公开(公告)号：CN115911100A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202310192045.2

申请日：2023-03-02

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  鹿祥宾 ,  朱松超 ,  李君建 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  董子斌

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：初始衬底；阱区，形成于初始衬底；体区和漂移区，形成于阱区；源极，形成于体区靠近漂移区一侧；载流子吸附层，形成于体区，载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，载流子吸附层的一端延伸至体区远离漂移区一侧，另一端延伸至源极并紧贴源极底部，载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂；二氧化硅隔离层，形成于阱区，并位于体区底部；漏极，形成于漂移区；栅极，形成于体区上；场板，形成于漂移区上。通过本发明提供的晶体管，能够减少载流子在体区内聚集，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。

公开(公告)号：CN115863416A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310060867.5

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  刘春颖 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  鹿祥宾 ,  李君建

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，还包括：场板以及场板隔离结构，场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，空气介质腔形成于漂移区内，氧化层用于封闭空气介质腔，场板形成于氧化层的表面。本发明采用封闭的空气介质腔作为场板隔离介质层，相对于采用二氧化硅场板隔离介质层，本发明的空气介质腔中的空气与漂移区的硅直接接触，彻底消除SiO₂‑Si的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；并且，空气的介电常数远小于二氧化硅的介电常数，空气介质的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN113903857B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202111475179.2

申请日：2021-12-06

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  王凯 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  邓永峰 ,  吴波

IPC分类号： H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H01L21/02

摘要： 本发明实施例提供一种电容器、芯片及电容器的制备方法，该电容器包括：第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合。该电容器提高了各个电介质膜的表面平整度、降低了缺陷数量，而且提高了不同折射率电介质膜的耦合性，提升了层叠电介质的击穿电压和经时击穿性能，从而大幅度提高了电容器的电性能。

公开(公告)号：CN115642182B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202211461416.4

申请日：2022-11-16

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  余山 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  张东

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：硅衬底；阱区；第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，形成于阱区的两侧；第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状梯形体结构，第一漏极重掺杂区形成于部分第一氧化隔离层上，第二漏极重掺杂区形成于部分第二氧化隔离层上；第一漏极重掺杂区与第一漏极金属电极构成第一漏极，第二漏极重掺杂区与第二漏极金属电极构成第二漏极；体区、漂移区、第一场板、栅极、源极，形成于阱区。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN115360295B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211292154.3

申请日：2022-10-21

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安交通大学

发明人： 赵东艳 ,  邵瑾 ,  王帅鹏 ,  付振 ,  陈燕宁 ,  胡忠强 ,  董广智 ,  周芝梅 ,  胡毅 ,  李阳

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  G01R33/09 ,  G01R33/00 ,  G01R33/02

摘要： 本申请涉及磁传感器领域，提供一种基于长方体硅基通孔的三维磁传感器及其制造方法。所述基于长方体硅基通孔的三维磁传感器，包括长方体硅基底和三个薄膜磁阻单元，三个薄膜磁阻单元分别形成于长方体硅基底的三个相邻面的表面，三个薄膜磁阻单元通过长方体硅基底内部的硅通孔导线相互连接，所述硅通孔导线从长方体硅基底的三个相邻面垂直延伸到长方体硅基底内部进行连通；三个薄膜磁阻单元均设置有金属电极，所述硅通孔导线与三个薄膜磁阻单元的金属电极形成为一体。本申请本申请通过硅通孔导线实现三个薄膜磁阻单元的电气互联，集成度高、可靠性强，同时充分利用垂直空间实现高密度三维磁传感器的集成，体积小、功耗低。

公开(公告)号：CN115274858B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211205608.9

申请日：2022-09-30

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王帅鹏 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文 ,  张同

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片，属于芯片领域。该LDMOS器件包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的源极结构、栅极结构和漏极结构；半导体衬底内形成有漂移区和体区，栅极结构形成在源极结构和漏极结构之间；源极结构包括源极掺杂区和源极金属，源极掺杂区形成在体区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，源极金属与源极掺杂区相连；漏极结构包括漏极掺杂区和漏极金属，漏极掺杂区形成在漂移区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，漏极金属与漏极掺杂区相连；源极掺杂区与漏极掺杂区上方还形成有low‑K介质层，low‑K介质层环绕在源极金属和漏极金属的四周。

