公开(公告)号：WO2020156775A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/050462

申请日：2020-01-09

申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

发明人： ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans ,  KNIGGE, Steffen ,  MARTIN, Christian Dominik ,  MAASSDORF, Andre ,  DELLA CASA, Pietro ,  KNIGGE, Andrea ,  CRUMP, Paul

IPC分类号： H01S5/40 ,  H01S5/223 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/20 ,  H01S5/16 ,  H01S5/30 ,  H01S5/026

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zu Erzeugung von Laserstrahlung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserdiode anzugeben, die gleichzeitig einen hohen Wirkungsgrad und eine geringe Fernfelddivergenz aufweist. Der erfindungsgemäßer Diodenlaser umfasst eine Strombarriere (5), dadurch gekennzeichnet, dass sich die Strombarriere (5) entlang einer dritten Achse (X) erstreckt, wobei die Strombarriere (5) mindestens eine Öffnung aufweist, und eine erste Breite (W1) der Öffnung der Strombarriere (5) entlang der dritten Achse (X) kleiner als eine zweite Breite (W2) des metallischen p-Kontaktes (8) entlang der dritten Achse (X) ist.

公开(公告)号：WO2018192972A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/EP2018/059905

申请日：2018-04-18

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： LELL, Alfred ,  TAEGER, Sebastian

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/223 ,  H01S5/022 ,  H01S5/028 ,  H01S5/16

摘要： Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben, die eine durch ein Epitaxieverfahren hergestellte Halbleiterschichtenfolge (2) mit zumindest einer aktiven Schicht (3) aufweist, wobei auf zumindest einem Oberflächenbereich (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) eine Gallium-haltige Passivierungsschicht (10) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode (100) angegeben.

公开(公告)号：WO2012125398A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：PCT/US2012/028238

申请日：2012-03-08

申请人： CORNING INCORPORATED ,  CANEAU, Catherine G ,  XIE, Feng ,  ZAH, Chung-En

发明人： CANEAU, Catherine G ,  XIE, Feng ,  ZAH, Chung-En

IPC分类号： H01S5/0625 ,  H01S5/16 ,  H01S5/34 ,  H01S5/223

CPC分类号： H01S5/06256 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3402

摘要： A quantum cascade laser and its method of fabrication are provided. The quantum cascade laser comprises one or more p-type electrical isolation regions (40) and a plurality of electrically isolated laser sections (10, 12, 16) extending along a waveguide axis of the laser. An active waveguide core (20) is sandwiched between upper (22, 26) and lower (24) n-type cladding layers and the active core and the upper and lower n-type cladding layers extend through the electrically isolated laser sections of the quantum cascade laser. A portion of the upper n-type cladding layer comprises sufficient p-type dopant to have become p-type and to have become an electrical isolation region, which extends across at least a part of the thickness upper n-type cladding layer along a projection separating the sections of the quantum cascade laser.

摘要翻译： 提供了量子级联激光器及其制造方法。 量子级联激光器包括沿着激光器的波导轴线延伸的一个或多个p型电隔离区域（40）和多个电隔离的激光器部分（10,12,16）。 有源波导芯（20）夹在上（22,26）和下（24）n型包层之间，有源芯和上，下n型包覆层延伸穿过量子的电隔离激光器部分 级联激光。 上部n型包覆层的一部分包括足够的p型掺杂剂以成为p型并且已经成为电绝缘区域，其沿厚度的上部n型包覆层的至少一部分沿突出部 分离量子级联激光器的部分。

公开(公告)号：WO2010108767A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：PCT/EP2010/052714

申请日：2010-03-03

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHILLGALIES, Marc ,  LELL, Alfred ,  DINI, Dimitri ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  EICHLER, Christoph ,  QUEREN, Désirée ,  LERMER, Teresa

发明人： SCHILLGALIES, Marc ,  LELL, Alfred ,  DINI, Dimitri ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  EICHLER, Christoph ,  QUEREN, Désirée ,  LERMER, Teresa

IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34333

摘要： Vorliegend wird eine Halbleiterlaservorrichtung (1) angegeben. Diese umfasst einen ersten Bereich (2), einen zweiten Bereich, der eine ebene Region (4f) und eine aus der ebenen Region herausragende Region (4g) aufweist, und einen aktiven Bereich (3), der zwischen dem ersten (2) und dem zweiten Bereich angeordnet ist, wobei eine Deckschicht (5, 5a, 5b), die ein Halbleitermaterial oder ein transparentes leitendes Oxid enthält, zumindest bereichsweise direkt auf der herausragenden Region (4g) angeordnet ist und die herausragende Region (4g) lateral überragt.

