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    ２－フルオロブタンの精製方法
    2.
    发明申请
    ２－フルオロブタンの精製方法 审中-公开
    纯化2-氟菊酯的方法

    公开(公告)号：WO2015008781A1

    公开(公告)日：2015-01-22

    申请号：PCT/JP2014/068886

    申请日：2014-07-16

    Applicant: 日本ゼオン株式会社

    Inventor： 杉本　達也

    IPC: C07C17/395 ,  C07C17/383 ,  C07C19/08

    CPC classification number: C07C17/395 ,  C07C17/013 ,  C07C17/02 ,  C07C17/383 ,  C07C19/08

    Abstract: 　本発明は、ブテン類を５～５０重量％含有する粗２－フルオロブタンを、非プロトン性極性溶媒中、水又は炭素数４以下のアルコール存在下、ブロモニウムイオンを形成しうる臭素化剤とブテン類とを接触させて、ブテン類を２－フルオロブタンよりも高沸点化合物に変換後、反応液から２－フルオロブタンを回収し、さらに、回収された２－フルオロブタンを蒸留精製する工程から成るプロセスを経ることで、高度に精製された２－フルオロブタンを得る２－フルオロブタンの精製方法である。

    Abstract translation: 本发明是一种通过包括以下步骤的方法纯化2-氟丁烷以获得高度纯化的2-氟丁烷的方法，该方法包括以下步骤：将含有5-50重量％丁烯的粗2-氟丁烷在非质子极性溶剂中与丁烯接触 和能够在具有四个或更少碳原子的水或醇的存在下形成溴鎓离子的溴化剂; 将丁烯转化成沸点高于2-氟丁烷的化合物，然后从反应溶液中回收2-氟丁烷; 并通过蒸馏纯化回收的2-氟丁烷。

    （Ｅ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペンの製造方法
    3.
    发明申请
    （Ｅ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペンの製造方法 审中-公开
    （E）-1-氯代-3,3,3-三氟苯酚的制备方法

    公开(公告)号：WO2013069390A1

    公开(公告)日：2013-05-16

    申请号：PCT/JP2012/075605

    申请日：2012-10-03

    Applicant: セントラル硝子株式会社

    Inventor： 岡本　正宗 ,  井村　英明 ,  高田　直門 ,  早坂　達哉

    IPC: C07C17/395 ,  C07C17/383 ,  C07C21/18

    CPC classification number: C07C17/23 ,  C07B2200/09 ,  C07C17/383 ,  C07C17/395 ,  C07C21/18

    Abstract: 　本発明によれば、少なくともフッ化水素と２－クロロ－１，１，１，３，３－ペンタフルオロプロパンを含む（Ｅ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン（ＯＦ－１２３３Ｅ）組成物を弱塩基と接触させる工程を含む（Ｅ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン組成物の精製方法、および、その精製方法で得られた（Ｅ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン組成物を蒸留に付す工程を含む（Ｅ）－１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペンの製造方法が提供される。該方法により、蒸留困難な新たな成分を生じることなく、ＯＦ－１２３３Ｅ組成物からフッ化水素を除去して、得られた組成物を蒸留することで、効率的にＯＦ－１２３３Ｅを製造することができる。

    Abstract translation: 本发明提供：（E）-1-氯-3,3,3-三氟丙烯（OF-1233E）组合物的纯化方法，其包括使（E）-1-氯-3,3， 至少含有氟化氢和2-氯-1,1,1,3,3-五氟丙烷的3-三氟丙烯组合物与弱碱接触; 和（E）-1-氯-3,3,3-三氟丙烯的制备方法，包括使由纯化方法制备的（E）-1-氯-3,3,3-三氟丙烯组合物进行蒸馏 。 通过从OF-1233E组合物中除去氟化氢并蒸馏得到的组合物，该方法可以有效地生产OF-1233E而不产生几乎不被蒸馏的任何新组分。

