公开(公告)号：CN117238766A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311238579.0

申请日：2023-09-25

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 孙俊敏 ,  朱涛 ,  蔡依沙 ,  葛欢 ,  张丙可 ,  白雪 ,  周行 ,  董佳俊 ,  王海兴 ,  王锐 ,  常树丞 ,  李哲洋 ,  金锐

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  C09K13/08

摘要： 本发明提供了一种特殊半导体器件的钛铝腐蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：在有氧化膜和高温退火镍金属膜的晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；旋涂光刻胶、进行光刻处理；对铝金属层进行腐蚀；配制钛腐蚀液，对金属钛层进行腐蚀；去除所述光刻胶膜，得到所述金属钛铝层的窗口形貌为预设形状。所述方法达到了既完成金属腐蚀，又不影响腐蚀区域的高温镍膜，氧化膜腐蚀量不影响芯片性能的目的。

公开(公告)号：CN116682862A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202211742055.0

申请日：2022-12-29

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

发明人： 魏晓光 ,  吴沛飞 ,  张丙可 ,  单云海 ,  李玲 ,  朱涛 ,  严静融 ,  周行 ,  何荧锋 ,  李青岭 ,  武婧敏 ,  阎海亮 ,  白雪 ,  孙俊敏 ,  葛欢

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/337

摘要： 一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构，所述栅极结构包括如下模块：(1)注入增强型的JFET区，通过高温注入形成；(2)JFET区中心的沟槽栅氧，通过碳化硅热氧形成，与周围JFET区碳化硅通过原子级硅氧键连接；(3)沟槽栅氧周围设置与JFET区类型相反的PN保护结，通过高温注入形成；(4)JFET区上方设置栅氧层，通过碳化硅热氧形成，与JFET中心沟槽栅氧实现无界面连接，与下方JFET区通过原子级硅氧键连接。本发明基于JFET耗尽过程中的电场变化，提供了一种新型的栅结构，并提供了一套可行性的工艺流程，实现了设计结构的工艺验证。

公开(公告)号：CN117253789A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311239641.8

申请日：2023-09-25

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网山西省电力公司信息通信分公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 孙俊敏 ,  葛欢 ,  朱涛 ,  阎海亮 ,  蔡依沙 ,  张丙可 ,  周行 ,  白雪 ,  董佳俊 ,  王海兴 ,  李嘉琳

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/41 ,  C09K13/06

摘要： 本发明提供了一种钛铝腐蚀底层钛超出铝边缘的腐蚀方法及器件，属于半导体制造技术领域。其中，方法包括：在晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；在待腐蚀区域表面上旋涂光刻胶，并进行光刻处理，形成具有预设形状窗口的光刻胶膜；通过预设形状窗口对金属铝层和金属钛层依次进行腐蚀，然后根据刻蚀液对膜的腐蚀选择性特点，再进行钛铝金属膜腐蚀使铝层边缘缩进，去除光刻胶膜，从而实现底层钛超出铝边缘的腐蚀形貌。本发明通过二次铝层腐蚀的方法，既可以去除铝屋檐结构，又可以实现钛金属层超出铝层边缘的独特形貌，使金属电极接触更加充分，从而使边缘不易脱落，也为后续工艺提供更加良好的接触界面，以到提高芯片可靠性的目的。

公开(公告)号：CN118039454A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211366740.8

申请日：2022-11-01

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网山西省电力公司信息通信分公司

发明人： 葛欢 ,  常树丞 ,  孙俊敏 ,  吴沛飞 ,  何荧峰 ,  李旭晗 ,  蔡依沙 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L23/29 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56

