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公开(公告)号：CN112470349B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201980049190.7
申请日：2019-07-22
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： U.丁格
IPC分类号： H01S3/09
摘要： 自由电子激光器(35)包括用于反馈发射的照明辐射(5)的反馈装置(36)。
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公开(公告)号：CN107850851A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680039893.8
申请日：2016-07-07
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/70575 , G02B26/0833 , G03F7/70033 , G03F7/70116 , G03F7/70258 , G03F7/7085
摘要： 提出光刻设备(100)，其包括：产生具有特定重复频率(f1)的辐射的辐射源(106A)；在所述光刻设备(100)中引导所述辐射的光学部件(200)；位移所述光学部件(200)的致动器装置(210)；以及测量装置(230)。在此，测量装置(230)配置为通过具有特定测量信号频率(f2)的测量信号(S2)来确定所述光学部件(200)的位置，所述测量信号频率(f2)不等于所述重复频率(f1)且不等于所述重复频率(f1)的整数倍。因此，测量装置对于电流脉冲是不灵敏的，该电流脉冲由于辐射源的使用波长(例如0.1nm至30nm)，由从光刻设备中的光学部件的表面或者从等离子体之中释放的电荷载流子来产生。进一步，提供操作光刻设备的方法。
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公开(公告)号：CN103443863A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015247.X
申请日：2012-03-21
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号： G21K1/06
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067
摘要： 一种EUV反射镜布置(100)，具有彼此并排布置并且共同形成所述反射镜布置的反射镜表面的多个反射镜元件(110、111、112)。每个反射镜元件具有基板(120)和多层布置(130)，所述多层布置被施加到所述基板上，并关于来自极紫外范围(EUV)的辐射具有反射效果，所述多层布置包括多个层对(135)，该层对具有由高折射率层材料和低折射率层材料组成的交替层。所述多层布置具有活性层(140)，该活性层布置在辐射进入表面和基板之间，并由压电活性层材料组成，可通过电场的作用来改变所述活性层的层厚度(z)；对于每个活性层，提供电极布置，用于产生作用于所述活性层的电场。
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公开(公告)号：CN107850851B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201680039893.8
申请日：2016-07-07
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
摘要： 提出光刻设备(100)，其包括：产生具有特定重复频率(f1)的辐射的辐射源(106A)；在所述光刻设备(100)中引导所述辐射的光学部件(200)；位移所述光学部件(200)的致动器装置；以及测量装置(230)。在此，测量装置(230)配置为通过具有特定测量信号频率(f2)的测量信号(S2)来确定所述光学部件(200)的位置，所述测量信号频率(f2)不等于所述重复频率(f1)且不等于所述重复频率(f1)的整数倍。因此，测量装置对于电流脉冲是不灵敏的，该电流脉冲由于辐射源的使用波长(例如0.1nm至30nm)，由从光刻设备中的光学部件的表面或者从等离子体之中释放的电荷载流子来产生。进一步，提供操作光刻设备的方法。
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公开(公告)号：CN103140801A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180041910.9
申请日：2011-08-30
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G02B5/0891 , G02B5/0808 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/06
摘要： 提出了一种适用于EUV波长范围中的波长使用的反射镜的基底，该基底（1）包含主体(2)和抛光层(3)，其中抛光层(3)具有小于10μm的厚度以及小于0.5nm的均方根粗糙度，并且主体(2)由铝合金制成。此外，在EUV反射镜(4)的基底(1)的抛光层(3)上设置高反射层(6)。
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公开(公告)号：CN112470349A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980049190.7
申请日：2019-07-22
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： U.丁格
IPC分类号： H01S3/09
摘要： 自由电子激光器(35)包括用于反馈发射的照明辐射(5)的反馈装置(36)。
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公开(公告)号：CN103443863B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280015247.X
申请日：2012-03-21
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号： G21K1/06
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067
摘要： 一种EUV反射镜布置(100)，具有彼此并排布置并且共同形成所述反射镜布置的反射镜表面的多个反射镜元件(110、111、112)。每个反射镜元件具有基板(120)和多层布置(130)，所述多层布置被施加到所述基板上，并关于来自极紫外范围(EUV)的辐射具有反射效果，所述多层布置包括多个层对(135)，该层对具有由高折射率层材料和低折射率层材料组成的交替层。所述多层布置具有活性层(140)，该活性层布置在辐射进入表面和基板之间，并由压电活性层材料组成，可通过电场的作用来改变所述活性层的层厚度(z)；对于每个活性层，提供电极布置，用于产生作用于所述活性层的电场。
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