公开(公告)号：WO2020127442A3

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/EP2019/085883

申请日：2019-12-18

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH

发明人： BECKER, Martin ,  RUDZKI, Jacek ,  EISELE, Ronald ,  OSTERWALD, Frank ,  BASTOS ABIBE, André

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L21/60

摘要： A semiconductor module having a semiconductor and a housing (100) enclosing the semiconductor, wherein the housing is made of an electrically conductive material and has a recess (30) occupied by the semiconductor, wherein the side of the semiconductor opposite the recess (30) is coplanar with the surface of the housing (100) having the recess (30). The housing (100) may have an opening which communicates with the recess (30) to make the control terminal of the semiconductor accessible from outside the housing (100). The control terminal may be connected to the corresponding control terminal on a substrate (200) through a bond wire (300).

公开(公告)号：WO2018007062A1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：PCT/EP2017/061645

申请日：2017-05-15

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH

发明人： EISELE, Ronald ,  OSTERWALD, Frank ,  MÜHLFELD, Ole ,  BEER, Holger

IPC分类号： H01L25/07

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A power module (10) having at least two mutually electrically insulating layer, arranged one on top of the other, of conductor tracks (40, 60) conducting anti-parallel currents.

摘要翻译： 功率模块（10）具有至少两个相互电绝缘的层，一个位于另一个之上地布置有导电反向并联电流的导体线路（40,60）。

公开(公告)号：WO2016184645A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/EP2016/059236

申请日：2016-04-26

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH

发明人： OSTERWALD, Frank ,  BICAKCI, Aylin ,  EISELE, Ronald

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L23/142

摘要： A method for manufacturing a circuit carrier (100') having a base plate (10), an organic insulating foil (20) arranged on the base plate (10) and a metal shaped body (30) arranged on the insulating foil (20), wherein the base plate (10), insulating foil (20) and metal shaped body (30) are connected to each other by applying a quasi-hydrostatic pressure acting from the top while maintaining an even insulating foil layer thickness.

摘要翻译： 一种制造具有基板（10），布置在基板（10）上的有机绝缘箔（20）和布置在绝缘箔（20）上的金属体）的电路载体（100'）的方法， 其特征在于，所述基板（10），绝缘箔（20）和金属成形体（30）通过施加从顶部起作用的准静水压力相互连接，同时保持均匀的绝缘箔层厚度。

公开(公告)号：WO2016128231A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：PCT/EP2016/051875

申请日：2016-01-29

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH

发明人： EISELE, Ronald ,  OSTERWALD, Frank

IPC分类号： H01L23/433 ,  H01L23/29 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L21/565 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4334 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384

摘要： A power module (10) having a leadframe (20), a power semiconductor (30) arranged on the leadframe (20), a base plate (40) for dispersing heat generated by the power semiconductor (30) and a potting compound (50) surrounding the leadframe (20) and the power semiconductor (30), that physically connects the power semiconductor (30) and/or the leadframe (20) to the base plate (40).

摘要翻译： 具有引线框架（20）的功率模块（10），布置在引线框架（20）上的功率半导体（30）），用于分散由功率半导体（30）产生的热量的基板（40）和灌封化合物 ）包围引线框架（20）和功率半导体（30），其将功率半导体（30）和/或引线框（20）物理连接到基板（40）。

公开(公告)号：WO2016050466A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/EP2015/070617

申请日：2015-09-09

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH

发明人： OSTERWALD, Frank ,  EISELE, Ronald ,  BECKER, Martin ,  PAULSEN, Lars ,  RUDZKI, Jacek ,  ULRICH, Holger

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/75 ,  B22F3/14 ,  B22F5/00 ,  B22F2998/10 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75316 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/75318 ,  H01L2224/7532 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75821 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83209 ,  H01L2224/8384

摘要： Sintering device (10) for sintering at least one electronic assembly (BG), having a lower die (20) and an upper die (30) which is slidable towards the lower die (20), or a lower die (20) which is slidable towards the upper die (30), wherein the lower die (20) forms a support for the assembly (BG) to be sintered and the upper die (30) comprises a receptacle which receives a pressure pad (32) for exerting pressure directed towards the lower die (20) and which comprises a delimitation wall (34) which laterally surrounds the pressure pad (32), and wherein the delimitation wall (34) has an outer delimitation wall (34a) and an inner delimitation wall (34b) which is surrounded in an adjacent manner by the outer delimitation wall (34a), and wherein the inner delimitation wall (34b) is mounted so as to be slidable towards the outer delimitation wall (34a) and, when pressure in the direction of the upper die (30) is exerted on the pressure pad (32), is mounted so as to be slid in the direction of the lower die (20), whereby, following the placing of the inner delimitation wall (34b) on the lower die (20), the pressure pad (32) is displaceable in the direction of the lower die (20).

