公开(公告)号：WO2012028717A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/065202

申请日：2011-09-02

Applicant: OERLIKON SOLAR AG, TRUEBBACH ,  FECIORU-MORARIU, Marian

Inventor： FECIORU-MORARIU, Marian

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/20 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/06875 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: In order to improve a thin film solar cell with an amorphous silicon absorber layer being in single or in tandem configuration, the addressed absorber layer of a- Si:H is manufactured by plasma enhanced vapor deposition in an RF-SiH 4 plasma, wherein the deposition is performed at at least one of at the process pressure below 0.5mbar and of at an RF power density below 370W/14000cm 2 .

Abstract translation: 为了改进具有单一或串联配置的非晶硅吸收层的薄膜太阳能电池，通过在RF-SiH 4等离子体中的等离子体增强气相沉积制造a-Si：H的寻址吸收层，其中沉积 在低于0.5mbar的处理压力和低于370W / 14000cm 2的RF功率密度下的至少一个进行。

公开(公告)号：WO2013080803A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：PCT/JP2012/079618

申请日：2012-11-15

Applicant: 三洋電機株式会社

Inventor： 松本　光弘

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 　透明導電層上に形成されたアモルファスシリコン又はその化合物の発電層を有する光起電力装置であって、基板面内において、光照射後に開放電圧が低下する領域Ａと、光照射後に開放電圧が向上する領域Ｂと、を含む光起電力装置とする。

Abstract translation: 本发明提供一种具有发电层的光伏电力装置，其形成在透明导电层上，由非晶硅或其化合物构成。 光伏功率器件在衬底的表面内包括在光照射之后开路电压降低的区域A和在光照射之后开路电压增加的区域B.

公开(公告)号：WO2010147604A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/US2009/054774

申请日：2009-08-24

Applicant: TIGO ENERGY, INC. ,  HADAR, Ron ,  ARDITI, Shmuel ,  KIKINIS, Dan

Inventor： HADAR, Ron ,  ARDITI, Shmuel ,  KIKINIS, Dan

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02021 ,  H01L31/03767 ,  H02S50/00 ,  Y02E10/50 ,  Y10S136/293

Abstract: A solar cell having an open loop voltage that approaches a critical voltage range when exposed to light. A circuit, connected to the solar cell, is configured to load the solar cell when the open loop voltage of the solar cell reaches a threshold within a predetermined range of the critical voltage range.

Abstract translation: 具有暴露于光的接近临界电压范围的开环电压的太阳能电池。 连接到太阳能电池的电路被配置为当太阳能电池的开环电压在临界电压范围的预定范围内达到阈值时负载太阳能电池。

公开(公告)号：WO1992022925A1

公开(公告)日：1992-12-23

申请号：PCT/US1992005089

申请日：1992-06-17

Applicant: ADVANCED PHOTOVOLTAIC SYSTEMS, INC.

Inventor： ADVANCED PHOTOVOLTAIC SYSTEMS, INC. ,  XI, Jianping ,  GHOSH, Malathi ,  LIU, Tongyu ,  MACNEIL, John

IPC: H01L29/12

CPC classification number: G03G5/08214 ,  H01L29/1604 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: An amorphous material such as silicon is doped with a dopant, such as boron, in small amounts effective to reduce light-induced degradation. The dopant preferably is added in the vapor deposition of the amorphous material and results in a concentration of less than about 5x10 atoms/cm in a film. The films may be used in applications such as photovoltaic devices, xerography drums, facsimile elements, thin film transistors, and particle detectors.

Abstract translation: 诸如硅之类的无定形材料以少量掺杂有掺杂剂，例如硼，以有效降低光致降解。 掺杂剂优选在无定形材料的气相沉积中加入，并导致膜中小于约5×10 18原子/ cm 3的浓度。 这些膜可以用于诸如光伏器件，静电鼓，传真元件，薄膜晶体管和粒子检测器的应用中。

公开(公告)号：WO2017032820A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/EP2016/070039

申请日：2016-08-25

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.

Inventor： NEKARDA, Jan ,  BRAND, Andreas ,  REIN, Stefan ,  FERTIG, Fabian ,  KRAUSS, Karin

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03767 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Stabilisieren einer photovoltaischen Silizium-Solarzelle, mit einem Regenerationsschritt, wobei ein Injizieren von Ladungsträgern in einem Halbleitersubstrat der auf zumindest 50°C erwärmten Solarzelle erfolgt. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Regenerationsschritt ein Degradationsschritt erfolgt, wobei die Solarzelle mittels Strahlung, insbesondere Laserstrahlung, mit einer Strahlungsintensität von zumindest 5.000W/m 2 beaufschlagt und gleichzeitig die Solarzelle aktiv gekühlt wird.Die Erfindung betrifft weiterhin eine Vorrichtung zum Stabilisieren einer photovoltaischen Silizium-Solarzelle