    精製モノフルオロメタンの製造方法
    4.
    发明申请
    精製モノフルオロメタンの製造方法 审中-公开
    生产纯化单氟代甲烷的方法

    公开(公告)号：WO2012077561A1

    公开(公告)日：2012-06-14

    申请号：PCT/JP2011/077745

    申请日：2011-12-01

    Applicant: セントラル硝子株式会社 ,  岡本 正宗 ,  高田 直門 ,  井村 英明

    Inventor： 岡本　正宗 ,  高田　直門 ,  井村　英明

    IPC: C07C17/395 ,  C07C19/08

    CPC classification number: C07C17/395 ,  C07C19/08

    Abstract: 　本発明の精製モノフルオロメタンの製造方法は、トリフルオロメタンを少なくとも含有する粗モノフルオロメタンを下記一般式（１）で表されるアミドおよび塩基を含むトリフルオロメタン処理液と接触させる処理工程を含む。 （式中、Ｒ 1 、Ｒ 2 およびＲ 3 は、それぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、環炭素は酸素原子、窒素原子もしくは硫黄原子で置換してもよい。） 該処理工程により、沸点が近接して蒸留では効率的に分離することのできないトリフルオロメタン含有モノフルオロメタンから実質上トリフルオロメタンを含まないモノフルオロメタンを得ることができる。

    Abstract translation: 该纯化单氟甲烷的制造方法包括将含有至少三氟甲烷的粗一氟甲烷与含有通式（1）表示的酰胺和碱的三氟甲烷处理流体接触的处理工序。 在通式中，R 1，R 2和R 3各自独立地为氢原子或烷基，或者可以彼此键合形成环，其中环碳原子可被氧原子，氮原子或硫原子代替 。 通过处理步骤，可以从含三氟甲烷的一氟甲烷获得基本上不含三氟甲烷的单氟甲烷。 顺便提及，三氟甲烷的沸点接近于单氟甲烷的沸点，因此两者不能通过蒸馏有效分离。

    SELECTIVELY REACTING OLEFINS HAVING A TERMINAL CF2 GROUP IN A MIXTURE
    5.
    发明申请
    SELECTIVELY REACTING OLEFINS HAVING A TERMINAL CF2 GROUP IN A MIXTURE 审中-公开
    具有末端CF2基团的混合物的选择性反应烯烃

    公开(公告)号：WO2007123786A1

    公开(公告)日：2007-11-01

    申请号：PCT/US2007/008050

    申请日：2007-04-03

    Applicant: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY ,  NAPPA, Mario, Joseph ,  SIEVERT, Allen, Capron ,  DELYAGINA, Nina, Ivanovna ,  CHERSTKOV, Victor, Filippovich

    Inventor： NAPPA, Mario, Joseph ,  SIEVERT, Allen, Capron ,  DELYAGINA, Nina, Ivanovna ,  CHERSTKOV, Victor, Filippovich

    IPC: C07C17/395 ,  C07C21/18

    CPC classification number: C07C17/395 ,  C07C303/24 ,  C07C305/06

    Abstract: A process is disclosed for reducing the mole ratio of (1) compounds of the formula Y 1 Y 2 C=CF 2 wherein Y 1 and Y 2 are each independently H, F, CI, Br, C 1 -C 6 alkyl or C 1 -C 6 haloalkyl containing no more than 3 chlorine substituents, 2 bromine substituents and 1 iodo substituent to (2) saturated compounds of the formula C d H e F f CI g Br h I k wherein d is an integer from 1 to 10, and e+f+g+h+k is equal to 2d+2, provided that g is 0, 1, 2 or 3, h is 0, 1 or 2 and k is 0 or 1 and/or unsaturated compounds of the formula Y 3 Y 4 C=CY 5 Y 6 , wherein Y 3 , Y 5 and Y 6 are each independently H, F, CI Br, C1-C6 alkyl or C1-C6 haloalkyl containing no more than 3 chlorine substituents, 2 bromine substituents and 1 iodo substituent, provided that Y 5 and Y 6 are not both F, and Y 4 is C 1 -C 6 alkyl or C 1 -C 6 haloalkyl containing no more than 3 chlorine substituents, 2 bromine substituents and 1 iodo substituent, in a mixture. The process involves contacting the mixture with at least one selective removal agent selected from the group consisting of SO 3 and RSO 3 H, wherein R is selected from the group consisting of F, CI, OH, C 1 -C 8 alkyl, C 1 -C 8 fluoroalkyl, and C 1 -C 8 fluoroalkoxyalkyl containing no more than two ether oxygens to selectively react the formula Y 1 Y 2 C=CF 2 compounds.

