公开(公告)号：WO2016178777A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：PCT/US2016/026156

申请日：2016-04-06

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： RAJ, Govinda ,  KUMAR, Hanish ,  ZHANG, Lin ,  WU, Stanley

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23F15/00

CPC classification number: F16K41/10 ,  C23C16/4404 ,  F16L11/15 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68792

Abstract: Implementations described herein protect a chamber components from corrosive cleaning gases used at high temperatures. In one embodiment, a chamber component includes at least a bellows that includes a top mounting flange coupled to a bottom mounting flange by a tubular accordion structure. A coating is disposed on an exterior surface of at least the tubular accordion structure. The coating includes of at least one of polytetrafluoroethylene, parylene C, parylene D, diamond-like carbon (DLC), yttria stabilized zirconia, nickel, alumina, or aluminum silicon magnesium yttrium oxygen compound. In one embodiment, the chamber component is a valve having an internal bellows.

Abstract translation: 本文所述的实施方案保护室部件免受在高温下使用的腐蚀性清洁气体的影响。 在一个实施例中，室部件包括至少一个波纹管，其包括通过管状手风琴结构联接到底部安装凸缘的顶部安装凸缘。 在至少管状手风琴结构的外表面上设置涂层。 涂层包括聚四氟乙烯，聚对二甲苯C，聚对二甲苯D，类金刚石碳（DLC），氧化钇稳定的氧化锆，镍，氧化铝或铝硅镁钇氧化合物中的至少一种。 在一个实施例中，室部件是具有内部波纹管的阀。

公开(公告)号：WO2016148739A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/US2015/053260

申请日：2015-09-30

Applicant: ENTEGRIS, INC.

Inventor： LIN, I-Kuan ,  GUNDA, Nilesh ,  RADGOWSKI, Dennis ,  VENKATRAMAN, Chandra

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C14/48 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5846 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32495

Abstract: Articles and methods relating to coatings having superior plasma etch-resistance and which can prolong the life of RIE components are provided. An article has a vacuum compatible substrate and a protective film overlying at least a portion of the substrate. The film comprises a fluorinated metal oxide containing yttrium.

Abstract translation: 提供了具有优异的等离子体耐蚀刻性并且可以延长RIE部件寿命的涂层的制品和方法。 一种制品具有真空兼容的衬底和覆盖至少一部分衬底的保护膜。 膜包含含有钇的氟化金属氧化物。

公开(公告)号：WO2016072724A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/KR2015/011755

申请日：2015-11-04

Applicant: (주)펨빅스 ,  김옥률 ,  김옥민

Inventor： 김옥률 ,  김옥민

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/56

CPC classification number: C23C4/11 ,  C23C4/02 ,  C23C4/134 ,  C23C4/18 ,  C23C24/04 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67069

Abstract: 본 발명은 반도체 또는 디스플레이 제조장비의 공정부품이 플라즈마에 노출되어 식각되는 문제를 해결하기 위한 것으로서, 공정부품에 대한 세라믹 파우더 코팅 전·후 표면(공정부품 본체의 표면 및 코팅막의 표면)의 골(valley)과 피크(peak)의 제거를 통해 플라즈마 내식각성을 향상시키는 방법과 이로 인해 플라즈마 내식각성이 향상된 공정부품에 관한 것이다. 본 발명은 「플라즈마에 노출되는 반도체 또는 디스플레이 제조장비 공정부품으로서, 골(valley)과 피크(peak)의 일부 또는 전부가 제거된 본체의 표면에 코팅막이 형성되고, 상기 코팅막 표면에서 골(valley)과 피크(peak)의 일부 또는 전부가 제거된 것을 특징으로 하는 플라즈마 내식각성이 향상된 공정부품」을 제공한다.