摘要翻译： 一种用于烧结至少一个电子组件（BG）的烧结装置（10），具有可向下模具（20）滑动的下模具（20）和上模具（30），或下模具（20） 可向上模具（30）滑动，其中下模具（20）形成用于要烧结的组件（BG）的支撑件，并且上模具（30）包括接收压力垫（32）的容器，用于施加压力 朝向下模具（20）并且其包括侧向围绕压力垫（32）的分隔壁（34），并且其中定界壁（34）具有外部限定壁（34a）和内部限定壁（34b） 其被外部限定壁（34a）相邻地包围，并且其中内部限定壁（34b）被安装成能够朝向外部限定壁（34a）滑动，并且当在上部方向上的压力 模具（30）被施加在压力垫（32）上，安装成沿着方向o滑动 在下模具（20）上，由此，在将内部定界壁（34b）放置在下模具（20）上之后，压力垫（32）能够在下模具（20）的方向上移动。

公开(公告)号：WO2013053420A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：PCT/EP2012/003787

申请日：2012-09-10

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH ,  BECKER, Martin ,  EISELE, Ronald ,  OSTERWALD, Frank ,  RUDZKI, Jacek

发明人： BECKER, Martin ,  EISELE, Ronald ,  OSTERWALD, Frank ,  RUDZKI, Jacek

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/786 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011

摘要： Leistungshalbleiterchip (10) mit wenigstens einer oberseitigen Potentialfläche und kontaktierenden Dickdrähten (50) oder Bändchen, mit einer Verbindungsschicht (1) auf den Potentialflächen, und wenigstens einem metallischen Formkörper (24, 25) auf der oder den Verbindungsschicht(en), dessen zur Potentialfläche gewandte untere Flachseite zur Fügung mit einem Verbindungsverfahren der Verbindungsschicht (1) gemäß beschichtet ausgebildet ist, und dessen Materialzusammensetzung und Dicke derjenigen der im Kontaktverfahren verwandten Dickdrähte (50) oder Bändchen auf der Formkörper-Oberseite in der Größenordnung entsprechend gewählt ist.

摘要翻译： 功率半导体芯片（10），其具有至少一个上侧电位表面和接触厚线（50）或磁带，用等电位表面上的化合物层（1），和至少一种金属形主体（24，25）上或连接层（一个或多个），该势能面的 形成于涂覆面对下侧平面侧用于连接到根据与化合物层（1）的连接方法，以及那些相关的接触方法迪克电线（50）或带在模具主体顶部的顺序被相应地选择的它的材料成分和厚度。

公开(公告)号：WO2005088222A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：PCT/DK2005/000157

申请日：2005-03-09

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH ,  EISELE, Ronald ,  OLESEN, Klaus, Kristen

发明人： EISELE, Ronald ,  OLESEN, Klaus, Kristen

IPC分类号： F28F3/12

CPC分类号： F28F3/12 ,  F28F9/0268 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention provides a fluid cooling system comprising a heat exchanger (1) with an outer wall (2) forming a chamber with an inlet (3) and an outlet (4) for circulating a heat exchange medium in the chamber. The chamber has an opening towards the component which is to be cooled, and to protect the component, the opening is closed by a flexible wall (5) which is attached to the outer wall. To protect the cover and the component against overload, the flexible wall (5) is attached to an inner wall (7) inside the chamber. The cooling system could be applied to electronic systems, e.g. for cooling a DCB substrate or similar electronic components.

摘要翻译： 本发明提供一种流体冷却系统，其包括具有外壁（2）的热交换器（1），所述外壁（2）形成具有入口（3）的室和用于使所述室中的热交换介质循环的出口（4）。 腔室具有朝向要冷却的部件的开口，并且为了保护部件，开口由附接到外壁的柔性壁（5）封闭。 为了保护盖和部件免于过载，柔性壁（5）附接到室内的内壁（7）。 冷却系统可以应用于电子系统，例如， 用于冷却DCB基板或类似的电子部件。

公开(公告)号：WO2017029082A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：PCT/EP2016/067792

申请日：2016-07-26

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH

发明人： OSTERWALD, Frank ,  BECKER, Martin ,  ULRICH, Holger ,  EISELE, Ronald ,  RUDZKI, Jacek

IPC分类号： H01L23/492

CPC分类号： H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014

摘要： A method for manufacturing semiconductor chips (2, 3) having arranged thereon metallic shaped bodies (6), having the following steps: arranging a plurality of metallic shaped bodies (6) on a processed semiconductor wafer while forming a layer arranged between the semiconductor wafer and the metallic shaped bodies (6), exhibiting a first connection material (4) and a second connection material (5), and processing the first connection material (4) for connecting the metallic shaped bodies (6) to the semiconductor wafer without processing the second connecting material (5), wherein the semiconductor chips (2, 3) are separated either prior to arranging the metallic shaped bodies (6) on the semiconductor wafer or after processing the first connection material (4).

