公开(公告)号：CN107424963B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201710357108.X

申请日：2017-05-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M.鲍尔 ,  R.恩格尔 ,  M.许廷格 ,  W.卡纳特 ,  H.克尔纳 ,  J.马勒 ,  B.吕勒

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/18 ,  H01L23/26

摘要： 本发明涉及芯片封装和用于形成芯片封装的方法。在各种实施例中，提供了芯片封装。芯片封装可以包括：芯片，包括芯片金属表面；金属接触结构，电接触芯片金属表面；封装材料，至少部分地封装芯片和金属接触结构；以及化学化合物，物理地接触封装材料以及芯片金属表面和金属接触结构中的至少一个，其中，化学化合物可以被配置成，与没有化学化合物的布置中的粘附相比，改善在金属接触结构和封装材料之间和/或在芯片金属表面和封装材料之间的粘附，其中化学化合物基本上不含有包括硫、硒或碲的官能团。

公开(公告)号：CN103296007B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201310065365.8

申请日：2013-03-01

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.恩格尔 ,  S.亨内克 ,  N.迈斯 ,  D.梅因霍尔德 ,  H-J.蒂默 ,  N.乌班斯基 ,  A.瓦特

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20752

摘要： 本发明涉及用于传导垫的保护层及其形成方法。在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括在衬底上方形成金属线以及在金属线的顶部表面上方沉积合金化材料层。该方法进一步包括通过将合金化材料层与金属线组合而形成保护层。

公开(公告)号：CN107424963A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710357108.X

申请日：2017-05-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M.鲍尔 ,  R.恩格尔 ,  M.许廷格 ,  W.卡纳特 ,  H.克尔纳 ,  J.马勒 ,  B.吕勒

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/18 ,  H01L23/26

摘要： 本发明涉及芯片封装和用于形成芯片封装的方法。在各种实施例中，提供了芯片封装。芯片封装可以包括：芯片，包括芯片金属表面；金属接触结构，电接触芯片金属表面；封装材料，至少部分地封装芯片和金属接触结构；以及化学化合物，物理地接触封装材料以及芯片金属表面和金属接触结构中的至少一个，其中，化学化合物可以被配置成，与没有化学化合物的布置中的粘附相比，改善在金属接触结构和封装材料之间和/或在芯片金属表面和封装材料之间的粘附，其中化学化合物基本上不含有包括硫、硒或碲的官能团。

公开(公告)号：CN103296007A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310065365.8

申请日：2013-03-01

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.恩格尔 ,  S.亨内克 ,  N.迈斯 ,  D.梅因霍尔德 ,  H-J.蒂默 ,  N.乌班斯基 ,  A.瓦特

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20752

摘要： 本发明涉及用于传导垫的保护层及其形成方法。在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括在衬底上方形成金属线以及在金属线的顶部表面上方沉积合金化材料层。该方法进一步包括通过将合金化材料层与金属线组合而形成保护层。