    Abstract translation: 公开了一种降低式（1）化合物的摩尔比的方法，其中Y 2 C = CF 2 > 1和Y 2各自独立地为H，F，Cl，Br，C 1 -C 6烷基或C 1 -C 6烷基， 含有不多于3个氯取代基，2个溴取代基和1个碘取代基的（3）C 1 -C 6卤代烷基，（2）式C d的饱和化合物 其中d是一个或多个，其中d是一个或多个 如果g为0,1,2或3，则h为0,1或2，且k为0或1，和/或1为1，并且e + f + g + h + 或下式的不饱和化合物：其中Y 1，Y 2，X 3，X 3， 3，Y 5和Y 6各自独立地为H，F，Cl Br，C 1 -C 6烷基或含有不超过3个氯的C 1 -C 6卤代烷基 取代基，2个溴取代基和1个碘取代基，条件是Y 5和Y 6是n F和Y都是C 1 -C 6 -C 6烷基或C 1 -C 6烷基， 6个含有不超过3个氯取代基的卤代烷基，2个溴取代基和1个碘取代基。 该方法包括使混合物与选自SO 3 3和RSO 3 H的至少一种选择性去除剂接触，其中R选自F ，Cl，OH，C 1 -C 8烷基，C 1 -C 8氟烷基，C 1 -C 8 - 含有不超过两个醚氧的亚烷基-C 8氟烷氧基烷基选择性地使式Y 1→2→C = CF 2 CO 2化合物。

    PROCESS FOR PRODUCING HEXAFLUOROETHANE AND USE THEREOF
    6.
    发明申请
    PROCESS FOR PRODUCING HEXAFLUOROETHANE AND USE THEREOF 审中-公开
    生产六氟乙烷的方法及其用途

    公开(公告)号：WO2005019141A3

    公开(公告)日：2005-05-12

    申请号：PCT/JP2004011709

    申请日：2004-08-09

    Applicant: SHOWA DENKO KK ,  OHNO HIROMOTO ,  ARAI TATSUHARU

    Inventor： OHNO HIROMOTO ,  ARAI TATSUHARU

    IPC: C11D7/30 ,  B01J23/26 ,  C07B61/00 ,  C07C17/10 ,  C07C17/20 ,  C07C17/21 ,  C07C17/354 ,  C07C17/383 ,  C07C17/395 ,  C07C19/08 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: C07C19/08 ,  B01J23/26 ,  B01J37/0009 ,  C07C17/10 ,  C07C17/206 ,  C07C17/21 ,  C07C17/383 ,  C07C17/395 ,  C07C19/12

    Abstract: A process for producing hexafluoroethane, comprising a step of distilling a crude hexafluoroethane containing chlorine compounds each having two carbon atoms to distill out hexafluoroethane as a top flow from the top of a distillation column and separate a hexafluoroethane mixture containing the chlorine compounds as a bottom flow from the bottom, and a step of contacting the bottom flow with hydrogen fluoride in the gas phase at a temperature of 300 to 500 °C in the presence of a fluorination catalyst to fluorinate the chlorine compounds. This process provides hexafluoroethane which can be used mainly as a cleaning gas in the production process of a semiconductor device.

    Abstract translation: 6.一种六氟乙烷的制造方法，其特征在于，包括：蒸馏含有各自具有2个碳原子的氯化合物的粗六氟乙烷，从蒸馏塔的塔顶馏出六氟乙烷，作为塔底流分离含氯化合物的六氟乙烷混合物的工序 以及在氟化催化剂存在下，在300-500℃的温度下使气流中的氟化氢与氟化氢接触以氟化氯化合物的步骤。 该方法提供了六氟乙烷，其可以主要用作半导体器件生产过程中的清洁气体。

    PROCESS FOR PURIFYING OCTAFLUOROCYCLOBUTANE, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, AND USE THEREOF
    8.
    发明申请
    PROCESS FOR PURIFYING OCTAFLUOROCYCLOBUTANE, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, AND USE THEREOF 审中-公开
    净化OCTAFLUOROCYCLOBUTANE的方法，其制备方法及其用途

    公开(公告)号：WO02055458A2

    公开(公告)日：2002-07-18

    申请号：PCT/JP2002/000148

    申请日：2002-01-11

    IPC: C07C17/269 ,  C07C17/389 ,  C07C17/395 ,  C07C23/06 ,  H01L21/3065 ,  C11D7/50

    CPC classification number: C07C23/06 ,  C07C17/269 ,  C07C17/389 ,  C07C17/395

    Abstract: A process for purifying octafluorocyclobutane according to the present invention is characterized by contacting a crude octafluorocyclobutane containing impurities with an impurity decomposing agent under elevated temperature and then with an adsorbent to substantially remove the impurities from the crude octafluorocyclobutane. According to the purification process or preparation process of octafluorocyclobutane of the present invention, the impurities such as fluorocarbon can be substantially removed and a high-purity octafluorocyclobutane can be easily obtained. The octafluorocyclobutane obtained by the purification process of the present invention is substantially free of impurities and therefore, can be used as an etching or cleaning gas for use in the production process of a semiconductor device or the like.

