公开(公告)号：WO2013152909A3

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/EP2013054890

申请日：2013-03-11

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： STRAUSS UWE ,  TAUTZ SOENKE ,  LELL ALFRED ,  VIERHEILIG CLEMENS

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

摘要： The invention relates to a laser diode device, which has a housing (1) with a mounting part (11) and a laser diode chip (2), which is based on a nitride compound semi-conductor material, in the housing (1) on the mounting part (11), wherein the laser diode chip (2) is mounted directly on the mounting part (11) by means of a solder layer (3) and the solder layer (3) has a thickness of greater than or equal to 3 mum.

摘要翻译： 提供了一种具有（1）具有安装部（11）的壳体的激光二极管器件，（2）在所述安装构件（11），其中，所述激光二极管芯片上的壳体（1）（2）使用基于氮化物的化合物半导体材料的激光二极管芯片上 的焊料层（3）直接在所述安装部分（11）被安装时，与焊料层（3）的厚度为大于或等于3的妈妈。

公开(公告)号：WO2013152909A2

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/EP2013/054890

申请日：2013-03-11

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： STRAUSS, Uwe ,  TAUTZ, Sönke ,  LELL, Alfred ,  VIERHEILIG, Clemens

IPC分类号： H01S5/022

CPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

摘要： Es wird eine Laserdiodenvorrichtung angegeben, die ein Gehäuse (1) mit einem Montageteil (11) und einen auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierenden Laserdiodenchip (2) im Gehäuse (1) auf dem Montageteil (11) aufweist, wobei der Laserdiodenchip (2) mittels einer Lotschicht (3) unmittelbar auf dem Montageteil (11) montiert ist und die Lotschicht (3) eine Dicke von größer oder gleich 3 μm aufweist.

摘要翻译：

本发明提供一种激光二极管设备，包括一个壳体BEAR使用（1），具有安装部（11）和基于氮化物的化合物半导体材料的激光二极管芯片（2）上在所述壳体BEAR使用（1）上的安装部 （11），其中所述激光二极管芯片（2）通过焊料层（3）直接安装在所述安装部分（11）上，并且所述焊料层（3）具有大于或等于3μm的厚度

公开(公告)号：WO2013042525A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/JP2012/072330

申请日：2012-09-03

申请人： ソニー株式会社 ,  中国科学院蘇州ナノテク-ナノバイオニクス研究所 ,  吉田 浩 ,  池田 昌夫 ,  内田 史朗 ,  丹下 貴志 ,  倉本 大 ,  有持 祐之 ,  楊 輝 ,  陸 書龍 ,  鄭 新和

发明人： 吉田　浩 ,  池田　昌夫 ,  内田　史朗 ,  丹下　貴志 ,  倉本　大 ,  有持　祐之 ,  楊　輝 ,  陸　書龍 ,  鄭　新和

IPC分类号： H01L31/0735 ,  H01L31/0725 ,  H01S5/40

CPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0735 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18325 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4043 ,  Y02E10/544

摘要： 　接合部の接触抵抗を低減し、高効率なエネルギー変換が可能な多接合型太陽電池を提供する。多接合型太陽電池は、複数の化合物半導体層１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃが積層されて成る副セル１１，１２，１３，１４の複数が、積層されて成り、隣接する副セル１２，１３の間の少なくとも１箇所には、導電材料から成る非晶質の接続層２０Ａ，２０Ｂが設けられている。

摘要翻译： 提供了能够通过降低接点处的接触电阻而进行有效的能量转换的多结太阳能电池。 通过层叠多个子电池（11,12,13,14）来形成多结太阳能电池，每个子电池通过层叠多个化合物半导体层（11A，11B，11C，12A，12B）而形成 ，12C，13A，13B，13C，14A，14B，14C），并且至少在相邻子单元（12,13）之间的一个位置处设置由导电材料制成的非晶体连接层（20A，20B）。

公开(公告)号：WO2011068459A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：PCT/SE2010/051326

申请日：2010-12-01

申请人： EKKLIPPAN AB ,  SILFVENIUS, Christofer ,  SWILLO, Marcin

发明人： SILFVENIUS, Christofer ,  SWILLO, Marcin

IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L27/15 ,  H01L31/0232 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40

CPC分类号： H01S5/026 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/12007 ,  G02B2006/12107 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/22

摘要： Integrated chip (1) for data or telecommunication or optical analysis for one, two or more wavelengths, wherein the chip (1) has a basic structure which is identical, from a carrier and upwards over the entire surface of the chip, wherein waveguides are formed at the upper surface of the chip (1) by way of the basic structure being etched down so that protruding waveguides (2; 4; 5) are formed, and wherein the chip (1) comprises monolithically integrated components. The invention is characterized in that a ditch (7) is etched down along at least one of the sides of one of the waveguides and down to an etch depth that is at least so large so as to achieve a ditch that is optically isolating.