摘要： 一种提高PECVD生长氧化硅薄膜致密性的方法及碳化硅器件，包括：在衬底晶圆上通过等离子体增强化学的气相沉积方法生长设定厚度的二氧化硅介质层；将所述二氧化硅介质层放置在包含氧气的气体氛围内，在退火温度大于预设温度条件下进行退火处理，形成致密的二氧化硅薄膜。本发明通过在包含氧气的气体氛围内，使退火温度大于预设温度条件下，通过大于预设温度的退火温度、退火时间以及包含氧气的气体氛围内对二氧化硅介质层进行退火，从而可以使二氧化硅介质层中处于畸变位置的一些原子，恢复到正常状态，可以进一步消除冻结的缺陷，发生各种再结晶，从而导致晶粒增大晶界减少，提高二氧化硅薄膜的致密性。

公开(公告)号：CN117096014A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202211687933.3

申请日：2022-12-27

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 魏晓光 ,  周行 ,  李玲 ,  朱涛 ,  吴沛飞 ,  葛欢 ,  白雪 ,  孙俊敏 ,  严静融 ,  李嘉琳 ,  武婧敏 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/311

摘要： 一种半导体器件的刻蚀方法，包括如下步骤：晶圆打标号，晶圆清洗，保护层的形成，涂胶工艺，在一定温度和一定真空度下进行低温真空干燥处理，在一定磁场功率和一定射频偏压功率辅助条件下将高压氮气分散到真空干燥处理后的晶圆上，形成光刻胶掩膜步进式光刻机曝光，曝光后显影，刻蚀，去胶，清洁。本发明用于消除光刻胶膜上形成的微波纹，提高光刻胶的致密性和均匀性，达到精准刻蚀的目的。

公开(公告)号：CN116779641A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310394327.0

申请日：2023-04-13

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 李嘉琳 ,  朱涛 ,  魏晓光 ,  张丙可 ,  李玲 ,  赵万利 ,  周行 ,  葛欢 ,  常树丞 ,  孙俊敏 ,  白雪

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及一种低反向漏电流的肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括元胞区，元胞区包括衬底层、外延层、高掺杂区、高肖特基势垒接触区域、中肖特基势垒接触区域、正面电极层、背面电极层；所述外延层位于所述衬底层之上。本发明通过在常规肖特基势垒面积较大的区域加入部分高肖特基势垒区域，此区域导通开启电压小，但具有高肖特基势垒，在正向通流能力损失较少的情况下，减少肖特基势垒二极管和结势垒肖特基二极管部分因肖特基区域镜像力导致反向阻断漏电过大的问题。

公开(公告)号：CN116435340A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310392327.7

申请日：2023-04-13

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 朱涛 ,  张丙可 ,  魏晓光 ,  李嘉琳 ,  李玲 ,  周行 ,  赵万利 ,  葛欢 ,  常树丞 ,  阎海亮 ,  李青岭

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/872

摘要： 一种肖特基二极管的元胞结构，属于半导体技术领域，元胞区平面区域包括高掺杂区、肖特基势垒接触区和高肖特基势垒接触区；所述高掺杂区为P型或N型；所述高肖特基势垒接触区不在所述高掺杂区；所述高肖特基势垒接触区与所述肖特基势垒接触区相邻；所述肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基接触的肖特基势垒高度低于所述高肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基势垒。本发明通过在常规肖特基势垒接触区域之间引入高肖特基势垒接触区域，减少其漏电流，同时此区域面积较小且易穿通，对正向导通压降的影响较小。

公开(公告)号：CN118039467A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211366766.2

申请日：2022-11-01

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 葛欢 ,  王锐 ,  朱涛 ,  常树丞 ,  李青岭 ,  严静融 ,  阎海亮 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/06

摘要： 一种提高注入离子掺杂深度的方法及碳化硅器件，包括：选取平行于晶圆主晶轴或垂直于原子密度较小晶面的离子注入方向；根据所述离子注入方向对预设温度的晶圆进行倾斜和/或旋转处理，并在处理后的晶圆上进行离子注入。本发明通过选取平行于晶圆主晶轴，或垂直于原子密度较小晶面的注入方向进行注入，就可以利用隧道效应，使得杂质离子通过晶格间隙的通道时不与电子和原子核发生碰撞，能量损失减少，最终停留在更深的地方，从而有效的解决了由于注入能量限制导致的注入深度受限的问题。