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    真空装置、其颗粒监控方法、程序以及颗粒监控用窗口部件
    91.
    发明公开
    真空装置、其颗粒监控方法、程序以及颗粒监控用窗口部件 失效

    公开(公告)号：CN1684236A

    公开(公告)日：2005-10-19

    申请号：CN200510060171.4

    申请日：2005-03-29

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚 ,  中山博之

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  F04B37/10 ,  F04B37/14 ,  G01N15/00 ,  C03C4/00

    摘要： 提供一种可切实地监控包含易剥离的沉积物的颗粒，正确地评价真空装置的清洁度的真空装置及其颗粒监控方法、程序和颗粒监控用窗口部件。半导体制造装置(1000)具备用于对晶片实施制品化处理的处理室(100)。处理室(100)上部连接有设置了阀门(120)、用于导入清洗气体的吸气管线，在下部连接有设置了阀门a的预抽管线(200)。预抽管线(200)上设置有：排出处理室(100)内的气体的干式泵(220)、在阀门a和干式泵(220)之间监控颗粒的颗粒监控装置(210)。半导体制造装置(1000)通过打开阀门(120)，供给清洗气体，将冲击波所产生的物理性振动赋予处理室(100)内，使沉积物剥离，监控颗粒。

    颗粒除去装置和颗粒除去方法及等离子体处理装置
    92.
    发明公开
    颗粒除去装置和颗粒除去方法及等离子体处理装置 有权

    公开(公告)号：CN1604270A

    公开(公告)日：2005-04-06

    申请号：CN200410064270.5

    申请日：2004-08-23

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚 ,  长池宏史

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

    CPC分类号： H01J37/32431 ,  C23C16/4401 ,  H01J2237/022

    摘要： 本发明提供了一种可高效率地除去用等离子体处理产生的腔内的颗粒的、实用性高的颗粒除去技术。该颗粒除去装置具有包含带电用电极(72)、和控制带电用电极(72)的电位和电压施加定时的带电控制部分(74)的颗粒带电控制装置。该带电用电极(72)通过绝缘体(70)安装在等离子体蚀刻装置的腔(10)的内壁或喷头(38)的内壁面上。利用由该颗粒带电控制装置形成的离子层区域中的正离子，使颗粒带正电，将带正电的颗粒，移送至等离子体处理装置的排气口(24)侧，并排出至腔(10)的外面(排气装置(28)侧)。

    成膜方法
    95.
    发明授权
    成膜方法 有权

    公开(公告)号：CN111164235B

    公开(公告)日：2022-03-18

    申请号：CN201880064563.3

    申请日：2018-09-26

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 岩下伸也 ,  守屋刚

    IPC分类号： C23C16/509 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

    摘要： 在一实施方式的成膜方法在基片载置于支承台上的状态下被执行。该成膜方法包括：从气体供给部向腔室主体的内部空间供给包含前体的前体气体的步骤；从气体供给部向内部空间供给反应性气体的步骤；生成反应性气体的等离子体以增强前体与反应性气体的反应的步骤。在生成反应性气体的等离子体的步骤中，调节供给到下部电极的第2高频的电功率与供给到上部电极的第1高频的电功率之比，并且用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位。

    基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法
    96.
    发明公开
    基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法 有权

    公开(公告)号：CN106409670A

    公开(公告)日：2017-02-15

    申请号：CN201610597359.0

    申请日：2016-07-26

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 牟田行志 ,  守屋刚 ,  森拓也 ,  竹下和宏 ,  江崎智规 ,  水永耕市 ,  田中雅山 ,  金川耕三 ,  中野圭悟

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/67

    摘要： 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层，对该热催化剂层进行了加热。因此，在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时，利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外，在将附着到透光窗的升华物去除时，将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内，在将热催化剂层靠近了透光窗后，加热清洁用基板，从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。

    洗涤装置和洗涤方法
    97.
    发明授权
    洗涤装置和洗涤方法 失效 复审申请

    公开(公告)号：CN101134203B

    公开(公告)日：2015-05-27

    申请号：CN200710147767.7

    申请日：2007-08-28

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚

    IPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/04

    摘要： 本发明提供了可以高效率而且充分地洗涤面向狭小空间的结构部件的洗涤装置。洗涤装置(100)具有主体(120)和从主体(120)内部弯曲自由地延伸的二层管喷嘴(110)。二层管喷嘴(110)具有喷出管(114)和包围该喷出管(114)的吸引管(112)，喷出管(114)的喷出口(114a)在吸引管(112)的吸引口(112a)内开口。喷出管(114)在其喷出口(114a)附近有缩颈部(114b)，在该缩颈部(114b)中使供给的给定气体加速。结果，该气体的一部分被空气溶胶化，并且该气体由于加速而形成冲击波。这样，喷出管(114)将包含气体和由与该气体相同的物质构成的空气溶胶的冲击波，向着附着在结构物(50)表面上的颗粒(P)喷出。

    衬底清洗方法
    99.
    发明授权
    衬底清洗方法 失效

    公开(公告)号：CN102349137B

    公开(公告)日：2014-04-16

    申请号：CN201080011571.5

    申请日：2010-03-10

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚 ,  横山新 ,  奥山喜久夫

    IPC分类号： H01L21/304

    CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/02057

    摘要： 本发明提供一种衬底清洗方法，将形成有微细图案的衬底以不会对其细微图案带来不良影响的方式在短时间内进行清洗。关于形成有具有代表长度为0.1μm以下的槽或者孔的微细图案的晶圆(W)，以在含有水分的空间内隔着配置在规定位置上的对置电极(46)并隔着固定间隔与具有锐角状的前端部的冷却自由的放电电极(45)的前端部相对置的方式，配置晶圆(W)，使放电电极(45)进行冷却使放电电极(45)产生结露，并且在放电电极(45)与对置电极(46)之间施加固定电压。在施加该固定电压时，在放电电极(45)的前端部产生含有直径10nm以下的水微粒子的气溶胶，通过将气溶胶喷射到晶圆(W)来清洗晶圆(W)。

    气密模块以及该气密模块的排气方法
    100.
    发明授权
    气密模块以及该气密模块的排气方法 失效

    公开(公告)号：CN101777487B

    公开(公告)日：2013-01-23

    申请号：CN201010126106.8

    申请日：2008-07-25

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 守屋刚

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/67201

    摘要： 本发明提供一种气密模块以及该气密模块的排气方法，能够不降低生产效率地防止在基板的主面形成的图案发生倾倒。基板处理系统的负载锁定模块(5)具有移载臂(31)、腔室(32)以及负载锁定模块排气系统(34)，在腔室(32)内以与搬入到腔室(32)内的晶片(W)的主面相对的方式配置有板状部件(36)，在晶片(W)的主面的正上方，通过晶片(W)的主面和板状部件(36)划分成与腔室(32)的剩余部分隔离的排气流路，该排气流路的截面积比腔室(32)的剩余部分的截面积小。