Abstract translation: 本发明是为了解决处理暴露于等离子体和蚀刻的半导体或显示器制造设备的部件的问题，本发明涉及一种提高等离子体耐蚀刻性的方法以及具有改进的耐等离子体耐蚀刻性的处理部件 方法，其中除去陶瓷粉末涂覆之前和之后的处理组分表面（处理组分的主体的表面和涂膜的表面）的谷和峰。 本发明提供“处理部件，其是暴露于等离子体的半导体或显示制造设备的处理部件，其具有形成在其主体的表面上的涂膜，其具有部分或全部的谷和峰被去除 并且具有改进的等离子体蚀刻电阻，其特征在于从涂膜表面去除部分或全部的谷和峰。

公开(公告)号：WO2015108276A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/KR2014/011795

申请日：2014-12-04

Applicant: 아이원스 주식회사

Inventor： 이문기 ,  김병기 ,  박재혁 ,  김대근 ,  이명노

IPC: C23C26/00 ,  C23C24/06

CPC classification number: C23C24/04 ,  C04B35/447 ,  C04B35/505 ,  C04B35/62222 ,  C04B2235/5436 ,  C23C16/06 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/32495

Abstract: 본 발명의 일 실시예는 복합 피막 입자 입경을 갖는 피막의 형성 방법 및 이에 따른 피막에 관한 것으로, 본 발명은 분말 공급부로부터 분말 제1입경 범위를 갖는 다수의 분말을 공급받고, 이송 가스를 이용하여 상기 분말을 이송하는 단계; 및 상기 이송된 분말을 공정 챔버 내의 기재에 100 내지 500 m/s의 속도로 충돌 및 파쇄시켜, 피막 제1입경 범위를 갖는 다수의 제1입자와, 상기 피막 제1입경 범위보다 큰 피막 제2입경 범위를 갖는 다수의 제2입자가 혼합된 피막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1입자의 피막 제1입경 범위는 200 nm 내지 900 nm이며, 상기 제2입자의 피막 제2입경 범위는 900 nm 내지 10 ㎛인 복합 피막 입자 입경을 갖는 피막의 형성 방법 및 이에 따른 피막을 개시한다.

Abstract translation: 本发明的一个实施方案涉及一种形成具有复合涂层粒度的涂层的方法和由其形成的涂层。 本发明公开了形成具有复合涂层粒径的涂层的方法和由其形成的涂层，包括以下步骤：从粉末供应部分接收在第一粉末粒度范围内的多个粉末，并将 使用运输气体的粉末; 并且通过使所运送的粉末发生碰撞而形成第一涂层粒度范围内的多个第一颗粒和大于第一涂层粒度范围的第二涂层粒径范围内的多个第二颗粒的​​涂层 将处理室内的基板以100〜500m / s的速度进行粉碎，其中第一粒子的第一涂布粒度范围为200nm〜900nm，其中第二涂布粒度范围为 第二颗粒为900nm至10μm。

公开(公告)号：WO2014060660A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：PCT/FR2013/000271

申请日：2013-10-15

Applicant: CONSTELLIUM FRANCE

Inventor： VAN KAPPEL Joost Michel ,  GASQUERES Cedric ,  PIPPIG SCHMID Kristin ,  DAVO GUTIERREZ Maria Belen

IPC: C22C21/02 ,  B01J3/00 ,  C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C22C21/08 ,  C22F1/05 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32467 ,  B01J3/006 ,  C22C21/02 ,  C22C21/08 ,  C22F1/002 ,  C22F1/05 ,  C25D11/10 ,  C25D11/16 ,  C25D11/24 ,  H01J37/32495

Abstract: L'invention concerne un élément de chambre à vide obtenu par usinage et traitement de surface d'une tôle d'épaisseur au moins égale à 10 mm en alliage d'aluminium de composition, en % en poids, Si : 0,4 - 0,7; Mg : 0,4 - 0,7; Ti 0,01 -

Abstract translation: 本发明涉及一种真空室元件，其通过机械加工和表面处理具有至少等于10mm的厚度的铝合金，其重量比为Si：0.4-0.7; Mg：0.4〜0.7; Ti 0.01 - <0.15; Fe <0.25; Cu <0.04 Mn <0.4; Cr 0.01 - <0.1; Zn <0.04; 其他元素<0.05，总共<0.15，其余铝。 本发明还涉及一种用于制造真空室元件的方法，其中依次提供厚度为至少10mm的5XXX系列或6XXX系列的铝合金板，所述片材 对真空室元件进行加工，并且所述元件脱脂和/或剥离，阳极氧化在10至30℃的温度下用包含100至300g / l硫酸的溶液进行，10至30g / l的 草酸和5至30g / l的至少一种多元醇，并且由此阳极氧化的产物任选在去离子水中在至少98℃的温度下水合，优选至少约1小时。 根据本发明的产品特别具有改进的性能均匀性和耐腐蚀性。