公开(公告)号：CN115271058B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211202953.7

申请日：2022-09-29

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 赵东艳 ,  潘成 ,  付振 ,  邵瑾 ,  陈燕宁 ,  潘彪 ,  张鹏 ,  庞振江 ,  王文赫

IPC分类号： G06N3/063 ,  G06N3/049

摘要： 本发明实施例提供一种类脑计算芯片和数据处理终端，属于芯片技术领域。所述类脑计算芯片包括类脑计算阵列，用于类脑计算任务的数据处理，所述类脑计算阵列包括多个脉冲神经处理单元，所述多个脉冲神经处理单元呈阵列分布，所述多个脉冲神经处理单元中的每一个脉冲神经处理单元用于处理神经元计算和突触计算。本发明实施例提供的类脑计算芯片包括由多个脉冲神经处理单元组成的类脑计算阵列；每一个脉冲神经处理单元都可以同时处理神经元计算和突触计算；替代了传统的类脑计算架构中分离式的神经元和神经突触，减少了因神经元和神经突触之间频繁的数据交换造成的能量损失和计算时延，显著提高了运算速度，降低了芯片在处理大量数据时的系统功耗。

公开(公告)号：CN115084245B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210875450.X

申请日：2022-07-25

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  郁文 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  付振 ,  余山 ,  邓永峰 ,  吴波 ,  王帅鹏

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法以及芯片，属于半导体集成电路技术领域。包括：半导体衬底、栅极结构、源极区、漏极区、体区以及漂移区，栅极结构包括电极层和栅介质层，栅介质层由若干层二氧化硅层和若干层高K介质层构成；体区和漂移区上方相邻设置有一层二氧化硅层和与该二氧化硅层相邻的一层高K介质层；漂移区上方的高K介质层上还设置有交替堆叠的多层二氧化硅层和多层高K介质层。体区上方的栅介质层采用双层结构，不影响体区形成导电沟道，漂移区上方的栅介质层采用堆叠结构，有效提升器件耐压能力。高K介质层之间插入的二氧化硅层能够阻断高K介质偶极子传导对沟道的影响，降低载流子声子散射现象对器件速度的影响。

公开(公告)号：CN115547794A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211123558.X

申请日：2022-09-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  张同 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  刘芳 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  王凯 ,  余山 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  刘春颖

IPC分类号： H01J37/16 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

摘要： 本发明实施例提供一种离子注入机及离子注入机内衬的制作方法，属于半导体制造及离子注入领域。所述离子注入机至少包括：离子源和腔体，所述离子源与所述腔体相接；所述离子源用于发射离子束；所述腔体用于传输所述离子束；所述腔体的内壁上设有内衬；所述内衬设有凸型结构。所述离子注入机分散了离子束对防护内衬工作表面的冲击作用，延长了防护内衬的使用寿命，降低离子注入的制造成本。

公开(公告)号：CN115358282A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211292155.8

申请日：2022-10-21

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  成睿琦 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  王立城 ,  仝傲宇 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： G06K9/00

摘要： 本申请涉及数据处理领域，提供一种电磁环境数据压缩方法及装置。所述电磁环境数据压缩方法，包括：对电磁环境数据中的突变信号数据进行截取；对截取的突变信号数据进行滤波处理；对滤波处理后的数据进行特征点选取；对选取的特征点连接形成的包络线进行数据拟合，提取描述包络线波形的特征参数，将描述包络线波形的特征参数作为电磁环境数据的特征值。本申请实施例通过选取电磁环境数据的特征点，将特征点连接形成的包络线进行数据拟合，将拟合得到的特征参数作为电磁环境数据的特征值，实现对电磁环境数据的压缩。在对电磁环境数据进行存储时，大大降低了数据存储容量，且可以从存储的数据中直接获取特征数据。