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公开(公告)号：CN113224216B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110521392.6
申请日：2021-05-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111525010B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010362919.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高发光效率的深紫外发光二极管芯片及其制作方法。该高发光效率的深紫外发光二极管芯片包括外延结构以及与所述外延结构相匹配的P型电极、N型电极，其中，所述外延结构包括依次叠层设置的p‑AlGaN层、多量子阱层以及n‑AlGaN层，所述n‑AlGaN层上形成有台面，所述台面包含多个六棱锥体结构。本发明实施例提供一种高发光效率的深紫外发光二极管芯片，在对n‑AlGaN进行图形化的同时，基于特定图形、尺寸以及表面覆盖率的设置，有效降低了DUV LED的全反射，并显著提高了DUV LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN113224216A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110521392.6
申请日：2021-05-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN105023858B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510308515.2
申请日：2015-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公布了一种集成石墨烯温度传感的LED器件及其制造方法，该器件在芯片上包含LED发光器件和温度传感器件。温度传感器件是一种石墨烯器件。LED发光器件和温度传感器件采用背对背的上下堆叠结构，上方是LED发光器件，下方是温度传感器件。可以通过测量温度传感器件中石墨烯薄膜电阻随温度的变化监测LED发光器件的结温。本发明提供的集成石墨烯温度传感LED器件不仅能够实时、准确、稳定的反映LED器件的结温，而且能够有效的提高LED发光器件的出光率和改善整个器件的散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108615797A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810400045.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/105 , H01L33/145 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。
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公开(公告)号：CN106876532A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710033552.6
申请日：2017-01-13
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/36
Abstract: 本发明公开了一种高出光率、高可靠性的紫外半导体发光二极管，包括一LED芯片，所述LED芯片中在p型层上依次设有石墨烯透明导电层、金属导电层和导电反射层，石墨烯透明导电层特征在于其由多次转移的石墨烯堆叠而成，所述石墨烯透明导电层以及金属导电层与p型层之间形成欧姆接触。所述多次转移的石墨烯透明导电层由单层或多层石墨烯多次转移而成，所述金属导电层形成于石墨烯层之上或者于多层石墨烯之间。本发明通过多次转移堆叠石墨烯，降低了面电阻，提高发光效率；本发明的金属导电层形成工艺，在氮气、氧气混合气氛中400℃条件下退火2min使接触电阻率降至4.3*10‑4Ω·cm‑2，同时使得Al反射层在450nm时反射率维持在90％。
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公开(公告)号：CN1077607C
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN98111554.3
申请日：1998-11-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 光辐射加热金属有机化学汽相淀积GaN的生长方法和装置，将α-Al2O3(蓝宝石)衬底进行表面清洗，然后将衬底进入采用环绕石英反应器的碘钨灯光辐射加热系统反应室内，抽真空；衬底在H2气氛下高温退火，通入TMG和NH3生长GaN缓冲层，生长GaN外延层，本发明利用光辐射促进了NH3分子分解，有利于抑制GaN外延层中的N空位，得到了近乎完美的单晶。
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公开(公告)号：CN119470598A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510058540.3
申请日：2025-01-14
IPC: G01N27/414 , B01L3/00
Abstract: 本申请提供一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法，包括：基板、半导体场效应晶体管和微流道结构。微流道结构包括基片、参比电极和盖片。基片包括沟槽，沟槽用于放置参比电解液，参比电极至少覆盖沟槽的侧壁。盖片设置于基片远离基板的一侧表面，盖片覆盖沟槽，盖片用于进行参比电解液和待测溶液之间的离子交换，从而实现液体传感器进行检测的功能。由此可见，本申请通过利用包括沟槽的基片，覆盖沟槽侧壁的参比电极以及密封参比电解液的盖片形成集成度较高的微流道结构，微流道结构和半导体场效应晶体管集成在同一个基板上，进一步提高集成度，从而最终实现半导体场效应晶体管液体传感器的微型化，从而满足多种场景的检测需求。
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公开(公告)号：CN114927511A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210413625.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种单片集成大面积多色高分辨显示的Micro‑LED芯片及其制作方法。所述Micro‑LED芯片包括层叠设置的第一LED芯片阵列和第二LED芯片阵列，所述第一LED芯片阵列包括多个正装结构的第一LED芯片，所述第二LED芯片阵列包括多个倒装结构的第二LED芯片；设置在第一LED芯片阵列与第二LED芯片阵列之间的驱动阵列，所述驱动阵列包括多个驱动单元，所述驱动单元集成在所述Micro‑LED芯片的像素原位，并且每一第一LED芯片、每一第二LED芯片分别与相应的驱动单元电连接。本发明通过正装与倒装芯片交替排列降低了在可以减小LED芯片间距，提高显示屏的分辨率，从而使得显示效果更佳细腻。
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