合（質量％）としたとき、Ｙ＝－０．１Ｘ＋１０の関係を満足する範囲となるように含有し、前記結合相は、少なくともＴｉ系化合物とＡｌ ２ Ｏ ３ と不可避不純物を含有し、前記Ａｌ ２ Ｏ ３ のうち、直径１０ｎｍ～１００ｎｍの微粒Ａｌ ２ Ｏ ３ が結合相中に分散、生成しており、前記結合相の断面１μｍ×１μｍの領域において、前記微粒Ａｌ ２ Ｏ ３ が３０個以上生成している。

Abstract translation: 在具有包含cBN颗粒和粘结相作为其工具基体的烧结体的cBN烧结体切割工具中，烧结体含有至少40容量％但小于60体积％的cBN颗粒，至少2质量％ 的Al，并且当Y是Al含量比（容量％），X是cBN含有比（质量％））时，满足Y = -0.1X + 10的关系的范围内的最大值。 粘结相含有至少一种Ti基化合物Al2O3和不可避免的杂质。 在所述Al 2 O 3中具有10-100nm直径的Al 2 O 3在粘结相中分散并生成，并且在粘结相的1μm×1μm截面积内产生至少30个Al 2 O 3。

公开(公告)号：WO2015147193A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/059443

申请日：2015-03-26

Applicant: 京セラ株式会社

Inventor： 小松原　健司 ,  石川　和洋 ,  阿部　裕一 ,  中村　清隆

IPC: H01L23/13

CPC classification number: H01L23/13 ,  C04B35/584 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/4807 ,  H01L23/15 ,  H01L25/07 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】高い接合強度を有する回路基板およびこの回路基板を備える電子装置を提供する。【解決手段】本発明の回路基板は、セラミック基板の一方の主面に、接合層を介して回路部材が設けられてなる回路基板であって、接合層は、回路部材が搭載される搭載部と露出部とからなり、露出部の表面に空隙を備え、空隙の重心間距離の分散度の平均値が３以上55以下である。このような構成を満たす本発明の回路基板は、セラミック基板と回路部材とにおいて高い接合強度を有する。

Abstract translation: [问题]提供一种具有高接合强度的电路板和设置有电路板的电子设备。 [解决方案]该电路板通过在陶瓷基板的一个主表面上设置有介于其间的接合层而获得的电路构件，其中，接合层包括露出部分和安装有电路部件的安装部分，空隙为 设置在暴露部分的表面，并且空隙的重心的平均分散度为3-55。 满足上述结构的电路基板在陶瓷基板和电路部件之间具有高的接合强度。