公开(公告)号：WO2013011957A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：PCT/JP2012/067973

申请日：2012-07-13

申请人： パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  糟谷 孝幸 ,  杉浦 聡 ,  吉沢 勝美

发明人： 糟谷　孝幸 ,  杉浦　聡 ,  吉沢　勝美

IPC分类号： G11B5/31 ,  G11B5/02 ,  H01S5/183

CPC分类号： H01S5/34313 ,  G11B5/3163 ,  G11B9/1409 ,  G11B2005/0021 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18386 ,  H01S5/3412 ,  H01S2301/18

摘要： 　近接場光デバイスの製造方法は、透明基板（３２）の一方の面に近接場光発生部（１０）を形成するステップと、光源（２０）を形成するステップと、近接場光発生部が形成された透明基板と光源を貼り合わせるステップと、を備える。これにより、量産化に適した近接場光デバイスの製造方法を提供することができる。

摘要翻译： 一种近场光学器件的制造方法具备：在透明基板（32）的一个面上形成近场光产生部（10）的工序。 用于形成光源（20）的步骤; 以及将其上形成有近场光产生单元的透明基板与光源粘合的步骤。 由此，可以提供适合于批量生产的近场光学装置的制造方法。

公开(公告)号：WO2011090573A3

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：PCT/US2010059320

申请日：2010-12-07

申请人： INTEL CORP ,  KOCH BRIAN R

发明人： KOCH BRIAN R

IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/20

CPC分类号： H01S5/0268 ,  G02B6/124 ,  G02B6/4204 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/105 ,  H01S5/183 ,  H01S5/1838

摘要： A silicon vertical cavity laser with in-plane coupling comprises wafer bonding an active III-V semiconductor material above a grating coupler made on a silicon-on-insulator (SOI) wafer. This bonding does not require any alignment, since all silicon processing can be done before bonding, and all III-V processing can be done after bonding. The grating coupler acts to couple the vertically emitted light from the hybrid vertical cavity into a silicon waveguide formed on an SOI wafer.

摘要翻译： 具有平面内耦合的硅垂直腔激光器包括将在绝缘体上硅（SOI）晶片上制造的光栅耦合器上方的有源III-V半导体材料晶圆接合。 这种接合不需要任何对准，因为在接合之前可以完成所有硅处理，并且可以在结合之后完成所有III-V加工。 光栅耦合器将垂直发射的光从混合垂直腔耦合到形成在SOI晶片上的硅波导中。

公开(公告)号：WO2009112020A2

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：PCT/DE2009/000332

申请日：2009-03-09

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  STRASSBURG, Martin ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

发明人： ENGL, Karl ,  STRASSBURG, Martin ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

IPC分类号： H01L25/075 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L25/0756 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/18 ,  H01L33/325 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips mit vergrabener p-Seite, aufweisend die folgenden Verfahrensschritte angegeben: a) Herstellen eines Wafers (1, 2, 3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (100, 200, 300), die eine n-dotierte Schicht (12, 22, 32), eine aktive Schicht (13, 23, 33) und eine p-dotierte Schicht (14, 24, 34) umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordnet ist und die p-dotierte Schicht freigelegt ist, b) elektrisches Aktivieren der Akzeptoren in der freigelegten p-dotierten Schicht (14, 24, 34) durch ein thermisches Aktivierungsverfahren, c) Abdecken der p-dotierten Schicht (14, 24, 34), und d) Vereinzeln des Wafers (1, 2, 3) in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips.

摘要翻译：

一种用于制备光电子半导体芯片的多个具有掩埋p侧，其包括下列方法步骤的方法表示：a）制备一个晶片（1，2，3），其具有半导体层序列（100，200 ，300），n型掺杂层（12，22，32），有源层（13，23，33）和p掺杂层（14，24，其包括34），其特征在于，所述n之间的有源层 掺杂层和p掺杂层被布置和p掺杂层被暴露，b），其电激活所述暴露的p掺杂层（）通过热活化方法的受体14，24，34，C）覆盖p （14,24,34），和d）将晶片（1,2,3）分割成多个光电子半导体芯片。

公开(公告)号：WO2009059128A2

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：PCT/US2008/081984

申请日：2008-10-31

申请人： WAKONDA TECHNOLOGIES, INC. ,  FRITZEMEIER, Leslie, G.

发明人： FRITZEMEIER, Leslie, G.

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02367 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02521 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0215 ,  Y02E10/544

摘要： Methods for forming semiconductor devices include providing a textured template, forming a buffer layer over the textured template, forming a substrate layer over the buffer layer, removing the textured template, thereby exposing a surface of the buffer layer, and forming a semiconductor layer over the exposed surface of the buffer layer. In various embodiments, semiconductor structures include a substantially untextured substrate layer, a textured buffer layer disposed over the substrate layer, and a semiconductor layer disposed over the textured buffer layer.

