公开(公告)号：WO2007102781A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：PCT/SE2007/050131

申请日：2007-03-07

Applicant: QuNano AB ,  MANDL, Bernhard ,  SAMUELSON, Lars ,  MÅRTENSSON, Thomas ,  SEIFERT, Werner ,  MIKKELSEN, Anders

Inventor： SAMUELSON, Lars ,  MÅRTENSSON, Thomas ,  SEIFERT, Werner ,  MIKKELSEN, Anders

IPC: B82B3/00 ,  C30B25/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: C30B25/04 ,  B01J21/08 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/62 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/201

Abstract: The present invention relates to epitaxial growth of nanowires on a substrate. In particular the invention relates to growth of nanowires on an Si-substrate without using Au as a catalyst. In the method according to the invention an oxide template is provided on a passivated surface of the substrate. The oxide template defines a plurality of nucleation onset positions for subsequent nanowire growth. According to one embodiment a thin organic film is used to form the oxide template.

Abstract translation: 本发明涉及纳米线在衬底上的外延生长。 特别地，本发明涉及在不使用Au作为催化剂的情况下在Si衬底上生长纳米线。 在根据本发明的方法中，在衬底的钝化表面上提供氧化物模板。 氧化物模板定义了随后的纳米线生长的多个成核起始位置。 根据一个实施方案，使用薄的有机膜来形成氧化物模板。

公开(公告)号：WO2002090625A1

公开(公告)日：2002-11-14

申请号：PCT/GB2002/001980

申请日：2002-04-30

Applicant: BTG INTERNATIONAL LIMITED ,  SEIFERT, Werner

Inventor： SEIFERT, Werner

IPC: C30B25/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B23/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: A method of producing a very large area germanium layer on a silicon substrate, comprises forming an initial layer of germanium on the silicon substrate such that rounded S-K protuberances are produced by lattice mismatch. Oxidation produces silicon dioxide between the protuberances, and a subsequent reduction step exposes the tops of the protuberances. Since the top regions are almost perfectly relaxed and free of stress, these form nucleation sites for the subsequent growth of a final layer of germanium, formed as single crystals each extending from a nucleation site.

Abstract translation: 一种在硅衬底上制造非常大面积的锗层的方法，包括在硅衬底上形成初始锗层，使得通过晶格失配产生圆形的S-K突起。 氧化在突起之间产生二氧化硅，随后的还原步骤暴露突起的顶部。 由于顶部区域几乎完全松弛并且没有应力，因此这些形成了用于随后生长的锗的最终层的成核位点，其形成为从成核位点延伸的单晶。

公开(公告)号：WO2008085129A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：PCT/SE2008/050036

申请日：2008-01-14

Applicant: QUNANO AB ,  SEIFERT, Werner ,  ASOLI, Damir

Inventor： SEIFERT, Werner ,  ASOLI, Damir

IPC: H01L21/20 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C30B25/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/20 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  Y10S977/932

Abstract: The present invention relates to the growing of nitride semiconductors, applicable for a multitude of semiconductor devices such as diodes, LEDs and transistors. According to the method of the invention nitride semiconductor nanowires are grown utilizing a CVD based selective area growth technique. A nitrogen source and a metal-organic source are present during the nanowire growth step and at least the nitrogen source flow rate is continuous during the nanowire growth step. The V/III-ratio utilized in the inventive method is significantly lower than the V/III-ratios commonly associated with the growth of nitride based semiconductor.

Abstract translation: 本发明涉及适用于诸如二极管，LED和晶体管的众多半导体器件的氮化物半导体的生长。 根据本发明的方法，利用基于CVD的选择性区域生长技术生长氮化物半导体纳米线。 在纳米线生长步骤期间存在氮源和金属有机源，并且在纳米线生长步骤期间至少氮源流速是连续的。 在本发明方法中使用的V / III比显着低于通常与氮化物基半导体的生长相关的V / III比。

公开(公告)号：WO2005078167A2

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/GB2005000390

申请日：2005-02-04

Applicant: BTG INT LTD ,  SEIFERT WERNER ,  SAMUELSON LARS IVAR ,  OHLSSON BJORN JONAS ,  BORGSTROM LARS MAGNUS

Inventor： SEIFERT WERNER ,  SAMUELSON LARS IVAR ,  OHLSSON BJORN JONAS ,  BORGSTROM LARS MAGNUS

IPC: B01J23/52 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/60 ,  C30B29/62 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B11/12 ,  B01J23/52 ,  B82Y30/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  C30B29/62 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  Y10S977/825

Abstract: Nanowhiskers are grown in a non-preferential growth direction by regulation of nucleation conditions to inhibit growth in a preferential direction. In a preferred implementation, III-V semiconductor nanowhiskers are grown on an (001) III-V semiconductor substrate surface by effectively inhibiting growth in the preferential B direction. As one example, InP nano-wires were grown by metal-organic vapor phase epitaxy directly on (001) InP substrates. Characterization by scanning electron microscopy and transmission electron microscopy revealed wires with nearly square cross sections and a perfect zincblende crystalline structure that is free of stacking faults.

