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公开(公告)号：CN101739948A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910206449.2
申请日：2009-11-13
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2300/0866 , G09G2310/0251
Abstract: 本发明提供像素、使用该像素的有机发光显示装置及其驱动方法。所述像素包括：有机发光二极管，对应于驱动电流的量而发光；第一晶体管，其第一电极连接至第一电源，第二电极连接至所述有机发光二极管，栅极连接至第一节点，所述第一晶体管对应于所述第一节点的电压形成所述驱动电流；第二晶体管，用于对应于第一扫描信号向所述第一节点传送数据信号；第三晶体管，用于对应于第三扫描信号向所述第一节点传送负电压；和电容器，用于维持所述第一节点的电压。
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公开(公告)号：CN101621075A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910137879.3
申请日：2009-05-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336 , G02F1/1362 , H01L27/32 , G09F9/33
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置，所述TFT包括：栅电极，形成在基底上；有源层，由氧化物半导体形成，并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘；源极和漏极，结合到有源层；界面稳定层，形成在有源层的一个表面或两个表面上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以保持了在化学上高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙等于或大于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
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公开(公告)号：CN102013433A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010274658.3
申请日：2010-09-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/41 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3262
Abstract: 一种有机发光二极管(OLED)显示器，包括：基板主体、形成在所述基板主体上的薄膜晶体管和形成在所述基板主体上的OLED。所述薄膜晶体管包括栅电极、以绝缘方式设置在所述栅电极上的氧化物半导体层、以及分别与所述氧化物半导体层相接触的源电极和漏电极。所述源电极和所述漏电极二者与所述氧化物半导体层相接触的部分沿与所述基板主体平行的方向以预定距离与所述栅电极分离。
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公开(公告)号：CN101621076A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910138568.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101350313B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810133317.7
申请日：2008-07-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/363 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/24 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3464 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。
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公开(公告)号：CN102163616A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110039434.9
申请日：2011-02-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3262
Abstract: 一种有机发光显示设备，包括：形成在基板上的栅电极；形成在所述栅电极上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上与所述栅电极面对的有源层；形成在所述第一绝缘层上具有暴露出所述有源层的第一开口的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层上的源/漏电极，以便通过所述第一开口连接到所述有源层的暴露部分；以及形成在所述有源层上并接触所述第二绝缘层的金属层。
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公开(公告)号：CN102122665A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010585318.2
申请日：2010-12-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L51/56
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/3244 , H01L51/5253 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括：基板；位于所述基板上的多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括有源层；位于所述薄膜晶体管上的平坦化层；位于所述平坦化层上并且电连接至一薄膜晶体管的第一电极；以及位于所述平坦化层上的离子阻挡层，所述离子阻挡层与所述有源层重叠。
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公开(公告)号：CN101621076B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910138568.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
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公开(公告)号：CN101626036A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910133952.X
申请日：2009-04-14
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L23/52 , H01L29/227 , H01L21/336 , H01L21/768 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L29/26
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。所述薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅极；形成在所述栅极上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的有源层；形成在所述有源层上包括化合物半导体氧化物的钝化层；以及与所述有源层接触的源极和漏极。
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