公开(公告)号：WO2013023029A2

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/US2012/050093

申请日：2012-08-09

Applicant: ENTEGRIS, INC. ,  GUNDA, Nilesh

Inventor： GUNDA, Nilesh

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32495 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/083 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32477 ,  Y10T428/265

Abstract: A fluorine plasma resistant coating on a ceramic substrate is disclosed. In one embodiment the composition includes an AION coating that is about 2 microns thick that overlies a substrate, and having an optional yttria coating layer that is about 3 microns thick overlies the AION coating.

Abstract translation: 公开了一种在陶瓷衬底上的氟等离子体涂层。 在一个实施方案中，组合物包含约2微米厚的AION涂层，其覆盖在基底上，并且具有约3微米厚的可选的氧化钇涂层覆盖在AION涂层上。

公开(公告)号：WO2011143062A3

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：PCT/US2011035534

申请日：2011-05-06

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  SANKARAKRISHNAN RAMPRAKASH ,  BALASUBRAMANIAN GANESH ,  ROCHA-ALVAREZ JUAN CARLOS ,  DU BOIS DALE R ,  FODOR MARK A ,  ZHOU JIANHUA ,  BANSAL AMIT ,  AYOUB MOHAMAD ,  SHAIKH SHAHID ,  REILLY PATRICK ,  PADHI DEENESH ,  NOWAK THOMAS

Inventor： SANKARAKRISHNAN RAMPRAKASH ,  BALASUBRAMANIAN GANESH ,  ROCHA-ALVAREZ JUAN CARLOS ,  DU BOIS DALE R ,  FODOR MARK A ,  ZHOU JIANHUA ,  BANSAL AMIT ,  AYOUB MOHAMAD ,  SHAIKH SHAHID ,  REILLY PATRICK ,  PADHI DEENESH ,  NOWAK THOMAS

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/46 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715

Abstract: An apparatus for plasma processing a substrate is provided. The apparatus comprises a processing chamber, a substrate support disposed in the processing chamber, a shield member disposed in the processing chamber below the substrate support, and a lid assembly coupled to the processing chamber. The lid assembly comprises a conductive gas distributor coupled to a power source, and an electrode separated from the conductive gas distributor and the chamber body by electrical insulators. The electrode is also coupled to a source of electric power. The substrate support is formed with a stiffness that permits very little departure from parallelism. The shield member thermally shields a substrate transfer opening in the lower portion of the chamber body. A pumping plenum is located below the substrate support processing position, and is spaced apart therefrom.

Abstract translation: 提供了一种用于等离子体处理衬底的装置。 该设备包括处理室，设置在处理室中的基板支撑件，设置在基板支撑件下方的处理室中的屏蔽构件以及耦合到处理室的盖组件。 盖组件包括耦合到电源的导电气体分配器和通过电绝缘体与导电气体分配器和室主体分离的电极。 电极也耦合到电源。 衬底支撑件形成有允许很少偏离平行度的刚度。 屏蔽构件对室主体的下部的基板传送开口进行热屏蔽。 泵送气室位于基板支撑处理位置下方，并与其间隔开。

公开(公告)号：WO2010147856A2

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/US2010/038342

申请日：2010-06-11

Applicant: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： VARTABEDIAN, Ara ,  ABOUAF, Marc ,  INTO, Stephen W. ,  SIMPSON, Matthew A.

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C4/18 ,  C23C28/042 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/6833

Abstract: A processing device includes a plurality of walls defining an interior space configured to be exposed to plasma and a surface coating on the interior surface of at least one of the plurality of walls. The surface coating includes pores forming interconnected porosity. The processing device further includes a sealant residing in at least a portion of the pores of the surface coating. In an embodiment, the sealant can be a thermally cured sealant having a cure temperature not greater than about 100C. In another embodiment, the sealant can be an epoxy sealant having a viscosity of not greater than 500 cP in liquid precursor form. In yet another embodiment, the sealant can be a low shrinkage sealant characterized by a solidification shrinkage of not greater than 8%.