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于稳定一个硅光伏太阳能电池，包括再生步骤，其中在一个半导体衬底中注入电荷载体加热至至少50执行℃的太阳能电池。 本发明的特征在于，先于再生步骤中，Degradationsschritt，由此通过辐射的太阳能电池，特别是激光辐射，暴露于至少5.000W / m 2的辐射强度，而在太阳能电池wird.Die主动冷却发明还涉及一种装置，用于稳定 硅光伏太阳能电池

公开(公告)号：WO2016075867A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：PCT/JP2015/005190

申请日：2015-10-14

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 大塚　寛之

IPC: H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 　本発明は、一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とするＰ型シリコン基板を備え、前記裏面上に、部分的に形成された複数の裏面電極を備え、前記Ｐ型シリコン基板が前記受光面の少なくとも一部にＮ型層を有し、かつ前記Ｐ型シリコン基板が前記裏面電極と接触する接触領域を有するものである太陽電池であって、前記Ｐ型シリコン基板が、ガリウムがドープされたシリコン基板であり、前記Ｐ型シリコン基板の抵抗率が、２．５Ω・ｃｍ以下であり、前記複数の裏面電極の裏面電極ピッチＰ ｒｍ ［ｍｍ］と前記Ｐ型シリコン基板の抵抗率Ｒ ｓｕｂ ［Ω・ｃｍ］が、下記式（１）で表される関係を満たすものであることを特徴とする太陽電池である。これにより、光劣化が抑制された基板を用いた太陽電池において、抵抗損が抑制され、変換効率に優れた太陽電池及び太陽電池モジュールが提供される。　ｌｏｇ（Ｒ ｓｕｂ ）≦－ｌｏｇ（Ｐ ｒｍ ）＋１．０・・・（１）

Abstract translation: 本发明是一种太阳能电池，具备：具有主表面的P型硅基板，其中一个是受光面，另一个是背面; 以及多个背面电极，各自形成在所述背面的一部分上，所述P型硅衬底在所述受光面的至少一部分中具有N型层，所述P型硅衬底具有 所述P型硅衬底与所述背面电极接触的所述接触区域，所述太阳能电池的特征在于，所述P型硅衬底为掺杂镓的硅衬底，所述P型硅衬底的电阻率为 2.5Ω·cm以下，多个背面电极的背面电极间距Prm [mm]和P型硅衬底的电阻率Rsub [Ω·cm]满足式（1） ）。 结果，提供一种采用基板的太阳能电池，其由于光而被抑制而劣化，其中电阻损失被抑制并且转换效率优异，以及太阳能电池模块。 log（Rsub）≤-log（Prm）+ 1.0（1）

公开(公告)号：WO2012021325A3

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：PCT/US2011046179

申请日：2011-08-02

Applicant: OVSHINSKY INNOVATION LLC ,  OVSHINSKY STANFORD ,  STRAND DAVID ,  KLERSY PATRICK ,  PASHMAKOV BOIL

Inventor： OVSHINSKY STANFORD ,  STRAND DAVID ,  KLERSY PATRICK ,  PASHMAKOV BOIL

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/50 ,  H01L31/042

CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Apparatus and method for plasma deposition of thin film photovoltaic materials at microwave frequencies. The apparatus avoids unintended deposition on microwave transmission elements that couple microwave energy to deposition species. The apparatus includes a microwave applicator with conduits passing therethrough that carry deposition species. The applicator transfers microwave energy to the deposition species to energize them to a reactive state conducive to formation of a thin film. The conduits physically isolate deposition species that would react or otherwise combine to form a thin film material at the point of microwave power transfer. The deposition species are separately energized and swept away from the point of power transfer to prevent premature thin film deposition. Suitable precursors include those that contain silicon, germanium, fluorine, and/or hydrogen. The invention enables formation of silicon-containing amorphous semiconductors that exhibit high mobility, low porosity, little Staebler-Wronski degradation, and low defect concentration.

Abstract translation: 微波等离子体沉积薄膜光伏材料的设备和方法。 该装置避免了将微波能量耦合到沉积物质的微波传输元件上的非预期沉积。 该装置包括带有通过其的导管的微波施加器，其携带沉积物质。 施加器将微波能量传递到沉积物质以将它们激发到有助于形成薄膜的反应状态。 导管物理地隔离在微波功率传递点处反应或以其他方式组合以形成薄膜材料的沉积物质。 沉积物质分开通电并从功率传递点扫除，以防止过早的薄膜沉积。 合适的前体包括含硅，锗，氟和/或氢的前体。 本发明能够形成表现出高迁移率，低孔隙率，小的Staebler-Wronski降解和低缺陷浓度的含硅非晶半导体。

公开(公告)号：WO2011148679A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：PCT/JP2011/053357

