中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

18 records (took 0.03 seconds)

    基板处理装置
    1.
    发明授权
    基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN102969257B

    公开(公告)日：2015-07-29

    申请号：CN201210311001.9

    申请日：2012-08-28

    Applicant: 仓敷纺织株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

    Inventor： 东昇 ,  平木哲 ,  清濑浩巳 ,  佐藤秀明 ,  小宫洋司

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/67086 ,  G01N21/3577 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，由于可直接检测处理液的浓度，所以能够进行独立的浓度控制，且由于不易产生因透镜温度变化引起的测定误差，因此能够高精度地进行基板的药液处理。一种在由磷酸和稀释液混合而成的处理液中浸渍基板而进行处理的基板处理装置，具备通过测定处理液的吸光特性而检测处理液浓度的浓度检测单元，浓度检测单元具备：透光部，将处理液导入内部并使之在内部流通；发光部，向透光部照射规定波长的光；受光部，通过透光部接收来自发光部的光；第一透镜，将由发光部发出的光汇聚于透光部；第二透镜，将通过透光部的光汇聚于受光部；和冷却机构，冷却第一透镜和第二透镜中的至少任一个。

    基板处理装置
    2.
    发明公开
    基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN102969257A

    公开(公告)日：2013-03-13

    申请号：CN201210311001.9

    申请日：2012-08-28

    Applicant: 仓敷纺织株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

    Inventor： 东昇 ,  平木哲 ,  清濑浩巳 ,  佐藤秀明 ,  小宫洋司

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/67086 ,  G01N21/3577 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，由于可直接检测处理液的浓度，所以能够进行独立的浓度控制，且由于不易产生因透镜温度变化引起的测定误差，因此能够高精度地进行基板的药液处理。一种在由磷酸和稀释液混合而成的处理液中浸渍基板而进行处理的基板处理装置，具备通过测定处理液的吸光特性而检测处理液浓度的浓度检测单元，浓度检测单元具备：透光部，将处理液导入内部并使之在内部流通；发光部，向透光部照射规定波长的光；受光部，通过透光部接收来自发光部的光；第一透镜，将由发光部发出的光汇聚于透光部；第二透镜，将通过透光部的光汇聚于受光部；和冷却机构，冷却第一透镜和第二透镜中的至少任一个。

    基板处理装置
    3.
    发明授权
    基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN103155113B

    公开(公告)日：2015-09-02

    申请号：CN201180036016.2

    申请日：2011-07-21

    Applicant: 仓敷纺织株式会社 ,  株式会社化学工艺技术

    Inventor： 清濑浩巳 ,  平木哲 ,  渡部博

    IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

    CPC classification number: B44C1/227 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67109

    Abstract: 提供一种由于能够直接检测处理液的浓度，因而能够几乎不受处理液温度影响地进行独立的浓度控制，从而能够精度良好地对基板进行药液处理的基板处理装置。在将基板浸渍在将药液和稀释液混合而成的处理液中进行处理的基板处理装置中，包括：处理槽（1），贮留处理液；加热单元（2、3），加热处理液；温度检测单元（4），检测处理液的温度；温度控制单元（5），操作所述加热单元（2、3）以使检测温度接近设定温度；补充单元（6），将稀释液补充到处理液中；浓度检测单元（7），通过测量处理液的吸光特性来检测处理液的浓度；以及浓度控制单元（8），操作所述补充单元（6）以使检测浓度接近设定浓度。

    基板处理装置
    4.
    发明公开
    基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN103155113A

    公开(公告)日：2013-06-12

    申请号：CN201180036016.2

    申请日：2011-07-21

    Applicant: 仓敷纺织株式会社 ,  株式会社化学工艺技术

    Inventor： 清濑浩巳 ,  平木哲 ,  渡部博

    IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

    CPC classification number: B44C1/227 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67109

    Abstract: 提供一种由于能够直接检测处理液的浓度，因而能够几乎不受处理液温度影响地进行独立的浓度控制，从而能够精度良好地对基板进行药液处理的基板处理装置。在将基板浸渍在将药液和稀释液混合而成的处理液中进行处理的基板处理装置中，包括：处理槽（1），贮留处理液；加热单元（2、3），加热处理液；温度检测单元（4），检测处理液的温度；温度控制单元（5），操作所述加热单元（2、3）以使检测温度接近设定温度；补充单元（6），将稀释液补充到处理液中；浓度检测单元（7），通过测量处理液的吸光特性来检测处理液的浓度；以及浓度控制单元（8），操作所述补充单元（6）以使检测浓度接近设定浓度。

    基板处理装置
    5.
    发明公开
    基板处理装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN117276127A

    公开(公告)日：2023-12-22

    申请号：CN202311230939.2

    申请日：2017-11-17

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 大野广基 ,  江头佳祐 ,  五师源太郎 ,  川渕洋介 ,  北山将太郎 ,  丸本洋 ,  增住拓朗 ,  束野宪人 ,  清濑浩巳

    IPC: H01L21/67

    Abstract: 本发明提供基板处理装置。本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。

    基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
    8.
    发明授权
    基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 有权

    公开(公告)号：CN108022861B

    公开(公告)日：2023-05-23

    申请号：CN201711066490.5

    申请日：2017-11-02

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 五师源太郎 ,  江头佳祐 ,  川渕洋介 ,  清濑浩巳 ,  增住拓朗 ,  大野广基 ,  束野宪人 ,  丸本洋 ,  北山将太郎

    IPC: H01L21/67

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。

Patent Agency Ranking