    Abstract translation: 根据本发明的纯化八氟环丁烷的方法的特征在于使含有杂质的粗八氟环丁烷与杂质分解剂在升高的温度下接触，然后与吸附剂接触以从粗八氟环丁烷中基本上除去杂质。 根据本发明的八氟环丁烷的纯化方法或制备方法，可以基本除去碳氟化合物等杂质，容易得到高纯度的八氟环丁烷。 通过本发明的纯化方法获得的八氟环丁烷基本上不含杂质，因此可以用作半导体装置等的制造方法中使用的蚀刻或清洗气体。

    PROCESS FOR PURIFYING OCTAFLUOROPROPANE, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, AND USE THEREOF
    9.
    发明申请
    PROCESS FOR PURIFYING OCTAFLUOROPROPANE, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, AND USE THEREOF 审中-公开
    净化OCTAFLORORROPANE的方法，其制备方法及其用途

    公开(公告)号：WO02055457A2

    公开(公告)日：2002-07-18

    申请号：PCT/JP2002/000147

    申请日：2002-01-11

    IPC: C01B7/00 ,  C07C17/04 ,  C07C17/389 ,  C07C17/395 ,  C07C19/08 ,  C11D7/50 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: C07C19/08 ,  C07C17/04 ,  C07C17/389 ,  C07C17/395

    Abstract: A process for purifying octafluoropropane according to the present invention comprises the step of contacting a crude octafluoropropane containing impurities with an impurity decomposing agent under elevated temperature and then with an adsorbent to substantially remove the impurities from the crude octafluoropropane. According to the pruification process or preparation process of octafluoropropane of the present invention, the impurities such as chlorine compounds can be substantially removed and a high-purity octafluoropropane can be easily obtained. The octafluoropropane obtained by the purification process of the present invention is substantially free of impurities and therefore, can be used as an etching or cleaning gas for use in the production process of a semiconductor device and the like.

    Abstract translation: 根据本发明的纯化八氟丙烷的方法包括使含有杂质的粗八氟丙烷与杂质分解剂在升高的温度下接触，然后与吸附剂接触以从粗八氟丙烷基本上除去杂质的步骤。 根据本发明的八氟丙烷的制备方法或制备方法，可以基本除去氯化合物等杂质，容易得到高纯度的八氟丙烷。 通过本发明的纯化方法获得的八氟丙烷基本上不含杂质，因此可以用作半导体装置等的制造方法中使用的蚀刻或清洗气体。

    PHOSPHITE COKE INHIBITORS FOR EDC-VCM FURNACES
    10.
    发明申请
    PHOSPHITE COKE INHIBITORS FOR EDC-VCM FURNACES 审中-公开
    EDC-VCM炉的磷酸盐焦化抑制剂

    公开(公告)号：WO02014454A1

    公开(公告)日：2002-02-21

    申请号：PCT/US2001/020870

    申请日：2001-06-29

    IPC: C07C17/25 ,  C07C17/395 ,  C07C17/42 ,  C07C21/06 ,  C10G9/16 ,  C10G75/04

    CPC classification number: C10G9/16 ,  C07C17/25 ,  Y10S585/95 ,  C07C21/06

    Abstract: A method of reducing the formation of coke deposits on the heat-transfer surfaces of an ethylene dichloride to vinyl chloride pyrolysis furnace comprising exposing the heat transfer surfaces of said pyrolysis furnace to a phosphite selected from the group consisting of phosphites with the general formula: wherein A1, A2 and A3 are selected from the group consisting of OR1, -SR2 and Cl, wherein R1 and R2 are selected from the group consisting of alkyl, aryl, alkylaryl and arylalkyl, wherein A1, A2 and A3 may be the same or different, provided that at least one of A1, A2, and A3 is not Cl.

    Abstract translation: 一种减少在二氯乙​​烯的热转移表面上形成氯乙烯热解炉的焦炭沉积物的方法，包括将所述热解炉的传热表面暴露于选自亚磷酸酯的亚磷酸酯，其通式为：其中 A1，A2和A3选自OR1，-SR2和C1，其中R1和R2选自烷基，芳基，烷基芳基和芳烷基，其中A1，A2和A3可以相同或不同 只要A1，A2和A3中的至少一个不是Cl。

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