Abstract translation: 处理装置包括限定被配置为暴露于等离子体的内部空间的多个壁和多个壁中的至少一个的内表面上的表面涂层。 表面涂层包括形成互连孔隙的孔。 处理装置还包括位于表面涂层的孔的至少一部分中的密封剂。 在一个实施方案中，密封剂可以是固化温度不超过约100℃的热固化密封剂。 在另一个实施方案中，密封剂可以是液体前体形式的粘度不大于500cP的环氧密封剂。 在另一个实施方案中，密封剂可以是低收缩密封剂，其特征在于凝固收缩率不大于8％。

公开(公告)号：WO2009099661A2

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：PCT/US2009000786

申请日：2009-02-06

Applicant: LAM RES CORP ,  KADKHODAYAN BOBBY ,  MCCHESNEY JON ,  PAPE ERIC ,  DHINDSA RAJINDER

Inventor： KADKHODAYAN BOBBY ,  MCCHESNEY JON ,  PAPE ERIC ,  DHINDSA RAJINDER

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/505 ,  H01J37/16 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/0213 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069

Abstract: A flexible polymer or elastomer coated RF return strap to be used in a plasma chamber to protect the RF strap from plasma generated radicals such as fluorine and oxygen radicals, and a method of processing a semiconductor substrate with reduced particle contamination in a plasma processing apparatus. The coated RF strap minimizes particle generation and exhibits lower erosion rates than an uncoated base component. Such a coated member having a flexible coating on a conductive flexible base component provides an RF ground return configured to allow movement of one or more electrodes in an adjustable gap capacitively coupled plasma reactor chamber.

Abstract translation: 用于等离子体室中的柔性聚合物或弹性体涂覆的RF返回带，以保护RF带免受等离子体产生的自由基，例如氟和氧自由基，以及在等离子体处理装置中处理具有减少的颗粒污染的半导体衬底的方法。 涂覆的RF带最小化颗粒产生并且比未涂覆的基底部件具有更低的侵蚀速率。 这种在导电柔性基座部件上具有柔性涂层的涂覆部件提供了RF接地回路，其被配置为允许一个或多个电极在可调节间隙电容耦合等离子体反应器室中移动。

公开(公告)号：WO2008114718A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：PCT/JP2008/054730

申请日：2008-03-14

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  東京エレクトロン株式会社 ,  大見 忠弘 ,  後藤 哲也 ,  松岡 孝明

Inventor： 大見 忠弘 ,  後藤 哲也 ,  松岡 孝明

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452

Abstract: 　本発明の課題は、回転磁石群によってターゲット表面の磁場パターンが時間と共に移動するように構成されたマグネトロンスパッタ装置において、プラズマ着火や消去の際に被処理基板の不良率が高くなる問題を解決し、被処理基板の不良率が従来よりも小さいマグネトロンスパッタ装置を提供することにある。 　本発明のマグネトロンスパッタ装置はターゲットに対して回転磁石群と反対側にスリットを備えたプラズマ遮蔽部材を設け、当該プラズマ遮蔽部材と被処理基板との間の距離を電子の平均自由工程よりも短くするか、或いは、シース幅よりも短くする。更に、スリット幅及び長さを制御することにより、被処理基板にプラズマが当らないようにする。これによって、被処理基板の不良率を小さくすることができる。 　 

Abstract translation: 本发明是为了解决在磁控管溅射装置中的等离子体点火或消光时提高待处理基板的百分比不良的问题，该磁控管溅射装置构成为目标表面的磁性图案随着时间旋转而移动 从而提供一种磁控溅射装置，其中处理过的衬底的缺陷百分比低于现有技术。 提供的磁控管溅射装置包括等离子体屏蔽构件，其在相对于靶的旋转磁体组的相对侧上具有狭缝，从而使等离子体屏蔽构件和处理过的衬底之间的距离比平均自由程 电子或鞘宽。 此外，控制狭缝宽度和长度以保护经处理的基板免受等离子体的轰击。 因此，可以减少经处理的基材的百分比缺陷。