摘要翻译： 用于一个，两个或更多个波长的数据或电信或光学分析的集成芯片（1），其中芯片（1）具有与载体相同的基本结构，并且在芯片的整个表面上向上，其中波导是 形成在所述芯片（1）的上表面，借助被蚀刻的基本结构，形成突出的波导（2; 4; 5），并且其中所述芯片（1）包括单片集成的部件。 本发明的特征在于，沿着一个波导的至少一个侧面向下蚀刻沟（7），并且至少至少大到蚀刻深度，以便实现光学隔离的沟。

公开(公告)号：WO2011068458A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：PCT/SE2010/051325

申请日：2010-12-01

申请人： EKKLIPPAN AB ,  SILFVENIUS, Christofer ,  SWILLO, Marcin

发明人： SILFVENIUS, Christofer ,  SWILLO, Marcin

IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L27/15 ,  H01L31/0232 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40

CPC分类号： H01S5/026 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/12007 ,  G02B2006/12107 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/22

摘要： Integrated chip (1) for data or telecommunication or optical analysis for concurrent emission over at least one wavelength and receiving over at least one other wavelength, wherein the chip (1) has a basic structure which is identical, from a carrier and upwards over the entire surface of the chip (1), wherein waveguides are formed at the upper surface of the chip by way of the basic structure being etched down so that the protruding waveguides (2; 4; 5) are formed, and wherein the chip (1) comprises monolithically integrated components. The invention is characterized in that the chip (1) comprises a wavelength selective optical coupler (6), a grating based laser (41) attached to the coupler (6), a light detector (51) attached to the coupler (6) and a wavelength specific, grating based filter (52), in that both the laser (41) and the filter (52) are produced from the same monolithic basic structure, whereby the properties of the laser (41) and the filter (52) are altered in corresponding way as function of temperature, and in that the filter (52) is arranged between the laser (41) and the light detector (51) and is also opaque to the wavelengths emitted by the laser (41).

摘要翻译： 用于数据或电信或光学分析的集成芯片（1），用于在至少一个波长上的并发发射并且在至少一个其它波长上接收，其中所述芯片（1）具有与载波相同的基本结构， 芯片（1）的整个表面，其中波导通过被蚀刻的基本结构形成在芯片的上表面处，使得形成突出的波导（2; 4; 5），并且其中芯片（1） ）包括单片集成组件。 本发明的特征在于，芯片（1）包括波长选择性光耦合器（6），附接到耦合器（6）的基于光栅的激光器（41），附接到耦合器（6）的光检测器（51） 波长特定的基于光栅的滤光器（52），其中激光器（41）和滤光器（52）都由相同的单片基础结构产生，由此激光器（41）和滤光片（52）的性质是 以相应的方式作为温度变化，并且滤光器（52）布置在激光器（41）和光检测器（51）之间，并且对于由激光器（41）发射的波长也是不透明的。

公开(公告)号：WO2007002024A3

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/US2006023889

申请日：2006-06-20

申请人： BINOPTICS CORP

发明人： BEHFAR ALEX A ,  SCHREMER ALFRED T ,  STAGARESCU CRISTIAN B ,  NLN VAINATEYA NMI

IPC分类号： H01S5/02 ,  C30B25/04 ,  H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/0201 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/028 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

摘要： A process for fabricating lasers capable of emitting blue light wherein a GaN wafer is etched to form laser waveguides and mirrors using a temperature of over 500 °C and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE.

摘要翻译： 一种制造能够发射蓝光的激光的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束蚀刻GaN晶片以形成激光波导和反射镜。

公开(公告)号：WO2008135903A2

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：PCT/IB2008/051648

申请日：2008-04-29

申请人： PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  BAIER, Johannes ,  MOENCH, Holger

发明人： BAIER, Johannes ,  MOENCH, Holger

CPC分类号： G01B9/02092 ,  H01S3/1062 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/0607 ,  H01S5/141 ,  H01S5/142 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187

摘要： The present invention relates to a laser sensor for self-mixing interferometry. The laser sensor comprises at least one semiconductor laser light source emitting laser radiation and at least one photodetector (6) monitoring the laser radiation of the laser light source. The laser light source is a VECSEL having a gain medium (3) arranged in a layer structure (15) on a front side of a first end mirror (4), said first end mirror (4) forming an external cavity with an external second end mirror (5). The proposed laser sensor provides an increased detection range and can be manufactured in a low-cost production process.

