公开(公告)号：CN105161474B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201510397494.6

申请日：2015-07-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  于中尧

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及一种扇出型封装结构及其生产工艺，其特征是：包括芯板，芯板上的槽体中设置芯片，芯片的正面具有焊盘，焊盘上设置凸点；所述芯板、芯片以及位于芯片正面和背面的介质材料压合在一起，芯片正面的焊盘和凸点嵌入介质材料中，芯片与槽体之间的空隙中填充介质材料；所述芯片背面的介质材料外表面设有金属层，在芯片正面的介质材料外表面设有阻焊层，在阻焊层中布置RDL线路层，RDL线路层的焊盘上设有BGA球；在所述芯片正面的介质材料上设有激光盲孔，激光盲孔中填充电镀金属，RDL线路层通过激光盲孔中的电镀金属与芯片正面的凸点互连。本发明排除了有机基板埋置有源芯片对芯片的限制条件，提高器件封装的良率，降低了扇出型封装成本。

公开(公告)号：CN105960099B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201610402804.3

申请日：2016-06-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 于中尧 ,  方志丹 ,  张绪

IPC分类号： H05K3/00 ,  H05K3/38

摘要： 本发明提供一种三层基板制造方法，包括下述步骤：提供一复合承载板；将两张中间层铜箔分别通过两张中间层半固化片低温压合在复合承载板的两侧，形成叠层结构；在叠层结构两侧压一次干膜；然后对一次干膜光刻形成中间层图形；蚀刻形成中间层线路；去除蚀刻用的一次干膜；然后将两张外层铜箔分别通过两张外层半固化片高温压合在叠层结构的两侧；将复合承载板离型膜两侧的两个三层金属结构，从离型膜分离；在三层金属无芯结构的两侧激光钻盲孔；然后在三层金属无芯结构的两侧表面蚀刻去除面铜；两侧表面均形成化学镀铜层；然后压二次干膜；形成图形电镀掩膜；进行图形电镀将盲孔填充形成外层线路；本发明可解决基板曲翘问题。

公开(公告)号：CN107123601A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710390118.3

申请日：2017-05-27

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 于中尧 ,  郭学平 ,  曹立强

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498

摘要： 本发明的实施例提供一种封装结构，包括：基板，所述基板上具有芯片槽；芯片，所述芯片置于所述芯片槽中，所述芯片的正面上设置有芯片电极；第一散热结构，所述第一散热结构设置在所述芯片的背面和所述基板的第一面上；第二散热结构，所述第二散热结构设置在所述基板的与所述第一面相对的第二面上；以及第三散热结构，所述第三散热结构设置在所述芯片槽的侧壁上，并且与所述第一散热结构和所述第二散热结构热连通。

公开(公告)号：CN107104091A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710390117.9

申请日：2017-05-27

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 于中尧

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L23/49838

摘要： 本发明的一个实施例提供一种半埋入线路基板结构，包括：半固化基板；半埋入到所述半固化基板中的半埋入线路；其中，所述半埋入线路的第一面位于与所述线路同侧的所述半固化基板的表面之上，所述半埋入线路的与所述第一面相对的第二面位于与所述线路同侧的所述半固化基板的表面之下，所述半埋入线路的侧面的一部分位于所述线路同侧的所述半固化基板的表面之上，所述半埋入线路的侧面的另一部分被所述半固化基板包裹。

公开(公告)号：CN106783796A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611116597.1

申请日：2016-12-07

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  郝虎 ,  于中尧

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92144 ,  H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816

摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，其中，所述芯片封装结构包括：第一芯片，第一芯片的有源面设置有粘结层，所述粘结层对应第一芯片的焊盘设置有粘结层盲孔，第一芯片非有源面的其他侧面有包覆材料包封，介质层，设置在粘结层上方，介质层上设置有与粘结层盲孔对应设置的介质层盲孔，粘结层盲孔和介质层盲孔中填充有导电材料，第一重布线层，与粘结层盲孔和介质层盲孔中填充的导电材料电连接，焊球，与第一重布线层电连接。采用上述技术方案，第一芯片与第一重布线层通过介质层盲孔和粘结层盲孔中的导电材料电连接，设置两阶盲孔，有效提高了封装精度，避免贴片过程中对芯片造成损伤。

公开(公告)号：CN106531711A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611117441.5

申请日：2016-12-07

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  于中尧 ,  曹立强 ,  林挺宇 ,  郝虎

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L23/492 ,  H01L24/27 ,  H01L24/31

