公开(公告)号：CN104851771A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510086922.3

申请日：2015-02-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩尾俊彦 ,  平野高广 ,  石桥清隆 ,  川上聪

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/513

CPC classification number: C23C16/45536 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779

Abstract: 本发明可将基板上的每个位置通过等离子体区域的时间不均抑制得较低，并且可提高所产生的等离子体的均匀性。本发明所揭示的基板处理装置(10)包括：载置台(14)，能够以轴线(X)为中心旋转地设置；气体供给部，对通过载置台(14)的旋转而基板(W)依序通过的区域供给气体；及等离子体产生部(22)，产生所供给的气体的等离子体；且等离子体产生部(22)包括：天线(22a)，辐射微波；及同轴波导管(22b)，将微波供给至天线(22a)；且在构成从沿着轴线(X)的方向观察天线(22a)的情况下的截面形状的线段包含随着从轴线(X)离开而相互远离的2个线段，同轴波导管(22b)将微波从天线(22a)的重心供给至天线(22a)。

公开(公告)号：CN102804931A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080027379.5

申请日：2010-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种能够在周向上均匀地冷却平面天线、电介质窗的等离子体处理装置。在等离子体处理装置的处理容器(100)的侧壁(140)上设有用于冷却电介质窗(105)的冷却介质流路(145)。液相或气相的冷却介质在冷却介质流路(145)中不发生相变地流动。沿侧壁(140)的周向延伸的冷却介质流路(145)的至少一部分的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小。在此，如果使冷却介质流路(145)的截面面积变小，冷却介质的流速将变大，热传导率将变大。在使冷却介质流路(145)的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小时，能够利用热传导率的提高量弥补随着冷却介质的温度上升的温度差的下降量，能够使在冷却介质流路(145)的长度方向上的热移动量大致恒定。因此，能够在周向上均匀地冷却平面天线(905)、电介质窗(105)。

公开(公告)号：CN102760632A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210125069.8

申请日：2012-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂山和基 ,  石桥清隆 ,  森田治 ,  谷川雄洋 ,  松本直树 ,  三原直辉 ,  吉川弥

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，其具备：处理容器；工作台；电介质部件；导入微波的单元；喷射器；和电场屏蔽部。处理容器在其内部划分形成处理空间。工作台设置在处理容器内。电介质部件面对工作台设置。导入微波的单元经由电介质部件将微波导入处理空间内。喷射器为电介质制，具有一个以上的贯通孔。喷射器例如由松散电介质材料构成。该喷射器配置在电介质部件的内部。喷射器与形成在电介质部件上的贯通孔一起划分形成用于向处理空间供给处理气体的路径。电场屏蔽部覆盖喷射器的周围。

公开(公告)号：CN101461038B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200780020248.2

申请日：2007-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  后藤哲也 ,  大见忠弘 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种喷淋板、和使用它的等离子体处理装置及处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板不需要盖板。该喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，将喷淋板(105)设为一体物，在该喷淋板(105)上设置用于导入来自等离子体处理装置的气体导入口(110)的等离子体激励用气体的横孔(111)、和与该横孔(111)相连通的纵孔(112)。

公开(公告)号：CN101953236A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105252.8

申请日：2009-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  石桥清隆 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 等离子体处理装置的等离子体产生室被顶板(3)封堵。顶板(3)在朝向等离子体产生室侧的面上设置凹部(3A)，在相反侧的面上具有中心部的凹部(3B)。在顶板(3)上耦合有天线(4)。在天线上连接有导波管。当从导波管供应微波时，供应的微波在天线之间向径向传播，并从天线的缝隙辐射。微波在顶板(3)中传播而具有极化面，作为整体形成圆极化波。此时，在顶板(3)具有的凹部(3A)的侧面产生微波的共振吸收，在凹部(3A)的内部以单一的模式传播。在具有多个的凹部(3A)各自的内部形成强的等离子体，并在顶板(3)中使等离子模式稳定。

公开(公告)号：CN101796615A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880106109.6

申请日：2008-08-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 石桥清隆 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  桶作正广

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  Y10T83/0481

Abstract: 公开的顶板设置在内部能够抽成真空的等离子体处理装置的处理容器的顶部的开口部处并被一体化，所述顶板包括：多个气体通路，沿顶板的平面方向形成；以及气体喷出孔，与多个气体通路连通并在顶板的面对处理容器内部的第一面上开口。

公开(公告)号：CN100397588C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN03816209.1

申请日：2003-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 等离子体处理装置具有收容基板(11)的腔室(1)、产生微波的高频电源(5)、和将微波放射至腔室(1)内的天线部(3)。在高频电源(5)中产生的微波，由导波管(6)送至天线部(3)。构成腔室(1)的隔壁的一部分的顶板部(4)配置在腔室(1)的上部。在该顶板部(4)的外周部分上，呈环状设置有使微波的传播延迟的由与顶板部(4)相同的材质构成的规定的路径延迟部(2)。这样，在等离子体处理装置中，可以抑制异常放电和异物的产生。

公开(公告)号：CN1799127A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480014926.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  石桥清隆 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和在该等离子体处理室内产生等离子体的等离子体发生机构，其中等离子体发生机构使用可供给间断的能量的装置。

公开(公告)号：CN1666322A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03816209.1

申请日：2003-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 等离子体处理装置具有收容基板(11)的腔室(1)、产生微波的高频电源(5)、和将微波放射至腔室(1)内的天线部(3)。在高频电源(5)中产生的微波，由导波管(6)送至天线部(3)。构成腔室(1)的隔壁的一部分的顶板部(4)配置在腔室(1)的上部。在该顶板部(4)的外周部分上，呈环状设置有使微波的传播延迟的由与顶板部(4)相同的材质构成的规定的路径延迟部(2)。这样，在等离子体处理装置中，可以抑制异常放电和异物的产生。

公开(公告)号：CN112017936B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202010412317.1

申请日：2020-05-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松浦广行 ,  石桥清隆

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明的一个方式提供一种等离子体处理装置，其包括：圆筒体状的处理容器；沿着所述处理容器的长度方向相对配置的一对等离子体电极；和向所述一对等离子体电极供给高频电功率的高频电源，在所述等离子体电极中，离被供给所述高频电功率的供电位置较远的位置的电极间距离比所述供电位置的电极间距离长。根据本发明，可提供能够提高沿着处理容器的长度方向的电场强度的均匀性的技术。