摘要翻译： 本发明涉及用于自混合干涉测量的激光传感器。 激光传感器包括发射激光辐射的至少一个半导体激光光源和监测激光光源的激光辐射的至少一个光电探测器（6）。 激光光源是具有在第一端镜（4）的前侧上布置成层状结构（15）的增益介质（3）的VECSEL，所述第一端镜（4）形成外部空腔 端镜（5）。 所提出的激光传感器提供了增加的检测范围，并且可以以低成本的生产过程制造。

公开(公告)号：WO2007035521A2

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：PCT/US2006/036093

申请日：2006-09-15

申请人： FINISAR CORPORATION ,  TATUM, Jimmy, A. ,  GUENTER, James, K.

发明人： TATUM, Jimmy, A. ,  GUENTER, James, K.

IPC分类号： H04J14/08

CPC分类号： G02B6/4246 ,  G02B6/4201 ,  G09G5/006 ,  G09G2370/12 ,  G09G2370/18 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/3095 ,  H04B10/801 ,  H04J14/08

摘要： Simplified laser drivers for closed path digital optical cables and digital optical cables including the simplified laser drivers. The laser driver can include less transistors than conventional laser drivers for optical communication cables. The laser can include a bias source and modulation source, The bias source can have a single constant current bias point for all laser diodes. The modulation current source can have a single temperature coefficient for all laser diodes. The laser driver can exclude, for example, any one of or combination of temperature compensation of the modulation or bias current sources, external programming of the modulation or bias current sources, power control based on output of the laser diode, and/or control based on feedback received from a monitor device or other sensor within the cables.

摘要翻译： 用于闭路数字光缆和数字光缆的简化激光驱动器，包括简化的激光驱动器。 激光驱动器可以包括比用于光通信电缆的常规激光驱动器更少的晶体管。 激光器可以包括偏置源和调制源。偏置源可以为所有激光二极管提供单个恒定电流偏置点。 调制电流源可以具有所有激光二极管的单一温度系数。 激光驱动器可以例如排除调制或偏置电流源的温度补偿中的任何一种或组合，调制或偏置电流源的外部编程，基于激光二极管的输出的功率控制和/或基于 在来自监视器装置或电缆内的其他传感器的反馈。

公开(公告)号：WO2006031412A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：PCT/US2005/030413

申请日：2005-08-26

申请人： INTEL CORPORATION ,  XU, Lee ,  CREWS, Darren

发明人： CREWS, Darren

IPC分类号： H04B10/155

CPC分类号： G02B6/4249 ,  G02B6/4292 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/423

摘要： A parallel optics module including singulated dies (114). A first singulated die includes a first semiconductor optical component, and a second die includes a second semiconductor optical component. The first and second dies are mounted to a substrate (112). The first and second dies to be integrated into a parallel optics module.

摘要翻译： 一种并行光学模块，包括单个模具（114）。 第一分割裸片包括第一半导体光学部件，第二裸片包括第二半导体光学部件。 第一和第二模具安装到基板（112）上。 第一和第二模具被集成到并行光学模块中。

公开(公告)号：WO0124328A9

公开(公告)日：2002-09-19

申请号：PCT/US0022771

申请日：2000-08-18

申请人： AGILITY COMMUNICATIONS INC ,  FISH GREGORY ,  COLDREN LARRY

发明人： FISH GREGORY ,  COLDREN LARRY

IPC分类号： G02F1/025 ,  C40B30/04 ,  G01N33/68 ,  G02F2/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S5/50 ,  H04B10/17

CPC分类号： C40B30/04 ,  B82Y20/00 ,  G01N33/6845 ,  G01N2500/10 ,  G02F1/025 ,  G02F2201/16 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/06253 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1243 ,  H01S5/3414 ,  H01S5/50 ,  H01S5/5018 ,  H04B10/2914

摘要： A method of converting an optical wavelength includes providing a wavelength converter assembly with a photodetector and a laser with a common epitaxial structure. The epitaxial structure has areas of differing bandgap. An optical input having a first wavelength at the wavelength converter assembly is absorbed. A first electrical signal is generated from the photodetector in response to the optical input. The first electrical signal is conditioned to produce a conditioned first electrical signal. A second electrical signal is generated from the conditioned first electrical signal. A laser output is generated from a gain medium of the laser at a second wavelength in response to the second electrical signal.

摘要翻译： 一种转换光波长的方法包括：提供具有光电检测器和具有公共外延结构的激光器的波长转换器组件。 外延结构具有不同带隙的区域。 在波长转换器组件处具有第一波长的光输入被吸收。 响应于光输入，从光电检测器产生第一电信号。 调节第一电信号以产生经调节的第一电信号。 从经调节的第一电信号产生第二电信号。 响应于第二电信号，从第二波长的激光器的增益介质产生激光输出。