摘要翻译： 用于形成半导体器件的方法包括提供纹理化模板，在纹理化模板上形成缓冲层，在缓冲层上形成衬底层，去除纹理化模板，从而暴露缓冲层的表面，以及形成半导体层 缓冲层的暴露表面。 在各种实施例中，半导体结构包括基本上未纹理化的衬底层，设置在衬底层上的织构缓冲层，以及设置在纹理缓冲层上的半导体层。

公开(公告)号：WO2009017769A2

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：PCT/US2008/009224

申请日：2008-07-30

申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  TAN, Michael ,  WANG, Shih-Yuan ,  STEWART, Duncan ,  FATTAL, David

发明人： TAN, Michael ,  WANG, Shih-Yuan ,  STEWART, Duncan ,  FATTAL, David

IPC分类号： H01S3/08 ,  H01S3/109

CPC分类号： H01S5/1075 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12007 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/222 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306

摘要： Various embodiments of the present invention are related to microresonator systems that can be used as a laser, a modulator, and a photodetector and to methods for fabricating the microresonator systems. In one embodiment, a microresonator system (100) comprises a substrate (106) having a top surface layer (104), at least one waveguide (114,116) embedded within the substrate (106), and a microdisk (102) having a top layer (118), an intermediate layer (122), a bottom layer (120), current isolation region (128), and a peripheral annular region (124,126). The bottom layer (120) of the microdisk (102) is in electrical communication with the top surface layer (104) of the substrate (106) and is positioned so that at least a portion of the peripheral annular region (124,126) is located above the at least one waveguide (114,116). The current isolation region (128) is configured to occupy at least a portion of a central region of the microdisk and has a relatively lower refractive index and relatively larger bandgap than the peripheral annular region.

摘要翻译： 本发明的各种实施方案涉及可用作激光的微谐振器系统，调制器和光电检测器以及用于制造微谐振器系统的方法。 在一个实施例中，微谐振器系统（100）包括具有顶表面层（104），嵌入衬底（106）内的至少一个波导（114,116）的衬底（106）和具有顶层 （118），中间层（122），底层（120），电流隔离区域（128）和外围环形区域（124,126）。 微盘（102）的底层（120）与衬底（106）的顶表面层（104）电连通并且被定位成使周边环形区域（124,126）的至少一部分位于 所述至少一个波导（114,116）。 电流隔离区128被配置为占据微盘的中心区域的至少一部分，并且具有比周边环形区域相对更低的折射率和相对较大的带隙。

公开(公告)号：WO2007029538A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：PCT/JP2006/316866

申请日：2006-08-28

申请人： 国立大学法人京都大学 ,  ローム株式会社 ,  大西 大 ,  國師 渡 ,  宮井 英次 ,  野田 進

发明人： 大西 大 ,  國師 渡 ,  宮井 英次 ,  野田 進

IPC分类号： H01S5/18

CPC分类号： H01S5/105 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/024 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18358 ,  H01S2301/18

摘要： 　本発明は、不要なサイドローブを随伴しないビームを形成することができる２次元フォトニック結晶面発光レーザ光源を提供する。面発光を取り出す側の素子基板３１の表面に、中央に電極材料のない窓３６１を形成した窓状電極３６を設ける。実装面３８に、窓３６１を含めた窓状電極３６の面積よりも小さい面積を有する実装面電極３７を設ける。また、素子基板３１と活性層３２の距離は実装面３８と活性層３２の距離よりも大きくする。電極間に電圧を印加すると、電荷が活性層３２に注入されて発光が得られ、２次元フォトニック結晶３３で所定の波長の光が増幅されることによりレーザ光が発振し、レーザ光は窓３６１から外部に取り出される。窓状電極３６が光の出射を遮らないため、出射光が干渉によりサイドローブを形成することを防ぐことができる。また、活性層３２が実装面３８に近いため、高い放熱効果も得られる。

摘要翻译： 一种二维光子晶体表面发射激光光源，用于形成没有不希望的旁瓣的光束。 在取出表面发射的元件基板（31）的表面上设置具有没有放置电极材料的窗（361）的窗形电极（36）。 在安装面（38）上设有安装面电极（37），其面积小于包括窗口（361）的窗形电极（36）的面积。 元件基板（31）和有源层（32）之间的距离比安装面（38）和有源层（32）之间的距离长。 当在电极之间施加电压时，将电荷注入到有源层（32）中，并且发射光。 预定波长的光在二维光子晶体（33）中被放大，激光从窗口（361）摆动并从外部取出。 由于窗状电极（36）不阻挡激光的输出，因此防止了由于干涉而产生的输出光的旁瓣。 因为活性层（32）靠近安装表面（38），所以产生高的散热效果。