摘要翻译： 在当前情况下，一个半导体激光元件（1）中指定。 这包括第一区域（2），其具有的平面区域（4F）和伸出该平面区域的区域（4G）的第二部分，并且所述第一（2）和之间的有源区（3） 所述第二区域被布置，其特征在于，覆盖层（5，5A，5B），其中包含一个半导体材料或透明导电氧化物，至少在所述突出区域（4G）直接部分，并且这些突出的区域（4G）横向地突出超过。

公开(公告)号：WO2009063720A1

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：PCT/JP2008/068873

申请日：2008-10-17

申请人： ローム株式会社 ,  野間 亜樹 ,  村山 実 ,  内田 智士 ,  石川 努

发明人： 野間 亜樹 ,  村山 実 ,  内田 智士 ,  石川 努

IPC分类号： H01S5/223 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/223 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/2227 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34326

摘要： 　動作電流が低く、高温出力時においても安定して発振する半導体レーザを提供する。 　基板（１０）と、基板（１０）上に設けられたｎ型クラッド層（１２）と、ｎ型クラッド層（１２）上に設けられた活性層（１３）と、活性層（１３）上に設けられたＡｌを含有する化合物であり、電流通路となるストライプ状のリッジ構造を有するｐ型クラッド層（１４）と、リッジ構造の上面を除くｐ型クラッド層（１４）の表面に設けられたＡｌを含有する化合物であり、Ａｌの組成比がｐ型クラッド層（１４）のＡｌの組成比以下である電流ブロック層（１６）と、電流ブロック層（１６）上に設けられ、レーザ発振波長に対して光を吸収する光吸収層（１７）とを備える。

摘要翻译： 提供了即使对于高温输出也具有低工作电流并稳定地振荡的半导体激光器。 半导体激光器设置有基板（10）; 布置在所述基板（10）上的n型覆层（12）; 布置在所述n型覆层（12）上的有源层（13）; p型覆盖层（14），其配置在有源层（13）上，由含有Al的化合物构成，具有条状的脊状结构成为电流通道; 布置在p覆盖层（14）的表面上的电流阻挡层（16），除了脊结构的上表面，并且由含有Al的化合物构成，Al组成比不大于 p型覆层（14）; 以及布置在当前阻挡层（16）上并吸收激光振荡波长的光的光吸收层（17）。

公开(公告)号：WO2008033251A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：PCT/US2007/019447

申请日：2007-09-06

申请人： CORNING INCORPORATED ,  BHATIA, Vikram ,  HU, Martin H ,  LIU, Xingsheng ,  LOEBER, David A ,  RICKETTS, Daniel O ,  ZAH, Chung-En

发明人： BHATIA, Vikram ,  HU, Martin H ,  LIU, Xingsheng ,  LOEBER, David A ,  RICKETTS, Daniel O ,  ZAH, Chung-En

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/06 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/062 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  G02F1/377

CPC分类号： H01S5/0261 ,  H01S5/024 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06213 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231

摘要： The present invention relates to methods for modulating a semiconductor laser and wavelength matching to a wavelength converter using monolithic micro-heaters integrated in the semiconductor laser. According to one embodiment of the present invention, a method of compensating for thermally induced patterning effects, e.g. wavelength drift, in a semiconductor laser is provided where the laser's heating element driving current I H is set to a relatively high magnitude when the laser's driving current I D is at a relatively low magnitude. The heating element driving current I H decreases from said relatively high magnitude to said relatively low magnitude at a time Δt prior to an increase in said laser driving current I D from said relatively low magnitude to said relatively high magnitude. The semiconductor laser may be a DBR laser diode comprising a wavelength selective region (12), a phase matching region (14), and a gain region (16), each region provided with a pair of heating element strips (62,64).

