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    具有可调功函数的场效应晶体管叠层
    1.
    发明授权
    具有可调功函数的场效应晶体管叠层 有权

    公开(公告)号：CN108475693B

    公开(公告)日：2021-12-24

    申请号：CN201680078837.5

    申请日：2016-11-22

    申请人： 国际商业机器公司

    发明人： 鲍如强 ,  S·克瑞什南 ,  权彦五 ,  V·纳拉亚南

    IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/28

    摘要： 一种用于制造半导体器件的栅叠层的方法包括：在器件的沟道区上方形成第一介电层，在第一介电层上形成第一氮化物层，在第一氮化物层上方形成第一栅金属层，在第一栅极金属层上方形成覆盖层，去除覆盖层和第一栅极金属层的部分以暴露栅叠层的p型场效应晶体管(pFET)区中的所述第一氮化物层的一部分，在第一氮化物层和覆盖层上沉积清除层，在清除层上沉积第二氮化物层，以及在第二氮化物层上沉积栅电极材料。

    器件参数的测量方法
    2.
    发明公开
    器件参数的测量方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113678241A

    公开(公告)日：2021-11-19

    申请号：CN202080027185.9

    申请日：2020-03-27

    申请人： 罗姆股份有限公司

    发明人： 柳达也

    IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  G01R31/26 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/00 ,  H01L21/336

    摘要： 例如，器件参数的测量方法包括：在m个电阻值(其中m为3以上的整数)中切换所述开关元件的外部栅极电阻的同时，反复测量开关元件在其开关瞬态下的栅源电压(或栅极‑发射极电压)的步骤；以及在用Rgin和Vp分别表示所述开关元件的内部栅极电阻和坪电压，并将所述外部栅极电阻的m个电阻值和相应的所述栅源电压(或栅极‑发射极电压)的m个电压值分别用作Rg(k)和Vgs(k)(其中k＝1，2…m)的同时，通过进行方程Vgs(k)＝Rg(k)/(Rg(k)+Rgin)×Vp的拟合来导出所述开关元件的内部栅极电阻Rgin或坪电压Vp的步骤。

    半导体元件及其制造方法
    3.
    发明授权
    半导体元件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106298497B

    公开(公告)日：2019-01-04

    申请号：CN201510308293.4

    申请日：2015-06-08

    申请人： 旺宏电子股份有限公司

    发明人： 林烙跃

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L29/00

    摘要： 本发明提供了一种半导体元件的制造方法，其包括以下步骤：在基底上形成鳍状结构，相邻的鳍状结构问具有开口；形成导体材料层，覆盖鳍状结构并填满开口；图案化导体材料层及鳍状结构，以形成网状结构，该网状结构具有在第一方向延伸的第一条状物与在第二方向延伸的第二条状物，第一条状物与第二条状物交叉，且网状结构具有孔洞。第一条状物位于基底上且位于与鳍状结构对应的位置。第二条状物位于基底上且第二条状物中的导体材料层横跨鳍状结构。孔洞位于开口中，孔洞的周围环绕第一条状物与第二条状物，并且该些孔洞延伸至较该些鳍状结构的底部更靠近该基底的位置。基于此制造方法，本发明还提供了一种半导体元件。

    低压差电压调节器电路
    8.
    发明公开
    低压差电压调节器电路 有权

    公开(公告)号：CN105992981A

    公开(公告)日：2016-10-05

    申请号：CN201580008141.0

    申请日：2015-02-19

    申请人： 德州仪器公司

    发明人： 尼汀·阿加瓦尔 ,  苏雷什·马拉拉

    IPC分类号： G05F1/10 ,  H01L29/00

    CPC分类号： G05F1/575

    摘要： 在所描述的实例中，揭示一种电压调节器(200)。电压调节器电路(200)包含开关(250)、第一反馈电路(202)及第二反馈电路(204)。所述开关(250)经配置以在第一端子处接收输入信号(108)且在第二端子处接收误差信号(254)，且经配置以在第三端子处产生输出信号(255)。所述第一反馈电路(202)包含第一晶体管(270)及第二晶体管(260)，其经配置以响应于所述输出信号(255)与参考信号(110)之间的差而控制所述开关(250)的所述第二端子处的所述误差信号(254)。所述第二反馈电路(204)经配置以感测所述误差信号(254)且在第二节点及第四节点处产生尾电流以分别维持所述第一晶体管(270)及所述第二晶体管(260)中的大体上相等电流，借此致使所述输出信号(255)的电压大体上等于所述参考信号(110)的电压。

    半导体开关器件及其制造方法
    9.
    发明授权
    半导体开关器件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN103563083B

    公开(公告)日：2016-05-11

    申请号：CN201280024800.6

    申请日：2012-05-10

    申请人： 国际商业机器公司

    发明人： 杨智超 ,  S.A.科恩 ,  李保振

    IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/205

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L23/5252 ,  H01L29/413 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 一种开关器件（140或240），包括：第一电介质层（102或207），具有第一顶表面（108或218）；两个导电特征（104、106或214、216），埋设在第一电介质层（102或207）中，每个导电特征（104、106或214、216）具有第二顶表面（110、112或220、222），其基本上与第一电介质层（102或207）的第一顶表面（108或218）共面；以及低扩散迁移率金属的一组离散岛（114a-c或204a-c），位于两个导电特征（104、106或214、216）之间。低扩散迁移率金属的离散岛（114a-c或204a-c）可位于第一顶表面（108）上或埋设在第一电介质层（207）中。当规定的电压施加到两个导电特征（104、106或214、216）时，开关器件（140或240）的两个导电特征（104、106或214、216）间的导电率增加。还提供一种形成该开关器件（140或240）的方法。