申请日：2011-02-17

Applicant: シャープ株式会社 ,  西村 和仁 ,  奈須野 善之 ,  中野 孝紀

Inventor： 西村　和仁 ,  奈須野　善之 ,  中野　孝紀

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 　基板（１）と、基板（１）の表面上に設けられたｐｉｎ型光電変換層（１１，１２）と、を備え、ｐｉｎ型光電変換層（１１，１２）は、ｐ型半導体層（３）と、非晶質半導体層であるｉ型半導体層（４）と、ｎ型半導体層（５）とが積層された第１のｐｉｎ型光電変換層（１１）を含んでおり、第１のｐｉｎ型光電変換層（１１）は、基板（１）の一部の表面上に位置する第１の部分と、基板（１）の他の一部の表面上に位置する第２の部分と、を有し、第１の部分の酸素、窒素および炭素から選択される少なくとも一つの不純物元素の濃度が、第２の部分の不純物元素の濃度よりも高く、第１の部分の厚さが第２の部分の厚さよりも薄くなっている、光電変換装置である。

Abstract translation: 公开了一种设置有基板（1）的光电器件和设置在基板（1）的表面上的引脚光伏层（11,12）。 引脚光电转换层11,12包含第一引脚光电转换层11，其中p型半导体层（3），作为非晶半导体层的i型半导体层（4）和n型半导体层 型半导体层（5）。 第一引脚光伏层（11）包括位于基板（1）的一部分的表面上的第一部分和位于基板（1）的另一部分的表面上的第二部分。 第一部分中选自氧，氮和碳的至少一种杂质元素的浓度高于第二部分中的杂质元素的浓度，并且第一部分比第二部分薄。

公开(公告)号：WO2012065957A3

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：PCT/EP2011070082

申请日：2011-11-14

Applicant: OERLIKON SOLAR AG ,  FECIORU-MORARIU MARIAN ,  MEREU BOGDAN

Inventor： FECIORU-MORARIU MARIAN ,  MEREU BOGDAN

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a method for manufacturing a thin film solar cell, comprising the sequential steps of a) depositing a positively doped Si layer (3), b1) depositing a first intrinsic a-Si:H layer (21) at a first deposition rate, b2) depositing a second intrinsic a-Si:H layer (22) at a second deposition rate, and c) depositing a negatively doped Si layer (5), whereby the second deposition rate is greater than the first deposition rate. The thin film solar cell manufactured is characterized by an increased initial and stabilized efficiency while at the same time the overall deposition rate, even by depositing two different intrinsic layers (21, 22), is kept at a reasonable and economic level.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造薄膜太阳能电池的方法，包括以下顺序步骤：a）沉积正掺杂的Si层（3），b1）在第一次沉积时沉积第一本征a-Si：H层（21） 速率，b2）以第二沉积速率沉积第二固有a-Si：H层（22），以及c）沉积负掺杂Si层（5），由此第二沉积速率大于第一沉积速率。 制造的薄膜太阳能电池的特征在于初始和稳定的效率增加，同时通过沉积两个不同的本征层（21,22），总体沉积速率保持在合理和经济的水平。

公开(公告)号：WO2011133410A2

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/US2011032612

申请日：2011-04-15

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  AL-BAYATI AMIR ,  CHAE YONG K ,  SHENG SHURAN ,  KUMAR BHASKAR ,  VALFER ERAN

Inventor： AL-BAYATI AMIR ,  CHAE YONG K ,  SHENG SHURAN ,  KUMAR BHASKAR ,  VALFER ERAN

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/202 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03767 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: Apparatus and methods for forming a silicon-containing i-layer on a substrate for a thin film photovoltaic cell are disclosed. The apparatus includes a chamber body defining a processing region containing the substrate, a hydrogen source and a silane source coupled to a plasma generation region, an RF power source that applies power at a power level in the plasma generation region to generate a plasma and deposit the silicon-containing i-layer at a selected deposition rate to a selected thickness and a controller. The controller controls the power level and the deposition rate of the i-layer on the substrate such that the thin film solar cell exhibits light induced damage that conforms to a linear fit of the product of the RF power, the deposition rate and the selected thickness of the i-layer. In accordance with further aspects of the present invention, the controller controls the RF power and the deposition rate so that a product (x) of the RF power in watts, the deposition rate of the i-layer in nm per min and the thickness of the i-layer in nm is less than a predetermined number y and satisfies the equation y = 5E11 *x + 3.3749 plus or minus a margin.

Abstract translation: 公开了一种在用于薄膜光伏电池的衬底上形成含硅i层的装置和方法。 该装置包括限定包含衬底的处理区域的腔室，耦合到等离子体产生区域的氢源和硅烷源，在等离子体产生区域中以功率电平施加功率以产生等离子体和沉积物的RF电源 以所选择的沉积速率将含硅i层以选定的厚度和控制器进行。 控制器控制基板上的i层的功率水平和沉积速率，使得薄膜太阳能电池呈现符合RF功率，沉积速率和选定厚度的乘积的线性拟合的光诱导损伤 的i层。 根据本发明的另外的方面，控制器控制RF功率和沉积速率，使得RF功率的乘积（x）（瓦），i层的沉积速率（nm / min）和 i层的nm小于预定数量y，并且满足等式y = 5E11 * x + 3.3749加或减边缘。