摘要翻译： 本发明涉及使用集成在半导体激光器中的单块微型加热器来调制半导体激光器和波长转换器的波长匹配的方法。 根据本发明的一个实施例，一种补偿热诱导图案化效应的方法，例如， 提供了在半导体激光器中，当激光器的驱动电流I SUB相对于激光器的加热元件驱动电流I H H被设定为相对高的幅度时， 低幅度 在所述激光器驱动电流I SUB从所述激光器驱动电流I SUB增加之前的时间Δt，加热元件驱动电流I H H从所述相对高的幅度减小到所述相对低的幅度 相对较低的幅度到相对较高的幅度。 半导体激光器可以是包括波长选择区域（12），相位匹配区域（14）和增益区域（16）的DBR激光二极管，每个区域设置有一对加热元件条（62,64）。

公开(公告)号：WO2005106546A3

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：PCT/US2005012761

申请日：2005-04-14

申请人： INFINERA CORP ,  NAGARAJAN NADHAKRISHNAN L ,  KISH FRED A JR ,  WELCH DAVID F ,  PERKINS DREW D ,  KATO MASAKI

发明人： NAGARAJAN NADHAKRISHNAN L ,  KISH FRED A JR ,  WELCH DAVID F ,  PERKINS DREW D ,  KATO MASAKI

IPC分类号： G02B6/28 ,  G02B6/34 ,  H01S5/00 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/12 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H04B10/04 ,  H04B10/155

CPC分类号： G02B6/12033 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12019 ,  G02B6/2813 ,  G02B6/293 ,  G02B6/29317 ,  G02B6/29338 ,  G02B6/29352 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0085 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/024 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0268 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H04B10/506

摘要： A coolerless photonic integrated circuit (PIC), such as a semiconductor electro-absorption modulator/laser (EML) or a coolerless optical transmitter photonic integrated circuit (TxPIC), may be operated over a wide temperature range at temperatures higher then room temperature without the need for ambient cooling or hermetic packaging. Since there is large scale integration of N optical transmission signal WDM channels on a TxPIC chip, a new DWDM system approach with novel sensing schemes and adaptive algorithms provides intelligent control of the PIC to optimize its performance and to allow optical transmitter and receiver modules in DWDM systems to operate uncooled. Moreover, the wavelength grid of the on-chip channel laser sources may thermally float within a WDM wavelength band where the individual emission wavelengths of the laser sources are not fired to wavelength peaks along a standardized wavelength grid but rather may move about with changes in ambient temperature. However, control is maintained such that the channel spectral spacing between channels across multiple signal channels, whether such spacing is periodic or aperiodic, between adjacent laser sources in the thermally floating wavelength grid are maintained in a firmed relationship. Means are then provided at an optical receiver to discover and lock onto floating wavelength grid of transmitted WDM signals and thereafter demultiplex the transmitted WDM signals for OE conversion.

摘要翻译： 诸如半导体电吸收调制器/激光器（EML）或无冷器光发射机光子集成电路（TxPIC）的无冷却光子集成电路（PIC）可以在高于室温的温度范围内工作，而不需要 需要环境冷却或密封包装。 由于在TxPIC芯片上存在N个光传输信号WDM信道的大规模集成，新的具有新型感测方案和自适应算法的DWDM系统方法提供了PIC的智能控制，以优化其性能并允许光发射机和接收机模块在DWDM 系统运行未冷却。 此外，片上通道激光源的波长网格可以在WDM波长带内热漂浮，其中激光源的各个发射波长不沿着标准波长网格发射到波长峰值，而是可以随着环境的变化而移动 温度。 然而，保持控制，使得跨越多个信号通道的通道之间的信道光谱间隔（无论这样的间隔是周期性还是非周期性）保持在热漂移波长网格中的相邻激光源之间的确定关系。 然后在光接收器处提供装置以发现并锁定发送的WDM信号的浮动波长网格，然后对发送的WDM信号进行解复用以进行OE转换。

公开(公告)号：WO2005011076A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：PCT/IB2004/002438