摘要翻译： 一种在其上配置有金属成形体（6）的半导体芯片（2,3）的制造方法，具有以下步骤：将多个金属体（6）配置在经处理的半导体晶片上，同时形成配置在半导体晶片 和呈现第一连接材料（4）和第二连接材料（5）的金属成形体（6），并且处理用于将金属成形体（6）连接到半导体晶片的第一连接材料（4），而不加工 第二连接材料（5），其中半导体芯片（2,3）在将金属成形体（6）布置在半导体晶片上之后或在处理第一连接材料（4）之后被分离。

公开(公告)号：WO2016071079A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/EP2015/073562

申请日：2015-10-12

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH

发明人： BECKER, Martin ,  EISELE, Ronald ,  OSTERWALD, Frank ,  RUDZKI, Jacek

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4888 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2224/85238 ,  H01L2224/85365 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A power semiconductor contact structure for power semiconductor modules, which has at least one substrate (1) and a metal moulded body (2) as an electrode, which are sintered one on top of the other by means of a substantially uninterrupted sintering layer (3a) with regions of varying thickness. The metal moulded body (2) takes the form here of a flexible contacting film (5) of such a thickness that this contacting film is sintered with its side (4) facing the sintering layer (3a) onto the regions of varying thickness of the sintering layer substantially over the full surface area. A description is also given of a method for forming a power semiconductor contact structure in a power semiconductor module that has a substrate and a metal moulded body. The forming of the power semiconductor contact structure is performed firstly by applying a layer of sintering material of locally varying thickness to either the metal moulded body (2) or the substrate, followed by sintering together the contacting film (5) with the substrate (1) by using the properties of the layer of sintering material that are conductive to connection, the contacting film (5) being made to develop its distinct form to correspond to the varying thickness of the layer of sintering material (3a).

摘要翻译： 一种用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其具有至少一个基板（1）和作为电极的金属模制体（2），其通过基本上不间断的烧结层（3a）而彼此烧结 ）与不同厚度的区域。 金属成型体（2）在这里形成柔性接触膜（5），其厚度使得该接触膜与其面向烧结层（3a）的侧面（4）烧结到不同厚度的区域上 烧结层基本上在整个表面积上。 还描述了在具有基板和金属成型体的功率半导体模块中形成功率半导体接触结构的方法。 首先通过向金属成型体（2）或基板施加局部变化的厚度的烧结材料层，然后将接触膜（5）与基板（1）烧结在一起来进行功率半导体接触结构的形成 ）通过使用导电连接的烧结材料层的特性，使得接触膜（5）形成其对应于烧结材料层（3a）的变化厚度的不同形式。

公开(公告)号：WO2012062274A2

公开(公告)日：2012-05-18

申请号：PCT/DE2011/001905

申请日：2011-10-28

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH ,  EISELE, Ronald

发明人： EISELE, Ronald

CPC分类号： H01L37/00 ,  G01K7/16 ,  H01L23/15 ,  H01L23/34 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/83205

摘要： Verfahren zur Herstellung von sinterfähigen, elektrischen Bauelementen zum gemeinsamen Sintern mit aktiven Bauelementen bei dem die Bauelemente in einer planaren Form mit wenigstens einer zum Sintern bestimmte planen Unterseite versehen sind, und ein elektrischer Kontaktbereich auf der der Sinterfläche gegenüberliegenden Fläche in Form einer metallischen Kontaktfläche vorhanden ist, die oberseitig durch ein gängiges Verfahren aus der Gruppe: Drahtbonden oder Löten oder Sintern oder Druckkontaktieren kontaktierbar ist, wobei das Bauelement ein Temperaturfühler ist, an dessen Unterseite eine sinterfähige Metallisierung an einem Keramikkörper vorgesehen ist, und auf dessen Keramikkörper zwei elektrische Kontaktflächen für weiterführende elektrische Anbindung vorgesehen sind.

摘要翻译： 一种生产烧结，电气元件与有源元件的共同烧结，其中，在平面形状设置有至少一定烧结平坦侧的组分，和电接触区域上的烧结面表面相反的一侧的过程中存在一个金属接触面的形式 使上侧通过选自常用的方法：是接触引线接合或钎焊或烧结或压接触，其中所述组件是温度传感器，在可烧结的金属化的底侧被设置在陶瓷基体，和在该陶瓷体，两个用于进一步的电电接触表面 提供连接。