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公开(公告)号：CN107947743A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201810023026.6
申请日：2018-01-10
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本发明揭露了一种射频功率放大器，其包括：基板；射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路。输入匹配电路、级间匹配电路和输出匹配电路中的电感均是由基板上的传输线形成。无需采用SMD电感，设计简单，降低了成本。
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公开(公告)号：CN105226368B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510772515.8
申请日：2015-11-12
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H01P5/18
摘要： 本发明提供一种定向耦合器，其包括：发射端口、输出端口、隔离端口、耦合端口、连接于所述发射端口和所述输出端口之间的第一电感以及连接于所述耦合端口和所述隔离端口之间的第二电感，其中第一电感的电感值小于第二电感的电感值，至少第二电感为集总元件。这样的定向耦合器可以节省面积，且使用灵活，特别适用于片上实现或者基板设计，这种结构相较于分布式无源结构的方案而言，对无源结构的设计要求大大降低，灵活性也大大增强，而且容易实现高集成度和低成本。
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公开(公告)号：CN106656074A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611234282.7
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
CPC分类号： H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/45098
摘要： 本发明涉及一种3G射频功率放大器电路，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
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公开(公告)号：CN106505956A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611235245.8
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
CPC分类号： H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/45098
摘要： 本发明涉及一种3G射频功率放大器电路模块，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
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公开(公告)号：CN103580610B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310595507.1
申请日：2013-11-21
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 宣凯
CPC分类号： H03F3/19 , H03F1/0261 , H03F1/0277 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/24 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/429 , H03F2200/451 , H03F2203/21142 , H03F2203/7206 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236 , H04B1/0458 , H04B1/401 , H04B2001/0408
摘要： 本发明公开了一种多模功率放大器，其具有低、中、高三种功率模式，其包括调节控制电路、AMP1、分路器件、AMP2，以及低、中和高三个功率输出匹配电路。在低功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第一功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至低功率输出匹配电路。在中功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第二功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至中功率输出匹配电路。在高功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第二功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至AMP2，AMP2的输出端与高功率输出匹配电路的输入端相连。这样，采用两个功率放大单元即可以实现低、中和高三个功率模式，占用芯片面积小，制造成本较低。
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公开(公告)号：CN103580610A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310595507.1
申请日：2013-11-21
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 宣凯
CPC分类号： H03F3/19 , H03F1/0261 , H03F1/0277 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/24 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/429 , H03F2200/451 , H03F2203/21142 , H03F2203/7206 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236 , H04B1/0458 , H04B1/401 , H04B2001/0408
摘要： 本发明公开了一种多模功率放大器，其具有低、中、高三种功率模式，其包括调节控制电路、AMP1、分路器件、AMP2，以及低、中和高三个功率输出匹配电路。在低功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第一功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至低功率输出匹配电路。在中功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第二功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至中功率输出匹配电路。在高功率模式时，调节控制电路控制AMP1工作于第二功率模式下，同时控制分路器件将AMP1的输出端连接至AMP2，AMP2的输出端与高功率输出匹配电路的输入端相连。这样，采用两个功率放大单元即可以实现低、中和高三个功率模式，占用芯片面积小，制造成本较低。
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公开(公告)号：CN108055011B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201711314662.6
申请日：2017-12-12
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 赵罡
摘要： 本发明揭露了一种射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的多级射频功率放大单元，每级射频功率放大单元均包括一双极型晶体管；耦接于初级射频功率放大单元的双极型晶体管的集电极和基极之间的反馈电路，该反馈电路包括有模式控制端，通过调整模式控制端的电压值来调整所述反馈电路的阻抗状态，进而调整所述射频功率放大器工作在不同工作模式下。这样使得同一个射频功率放大器能够支持不同的工作模式，比如可以同时支持高功率高增益模式和高线性低增益模式。
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公开(公告)号：CN104793688A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510195085.8
申请日：2015-04-22
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 张研
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明提供一种电压调节器，其包括：功率晶体管，其第一连接端与电源端相连，第二连接端与电压调节器的输出端相连；误差放大器，其第一输入端与所述电压调节器的输出端相连，其第二输入端接收一参考电压，其输出端与所述功率晶体管的控制端相连；逻辑控制单元；第一辅助开关管，其第一连接端与电源端相连，第二连接端与电压调节器的输出端相连，其控制端与逻辑控制单元相连；第二辅助开关管，其第一连接端与电源端相连，第二连接端与电压调节器的输出端相连，其控制端与逻辑控制单元相连。其可以高效的提供大范围的输出电压，同时也降低的急通电流。
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公开(公告)号：CN102332886B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110234178.9
申请日：2011-08-16
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种多频带功率放大器，其包括对多个频带的信号进行放大的功率放大单元和谐波抑制电路。在所述功率放大单元放大一个频带的信号时使所述谐波抑制电路连接于所述功率放大单元的输出路径中，所述谐波抑制电路抑制放大后的该一个频带的信号的谐波，在所述功率放大单元放大另一个频带的信号时使所述谐波抑制电路不连接于所述功率放大单元的输出路径中。这样，所述谐波抑制电路实现了类似F类功率放大器等高效率功率放大器的效果，即通过改变谐波阻抗来改进输出功率和效率，这样在不干扰该另一频带的正常信号的前提下改善了功率放大器的输出滤波、功率和效率。
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公开(公告)号：CN106603053A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611069002.1
申请日：2016-11-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明揭露了一种具有改进偏置电路的射频开关电路，其包括：第一射频端、第二射频端、第一电容、第二电容；射频开关，其包括源极、漏极、栅极以及体端，源极经过第一电容与第一射频端耦接，漏极经过第二电容与第二射频端耦接，偏置电路，其基于电池电压提供第一偏置电压、第二偏置电压和第三偏置电压，第一偏置电压大于第二偏置电压，第二偏置电压大于第三偏置电压，其中，第二偏置电压被耦接至射频开关的源极以及漏极，在需要控制射频开关导通时，第一偏置电压被耦接至射频开关的栅极，第二偏置电压被耦接至射频开关的体端，在需要控制射频开关截止时，第三偏置电压被耦接至射频开关的栅极和体端。这样可以节省芯片面积，降低成本。
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