摘要： 本发明提供了一种芯片的板级封装结构及制作方法，其中封装结构包括：基板，基板上形成有至少两个容纳空间；IGBT芯片和驱动芯片分别嵌入到对应的容纳空间内；形成在基板、IGBT芯片和驱动芯片表面上的第一介质层，IGBT芯片和驱动芯片的至少部分电极露出并覆盖有第一金属镀层，且至少一个IGBT芯片的栅极通过由第一金属镀层形成的第一线路层与驱动芯片的控制电极电连接；在第一介质层以及第一线路层上覆盖第二介质层，且IGBT芯片的源极和漏极上方的第一金属镀层露出；形成第一金属镀层上的金属种子层；形成在第二介质层和金属种子层上的第二金属镀层。本发明实施例提供了一种芯片的板级封装结构及制作方法，有效改善了芯片封装结构的电学性能。

公开(公告)号：CN106531642A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611116575.5

申请日：2016-12-07

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  郝虎 ,  于中尧

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L2224/16235 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3511 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构及其制备方法，制备方法包括：提供一载板，在载板的上下表面制备双层剥离结构，在双层剥离结构上远离载板的一侧制备重布线层，在重布线层以及双层剥离结构表面制备第一介质层，在第一介质层中制备至少一个盲孔，在盲孔内填充导电材料，提供一芯片，将芯片倒装在第一介质层上，在芯片周围制备第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层且包覆芯片，将双层剥离结构进行剥离，刻蚀双层剥离结构的上层结构，露出重布线层和第一介质层，在重布线层上远离第一介质层的一侧制备焊球，焊球与重布线层电连接。综上，制备方法简单、操作性强，成本低，可以避免芯片损伤，同时在载板两侧同时进行制备工艺开展，效率高，避免翘曲。

公开(公告)号：CN106488658A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201611234175.4

申请日：2016-12-28

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 于中尧

IPC分类号： H05K3/06

CPC分类号： H05K3/06

摘要： 本发明公开了一种高密度基板半加成工艺种子层快速蚀刻装置及蚀刻方法，所述速蚀刻装置包括用于对待加工件进行水洗的快排清洗槽、用于对待加工件进行腐蚀和粗化处理的阳极氧化腐蚀槽、用于对表面未蚀刻干净的待加工件进行蚀刻的微蚀槽以及用于对待加工件进行烘干的烘干槽；所述待加工件包括高密度基板，基板上附着有金属种子层，金属种子层上设置有图形电镀线路；经半加成处理的待加工件以垂直挂板方式通过金属挂架按照工艺流程依次悬挂在上述各槽中完成快速蚀刻。本发明将种子层蚀刻和表面粗化一次完成，缩短了工艺流程以及加工时间，降低了工艺成本，提高了加工效率。

公开(公告)号：CN105161474A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510397494.6

申请日：2015-07-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  于中尧

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92144 ,  H01L24/10 ,  H01L24/81

摘要： 本发明涉及一种扇出型封装结构及其生产工艺，其特征是：包括芯板，芯板上的槽体中设置芯片，芯片的正面具有焊盘，焊盘上设置凸点；所述芯板、芯片以及位于芯片正面和背面的介质材料压合在一起，芯片正面的焊盘和凸点嵌入介质材料中，芯片与槽体之间的空隙中填充介质材料；所述芯片背面的介质材料外表面设有金属层，在芯片正面的介质材料外表面设有阻焊层，在阻焊层中布置RDL线路层，RDL线路层的焊盘上设有BGA球；在所述芯片正面的介质材料上设有激光盲孔，激光盲孔中填充电镀金属，RDL线路层通过激光盲孔中的电镀金属与芯片正面的凸点互连。本发明排除了有机基板埋置有源芯片对芯片的限制条件，提高器件封装的良率，降低了扇出型封装成本。

公开(公告)号：CN104952745A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510397407.7

申请日：2015-07-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  于中尧

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/561 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11

摘要： 本发明涉及一种芯片后组装扇出型封装结构及其生产工艺，其特征是，包括扇出型封装基板，扇出型封装基板上表面设置焊盘，扇出型封装基板下表面设置阻焊层，阻焊层中布置RDL线路层，扇出型封装基板上设有连通上下表面的通孔，通孔中填充金属，RDL线路层和焊盘通过通孔中的金属互连，RDL线路层的焊盘上设有BGA球；在所述扇出型封装基板上表面设有介质材料，扇出型封装基板的焊盘嵌入介质材料中，介质材料上表面设有基板坝体，基板坝体的槽体中贴装芯片；所述芯片正面的芯片焊盘上设有凸点，芯片焊盘和凸点嵌入介质材料中，凸点与扇出型封装基板上表面的焊盘连接。本发明解决了芯片铝焊盘无法与基板工艺兼容的问题和扇出型装良率的问题，降低了封装成本。