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公开(公告)号：CN117779205A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410086276.X
申请日：2024-01-22
申请人： 上海征世科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种提升金刚石拼接处质量的方法，用于解决拼接处质量不均匀、位错密度大、结合强度差的问题，属于CVD金刚石生长领域。本发明对金刚石拼接处进行激光切割，使得拼接处形成V型槽，同时引入含氧气体，对拼接处的V槽进行优先生长修复，修复完成后进行衬底的全面生长，提高了拼接处质量，获得高质量大面积单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN117393422B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311685913.7
申请日：2023-12-11
摘要： 本发明涉及一种制造碳化硅复合衬底的方法，所述方法包括如下步骤：具有离子注入损伤层的碳化硅供体材料与半导体衬底材料键合，形成碳化硅复合结构；然后对碳化硅复合结构进行化学腐蚀，热处理后得到碳化硅复合衬底与碳化硅回收供体。离子注入损伤层的应力集中、应变能更大、其发生化学反应更加强烈，因此更容易发生化学腐蚀；本发明提供的方法能够实现因晶圆R型倒角或T型倒角而未键合的离子注入区域的完全腐蚀，最终所得碳化硅回收供体无需进行倒角或机械减薄，可再次作为供体材料进行使用。
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公开(公告)号：CN115261982B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210917780.0
申请日：2022-08-01
申请人： 北京科技大学
摘要： 一种基于侧面键合拼接生长大尺寸单晶金刚石的方法，属于金刚石半导体生长领域。通过侧面键合，对单晶金刚石籽晶进行拼接处理，形成马赛克拼接衬底，并在衬底上外延生长CVD金刚石，工艺步骤为：a.对单晶金刚石侧面进行抛光，以获得光滑的垂直侧面；b.对金刚石籽晶侧面进行Ar+离子束轰击，以去除侧面吸附的气体和天然氧化物；c.在籽晶侧面镀键合金属膜；d.将镀完膜后的籽晶或未镀膜但已经过Ar+处理的籽晶迅速进行键合，并压紧；e.对拼接衬底在同一个抛光工件上进行抛光处理；f.抛光后的衬底转移至微波等离子体化学气相沉积装置的腔室中，进行金刚石的外延生长。本发明籽晶结合紧密，可操作性强，衬底抛光后高度差小，表面状态相近利于大面积生长。
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公开(公告)号：CN117377794A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037075.X
申请日：2022-05-31
申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 三菱电机株式会社
IPC分类号： C30B33/06
摘要： 一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10)，其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成，其中，拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差为10nm以下。
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公开(公告)号：CN116856066B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311121092.4
申请日：2023-09-01
申请人： 宁波合盛新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅籽晶粘结方法，包括步骤：S100、提供待粘接的籽晶，籽晶的硅面设有多个凹坑，凹坑的直径为10μm~200μm，凹坑的深度为3μm~20μm；S200、在石墨盖的粘接面浸涂胶水，在石墨纸的两面浸涂胶水，在籽晶的硅面浸涂胶水；S300、将石墨纸的两面分别与石墨盖的粘接面和籽晶的硅面粘接得到粘接件，并将粘接件进行热压烧结，得到预制件；S400、对预制件进行高温碳化处理，使得胶水碳化，并在石墨纸与籽晶的硅面之间形成Si‑C键。使用本发明提供的碳化硅籽晶粘结方法得以通过较为简便的上胶方式使得籽晶、石墨纸和石墨盖达到良好的粘结效果，从而获得较高品质碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN116988157A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311251066.3
申请日：2023-09-26
申请人： 山西第三代半导体技术创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉，具体涉及碳化硅籽晶生产技术领域，所述温压粘接组件包括用于密封的上盖，上盖设置在主体的内腔顶部，用于抽真空的抽真空机，抽真空机设置在上盖的顶部。本发明由各个限位横杆对各个碳化硅骨架进行分梳，通过导流孔的锥形截面聚拢之后导入保温腔体内，同时通过导流孔的锥形截面，使得热温喷出时更具有针对性，以提高碳化硅籽晶和碳化硅骨架粘接时的效率，料架上的各个碳化硅籽晶和碳化硅骨架能够旋转位移并逐个与导流孔聚拢在一起的热温相接触，也方便将吹在碳化硅籽晶和碳化硅骨架上之后的热温牵引至保温腔体内，也方便物料的存取，提高装置在使用时的便捷。
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公开(公告)号：CN116949578A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310951604.3
申请日：2023-07-31
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种籽晶粘接烧结定位结构及提高晶体质量的粘接方法，依次包括压块、籽晶、籽晶托、石墨纸、籽晶托定位环、籽晶定位环、螺纹孔、石墨螺钉，螺纹。所述籽晶托定位环上中部设有螺纹孔，底部设有螺纹。本发明通过螺纹钉及籽晶托定位环、籽晶定位环对籽晶进行定位，避免籽晶在粘接过程中发生偏移。通过本发明的籽晶粘结结构与方法，不仅实现籽晶的完全对中，而且可应用于各种尺寸的籽晶粘结。
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公开(公告)号：CN116926684A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310948734.1
申请日：2023-07-31
申请人： 复旦大学
摘要： 本发明公开了一种SiC人工晶界合成方法，利用单晶碳化硅基片制备任意角度和类型SiC人工晶界的精确方法。制备过程包括以下步骤：首先对单晶SiC基片进行切割，然后对单晶SiC基片进行化学清洗，以去除可能的污染和氧化层；随后，对清洗后的单晶SiC基片进行表面氢化处理，以确保单晶SiC基片在空气中长时间保持无氧化层的状态。最后，将经过氢化处理的单晶SiC基片转移到热压炉中进行压合。本发明通过改进一系列化学清洗和高温氢化处理步骤，确保单晶SiC基片表面保持长时间的洁净状态。配合热压炉的使用，可以精确制备出任意取向的SiC人工晶界。
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公开(公告)号：CN116377596B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310658582.1
申请日：2023-06-06
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅籽晶粘结固定技术领域，具体涉及一种碳化硅籽晶粘结固定用加热装置和加热方法，包括同心定位工装，同心定位工装还包括：金属压块，其位于碳化硅籽晶的远离石墨盖板的一侧，且其侧面与所述金属固定环套接固定；定位压块，其位于所述金属压块与碳化硅籽晶之间，其下表面的中心处设置有向下的弧形凸起；定位部，其设置在所述定位压块的侧面且沿定位压块的圆周方向排布，并沿定位压块侧面向碳化硅籽晶方向延伸至接触石墨盖板顶面的侧面，定位压块、定位部、石墨盖板之间形成爪子型定位槽以容纳碳化硅籽晶；紧固件。本发明在保持碳化硅籽晶和石墨盖板的同心度的同时，既能充分排气又保证了定位压块不变形。
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公开(公告)号：CN112359413B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202011260313.2
申请日：2020-11-12
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 崔殿鹏
摘要： 本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法，其包括：在籽晶托的粘接面上形成第一有机层，用以降低籽晶托的孔隙率；在碳化硅籽晶的粘接面上形成第二有机层，用以保护碳化硅籽晶；将柔性阻隔片的两个表面分别与籽晶托上的所述第一有机层和碳化硅籽晶上的第二有机层粘接；采用加热的方式对粘接后的碳化硅籽晶进行固化。本发明实施例提供的碳化硅籽晶粘接方法，可以减少晶体生长过程中的六方空洞缺陷，提升晶体质量。
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