公开(公告)号：CN109427963A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810933078.7

申请日：2018-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东康 ,  冯艮 ,  伊赫提尔 ,  穆罕默德·扎菲克·克鲁宾 ,  唐雪缇

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 描述了磁性结、使用磁性结的存储器和用于提供磁性结的方法。磁性结驻留在基板上，并且在磁性器件中能够使用。磁性结包括参考层、非磁性间隔物层和与自由层相邻的含M氧化物层。M包括Ti、Al、Hf、Zr、Mo、V和Nb中的至少一种。当写电流通过磁性结时，自由层可在多个稳定磁性状态之间切换。非磁性间隔物层在参考层于自由层之间。自由层在非磁性间隔物层与含M氧化物层之间。

公开(公告)号：CN105762274B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201610005833.6

申请日：2016-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 唐学体 ,  李将银 ,  冯艮 ,  达斯廷·威廉·埃里克森

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 公开了用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统。描述了可用于磁装置的磁结以及用于提供磁结的方法。磁结包括自由层、非磁隔离层和参考层。自由层包括Fe和至少一种Fe合金中的至少一种。此外，自由层不包括Co。非磁隔离层与自由层邻接。非磁隔离层驻留在参考层和自由层之间。构造磁结使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定磁状态之间是可切换的。

公开(公告)号：CN105762274A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610005833.6

申请日：2016-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 唐学体 ,  李将银 ,  冯艮 ,  达斯廷·威廉·埃里克森

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 公开了用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统。描述了可用于磁装置的磁结以及用于提供磁结的方法。磁结包括自由层、非磁隔离层和参考层。自由层包括Fe和至少一种Fe合金中的至少一种。此外，自由层不包括Co。非磁隔离层与自由层邻接。非磁隔离层驻留在参考层和自由层之间。构造磁结使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定磁状态之间是可切换的。

公开(公告)号：CN109427963B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201810933078.7

申请日：2018-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东康 ,  冯艮 ,  伊赫提尔 ,  穆罕默德·扎菲克·克鲁宾 ,  唐雪缇

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 描述了磁性结、使用磁性结的存储器和用于提供磁性结的方法。磁性结驻留在基板上，并且在磁性器件中能够使用。磁性结包括参考层、非磁性间隔物层和与自由层相邻的含M氧化物层。M包括Ti、Al、Hf、Zr、Mo、V和Nb中的至少一种。当写电流通过磁性结时，自由层可在多个稳定磁性状态之间切换。非磁性间隔物层在参考层于自由层之间。自由层在非磁性间隔物层与含M氧化物层之间。

公开(公告)号：CN108574041B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201711385740.1

申请日：2017-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 ,  冯艮 ,  王淑霞 ,  维拉迪默·尼基廷 ,  唐学体

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。

公开(公告)号：CN108574041A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201711385740.1

申请日：2017-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 ,  冯艮 ,  王淑霞 ,  维拉迪默·尼基廷 ,  唐学体

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。