公开(公告)号：WO0225782A3

公开(公告)日：2003-09-25

申请号：PCT/US0129706

申请日：2001-09-21

申请人： BLUE LEAF INC

发明人： GARNACHE ARNAUD ,  ROMANINI DANIELE ,  STOECKEL FREDERIC ,  KATCHANOV ALEXANDRE ,  KNIPPELS GUIDO ,  PALDUS BARBARA ,  RELLA CHRIS ,  RICHMAN BRUCE ,  LEVENSON MARC

IPC分类号： H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/04 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183

CPC分类号： H01S5/18375 ,  H01S3/1062 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/0617 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18377

摘要： A laser, useful as part of a multiple wavelength optical fiber transmitter, includes a single mode, multiple quantum well semiconductor amplifying mirror as a gain element an includes a second mirror to form an optical cavity, the length of which defines a sequence of optical modes. The gain element has an arrangement for tuning the laser from one mode to another by altering a temperature of the amplifying mirror.

摘要翻译： 作为多波长光纤发射器的一部分有用的激光器包括单模，多量子阱半导体放大镜作为增益元件，包括第二反射镜以形成光腔，其长度限定了一系列光学模式 。 增益元件具有通过改变放大镜的温度来将激光从一种模式调谐到另一种模式的装置。

公开(公告)号：WO0142820A9

公开(公告)日：2002-08-15

申请号：PCT/US0042440

申请日：2000-12-01

申请人： TERACONNECT INC

发明人： TREZZA JOHN A ,  DUDOFF GREGORY K

IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/36 ,  G02B6/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L31/12 ,  H01L31/167 ,  H01P5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40 ,  H03H7/38

CPC分类号： H01S5/0262 ,  G02B6/4246 ,  H01L31/167 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/95 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/4025

摘要： A method for making optoelectronic devices with interdigitated arrays of photonic devices is disclosed wherein an array of first type photonic devices (22) and sacrificial devices (24) are hybridized to a driver circuitry substrate, the sacrificial devices (24) are removed and an array of second type photonic devices (92) is hybridized into the space left by removal of the sacrificial devices (24).

摘要翻译： 公开了一种制造具有叉指式光子器件阵列的光电子器件的方法，其中第一类型光子器件（22）和牺牲器件（24）的阵列与驱动器电路衬底杂交，牺牲器件（24）被去除，阵列 第二类型光子器件（92）被杂交到通过去除牺牲器件（24）而留下的空间中。

公开(公告)号：WO02025782A2

公开(公告)日：2002-03-28

申请号：PCT/US2001/029706

申请日：2001-09-21

IPC分类号： H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/04 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S

CPC分类号： H01S5/18375 ,  H01S3/1062 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/0617 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18377

摘要： A laser, useful as part of a multiple wavelength optical fiber transmitter, includes a single mode, multiple quantum well semiconductor amplifying mirror as a gain element an includes a second mirror to form an optical cavity, the length of which defines a sequence of optical modes. The gain element has an arrangement for tuning the laser from one mode to another by altering a temperature of the amplifying mirror.

摘要翻译： 作为多波长光纤发射器的一部分有用的激光器包括单模，多量子阱半导体放大镜作为增益元件，包括第二反射镜以形成光腔，其长度限定了一系列光学模式 。 增益元件具有通过改变放大镜的温度来将激光从一种模式调谐到另一种模式的装置。

公开(公告)号：WO2017131984A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：PCT/US2017/013625

申请日：2017-01-16

申请人： MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC

发明人： PRICE, Raymond Kirk ,  NALLA, Ravi Kiran

IPC分类号： H05K9/00

CPC分类号： H05K9/0032 ,  G01B11/14 ,  G01B11/22 ,  G02B27/0176 ,  G02B2027/0178 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/02248 ,  H05K9/0028

摘要： A system and method are disclosed for shielding EMI in an electronic device such as a depth sensor used in a head mounted display device. In embodiments, the shield has a dual construction including a fence that may be surface mounted to a substrate over a first set of surface mounted components. The EMI shield may further comprise a cover, which may be glued to the fence after a second set of components is mounted to the substrate.

摘要翻译： 公开了一种系统和方法，用于屏蔽诸如头戴式显示设备中使用的深度传感器之类的电子设备中的EMI。 在实施例中，护罩具有双重构造，包括可在第一组表面安装部件上表面安装至基板的护栏。 EMI屏蔽罩可以进一步包括盖，在第二组元件安装到基板上之后，该盖可以粘合到栅栏。