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    用于等离子体反应器的微波功率传输系统
    6.
    发明授权
    用于等离子体反应器的微波功率传输系统 有权

    公开(公告)号：CN103415647B

    公开(公告)日：2015-08-19

    申请号：CN201180068067.3

    申请日：2011-12-14

    申请人： 六号元素有限公司

    发明人： C·J·H·沃特 ,  J·R·布兰登

    IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32 ,  H01P5/04 ,  H01P5/20

    CPC分类号： H01J37/32229 ,  C23C16/274 ,  C23C16/511 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32256 ,  H01J37/32266 ,  H01J2237/3321 ,  H01P5/20 ,  H01P5/222

    摘要： 一种用于将微波功率供应给多个微波等离子体反应器的微波功率传输系统（8），所述微波功率传输系统包括：调谐器（14），所述调谐器（14）配置为联接到微波源（4）上并且配置为使所述多个微波等离子体反应器的阻抗与所述微波源的阻抗相匹配；以及波导管接头（18），所述波导管接头（18）联接到所述调谐器上并且配置为将微波引导到所述多个微波等离子体反应器上和将微波从所述多个微波等离子体反应器中导出；其中，所述波导管接头包括四个波导管端口，所述四个波导管端口包括联接到所述调谐器上的第一端口、配置为联接到相应微波等离子体反应器上的第二端口和第三端口、和联接到微波接收器（20）上的第四端口；其中，所述波导管接头配置为通过所述第一端口将来自所述调谐器的微波功率输入均匀地在所述第二端口和第三端口之间分配以用于将微波功率提供给相应的微波等离子体反应器；其中，所述波导管接头配置为取消所述第二端口和第三端口的联接，从而防止来自所述微波等离子体反应器中的一个的任何反射微波经过所述波导管接头直接进给到另一微波等离子体反应器内而导致不平衡；其中，所述波导管接头还配置为将通过所述第二端口和第三端口接收回的、就振幅和相位而言为平衡的反射微波进给到所述调谐器中，使得它们能够由所述调谐器反射和再使用；以及其中，所述波导管接头还配置为通过所述第四端口将不平衡的过多的反射功率进给到所述微波接收器内。

    合成CVD金刚石
    7.
    发明公开
    合成CVD金刚石 有权

    公开(公告)号：CN104746038A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：CN201510083320.2

    申请日：2010-12-15

    申请人： 六号元素有限公司

    发明人： D·J·特威切恩 ,  A·M·贝内特 ,  R·U·A·卡恩 ,  P·M·马蒂诺

    IPC分类号： C23C16/27 ,  C30B29/04

    CPC分类号： C30B29/04 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/27 ,  C23C16/274 ,  C23C16/277 ,  C30B25/105

    摘要： 本发明涉及合成CVD金刚石以及用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积(CVD)方法，所述方法包含：提供基底；提供源气体；使所述源气体离解；和允许在基底上的同质外延金刚石合成；其中所述合成环境包含原子浓度为约0.4ppm至约50ppm的氮；并且其中该源气体包含：a)氢的原子分数Hf，其为约0.40至约0.75；b)碳的原子分数Cf，其为约0.15至约0.30；c)氧的原子分数Of，其为约0.13至约0.40；其中Hf+Cf+Of＝1；其中碳的原子分数与氧的原子分数之比Cf:Of满足比率：约0.45:1＜Cf:Of＜约1.25:1；其中源气体包含以氢分子H2形式添加的氢原子，占存在的氢、氧和碳原子总数的原子分数为0.05至0.40；和其中所述原子分数Hf、Cf和Of是源气体中存在的氢原子、氧原子和碳原子的总数的分数。

    单晶金刚石材料
    8.
    发明授权
    单晶金刚石材料 有权

    公开(公告)号：CN102959138B

    公开(公告)日：2015-05-06

    申请号：CN201080058400.8

    申请日：2010-12-15

    申请人： 六号元素有限公司

    发明人： D·J·特威切恩 ,  H·K·迪隆 ,  G·A·斯卡斯布鲁克

    IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/04 ,  C30B25/10

    CPC分类号： C30B29/04 ,  C30B25/00 ,  C30B25/105

    摘要： 制备生长的单晶金刚石基材的方法，该方法包括：（a）提供呈现出（001）主表面的第一金刚石基材，该主表面受至少一个 边缘约束，所述至少一个 边缘的长度以至少1.3:1的比值超过与所述至少一个 边缘正交的表面的任何尺寸；和（b）在化学气相沉积（CVD）合成条件下在金刚石材料表面的（001）主表面上同质外延生长金刚石材料，金刚石材料垂直于主（001）表面生长，并且由此横向生长。