Abstract translation: 纳米晶须通过调节成核条件在非优先生长方向生长，以抑制生长在优先方向。 在优选的实施方案中，通过有效地抑制优先的111B方向的生长，在（001）III-V半导体衬底表面上生长<001> III-V半导体纳米晶须。 作为一个示例，通过直接在（001）InP衬底上的金属 - 有机气相外延生长<001> InP纳米线。 通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜的表征显示具有近似正方形截面的线和完全的闪锌矿晶体结构，其没有堆垛层错。

公开(公告)号：WO2005078167A3

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/GB2005/000390

申请日：2005-02-04

Applicant: BTG INTERNATIONAL LIMITED ,  SEIFERT, Werner ,  SAMUELSON, Lars, Ivar ,  OHLSSON, Bjorn, Jonas ,  BORGSTROM, Lars, Magnus

Inventor： SEIFERT, Werner ,  SAMUELSON, Lars, Ivar ,  OHLSSON, Bjorn, Jonas ,  BORGSTROM, Lars, Magnus

IPC: C30B11/12

Abstract: Nanowhiskers are grown in a non-preferential growth direction by regulation of nucleation conditions to inhibit growth in a preferential direction. In a preferred implementation, III-V semiconductor nanowhiskers are grown on an (001) III-V semiconductor substrate surface by effectively inhibiting growth in the preferential B direction. As one example, InP nano-wires were grown by metal-organic vapor phase epitaxy directly on (001) InP substrates. Characterization by scanning electron microscopy and transmission electron microscopy revealed wires with nearly square cross sections and a perfect zincblende crystalline structure that is free of stacking faults.

公开(公告)号：WO2012152374A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：PCT/EP2012/001690

申请日：2012-04-19

Applicant: FETTE COMPACTING GMBH ,  HÜBNER, Kai ,  SEIFERT, Werner

Inventor： HÜBNER, Kai ,  SEIFERT, Werner

IPC: B30B11/00 ,  B30B11/08 ,  B30B15/00

CPC classification number: B30B11/006 ,  B30B11/005 ,  B30B11/08

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Druckeinrichtung für eine Presse, insbesondere für eine Rundläuferpresse, wobei die Druckeinrichtung dazu ausgebildet ist, im Betrieb der Presse mit mindestens einem Pressstempel der Presse zusammenzuwirken, so dass der mindestens eine Pressstempel in einer Aufnahme befindliches Material verpresst, wobei die Druckeinrichtung eine Kraftmesseinrichtung zur Messung der von dem mindestens einen Pressstempel auf die Druckeinrichtung ausgeübten Kraft umfasst, wobei zumindest ein Abschnitt der Druckeinrichtung zwischen einer geschlossenen Betriebsposition und einer geöffneten Wartungsposition bewegbar ist, und wobei die Kraftmesseinrichtung in der geöffneten Wartungsposition von außen zumindest teilweise zugänglich ist. Die Erfindung betrifft außerdem eine Rundläuferpresse.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于按一个打印装置，特别是，一种轮转印刷机，其中所述打印装置适于在压与压中的至少一个压头的操作，以协同操作，以使得所述至少一个在一个接收压缩的材料挤压活塞容纳在其中，所述打印装置包括 包括力测量装置，用于测量由所述至少一个按压在打印装置上压头所施加的力，其特征在于，一关闭的工作位置和一打开的维护位置之间是指至少所述印刷的一部分是可移动的，并且其中所述测力装置处于打开维护位置是至少部分地从外部进入。 本发明还涉及一种轮转印刷机。

公开(公告)号：WO2012152370A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：PCT/EP2012/001686

申请日：2012-04-19

Applicant: FETTE COMPACTING GMBH ,  SCHMIDT, Ingo ,  SEIFERT, Werner ,  JANKE, Annett

Inventor： SCHMIDT, Ingo ,  SEIFERT, Werner ,  JANKE, Annett

IPC: B30B11/00 ,  B30B11/08

CPC classification number: B30B15/00 ,  B30B11/005 ,  B30B11/08 ,  B30B15/148 ,  B30B15/302

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Presse, insbesondere eine Rundläuferpresse, umfassend ein Pressengehäuse, in dem mehrere Betriebskomponenten der Presse angeordnet sind, weiter umfassend Leistungskomponenten, die die Betriebskomponenten zum Betrieb mit elektrischer Energie versorgen und umfassend Steuerungskomponenten, die mit den Betriebskomponenten Steuer- und/oder Messsignale und mit den Leistungskomponenten Steuersignale austauschen, wobei die Leistungskomponenten getrennt von den Steuerungskomponenten in einem Leistungsgehäuse angeordnet sind, welches wahlweise an oder in dem Pressengehäuse oder außerhalb des Pressengehäuses und getrennt von diesem angeordnet werden kann.

Abstract translation: 本发明涉及一种压机，特别是旋转机，包括一压机壳体，其中多个压力机的操作组件的布置，还包括：提供操作系统组件来与控制和/或测量信号的操作部件操作的电功率，并且包括控制部件的功率元件 和与所述功率组件的控制信号交换，所述功率组件被分别从在电源壳体的控制部件，其可任选上或在按壳体或外压壳体的布置和从中分离设置。