申请日：2004-07-30

申请人： BOOKHAM TECHNOLOGY PLC ,  REID, Benoit

发明人： REID, Benoit

IPC分类号： H01S5/223

CPC分类号： H01S5/2231 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1237

摘要： The present invention provides a design and method of fabrication of a ridge waveguide structure with vertical gratings enabling weak guiding of light. In weakly guiding waveguide structures only a small portion of light from an optical mode is guided by the waveguide, with majority of the optical mode being present in a material outside of the waveguide structure. The present invention further provides an integrated optical device comprising a weakly guiding ridge waveguide formed on a substrate, said weakly guiding ridge waveguide including a ridge with a vertical grating structure, said weakly guiding ridge waveguide guiding an optical mode substantially beneath the ridge. The waveguide structure with vertical gratings according to the present invention uses materials of appropriate refractive index to provide weak guiding of light. The waveguide structure according to the present invention further enables lateral coupling of light from the waveguide structure to other optical structures that may be placed in a lateral plane that is parallel to the surface of the waveguide structure.

摘要翻译： 本发明提供了一种具有能够实现弱导光的垂直光栅的脊形波导结构的设计和方法。 在弱引导波导结构中，只有来自光学模式的一小部分光被波导引导，大多数光学模式存在于波导结构外部的材料中。 本发明还提供一种集成光学装置，其包括形成在基板上的弱引导脊波导，所述弱引导脊波导包括具有垂直光栅结构的脊，所述弱引导脊波导基本上在脊下方引导光学模式。 根据本发明的具有垂直光栅的波导结构使用具有适当折射率的材料来提供弱的光引导。 根据本发明的波导结构还能够将来自波导结构的光横向耦合到可以放置在平行于波导结构的表面的横向平面中的其它光学结构。

公开(公告)号：WO01078205A1

公开(公告)日：2001-10-18

申请号：PCT/IE2001/000050

申请日：2001-04-12

IPC分类号： H01S5/04 ,  H01S5/06 ,  H01S5/065 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223

CPC分类号： H01S5/223 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/20 ,  H01S5/204 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2231

摘要： A semiconductor self-pulsating laser diode (1) comprises a wave guiding layer (2) sandwiched between lower and upper cladding layers (4, 5). A current blocking layer (8) defining a slot (10) through which pumping current is directed through the laser diode between upper and lower contact plates (5, 6) defines an active wave guiding region (15). The current blocking layer (8) is shaped by the formation of longitudinally extending recesses (12) for defining the active wave guiding region (15) such that a central pulse light generating region (17) is formed surrounded by an outer light propagating region (18). As the laser diode is continuously pumped, an effective step change in refractive index between the wave guiding layer (2) and the outer light propagating region (18) is formed, and the carrier density and refractive index profiles across the active wave guiding region (15) vary as each light pulse cycle progresses.

摘要翻译： 半导体自脉动激光二极管（1）包括夹在下包层（4）和上覆层（4,5）之间的波导层（2）。 限定一个槽（10）的电流阻挡层（8）限定有源波导区域（15），泵浦电流通过所述槽（10）被引导通过上和下接触板（5,6）之间的激光二极管。 当前阻挡层（8）通过形成用于限定有源波导区域（15）的纵向延伸的凹部（12）成形，使得中心脉冲光产生区域（17）由外部光传播区域（ 18）。 随着激光二极管被连续泵浦，形成波导层（2）和外部光传播区域（18）之间的折射率的有效阶跃变化，并且跨越有源波导区域（22）的载流子密度和折射率分布 15）随着每个光脉冲循环进行而变化。

公开(公告)号：WO01063709A2

公开(公告)日：2001-08-30

申请号：PCT/DE2001/000706

申请日：2001-02-23

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/2232 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2215 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/223 ,  H01S5/32341

摘要： According to the invention, a semiconductor component is produced for the emission of electromagnetic radiation, in particular, light, which is characterised by comprising an active layer for production of radiation, a p contact, electrically connected to the active layer, an n contact, electrically connected to the active layer and a current limiting structure for the definition of a current path, whereby the current limiting structure is provided between the n contact and the active layer.

摘要翻译： 根据本发明，用于电磁辐射的发射的半导体器件，特别是光，提供了具有以下特征; 用于产生辐射的有源层，其导电地连接到所述有源层的p接触，n接触，其导电地连接到所述有源层，以及用于限定的电流路径的电流限制结构，所述n个之间的电流限制结构 - 接触并且被设置在活性层。