公开(公告)号：CN118099243A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410506023.3

申请日：2024-04-25

Applicant: 南京大学 ,  合肥国家实验室

Inventor： 任芳芳 ,  张健红 ,  陆海 ,  叶建东 ,  张荣

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/09 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开一种深紫外光广角探测封装结构，属于深紫外光信号探测技术领域。封装结构包括底座、深紫外探测器、管壳、衬底和超构透镜，超构透镜的排布方式包括单独整体排布、环形排布和扇形排布中的任意至少一种；单独整体排布的超构透镜整体用于将全角度入射光聚焦于深紫外探测器；环形排布的超构透镜按照不同角度入射光对应划分为中心区域和多个环形区域，用于将不同角度入射光聚焦到深紫外探测器的同一点；扇形排布的超构透镜按照不同角度入射光对应划分为中心区域和多个扇形区域，用于将不同角度入射光聚焦到深紫外探测器的同一点。本发明利用超构透镜实现多角度入射光聚焦的技术，解决大角度入射光信号被挡住导致的探测器探测效率低的问题。

公开(公告)号：CN118068155A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410495622.X

申请日：2024-04-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  方巍栋 ,  汪正鹏 ,  程东 ,  薛兢 ,  陈祺翔 ,  尹荣明 ,  李子铮 ,  窦蓉蓉 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明提供了一种多参量宽禁带半导体缺陷测试方法、装置及系统，包括激光激励器和实验台；所述实验台包括探针台和用于放置探针台的低温台；所述低温台与温控仪电连接；所述探针台上放置有待测产品，所述待测产品和所述激光激励器之间设置有斩波器；所述探针台电连接有电流放大器、用于在待测产品正负极施加偏置电压并测量电流具体数值的电学源表、监测产品电流波形与频率的示波器、对电流信号进行实时监测和控制的PC控制端。

公开(公告)号：CN117766564A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311804347.7

申请日：2023-12-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 王科 ,  陈松林 ,  邵鹏飞 ,  陈敦军 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于p‑GaN埋层结构调控阈值的增强型n沟道GaN高电子迁移率晶体管，其结构依次包括：一衬底；一生长于衬底上的GaN缓冲层；一生长于GaN缓冲层上的uid‑GaN层；一生长于uid‑GaN层上的Mg掺杂p‑GaN埋层；一生长于p‑GaN埋层上的uid‑GaN沟道层；一生长于uid‑GaN沟道层上的AlGaN势垒层；一生长于AlGaN势垒层上的Mg掺杂p‑GaN栅层；栅电极设置在p‑GaN栅层上；源电极、漏电极设置在AlGaN势垒层上。本发明在外延阶段直接埋入了一层p‑GaN，无需额外工艺就能实现对二维电子气(2DEG)的精确调控，便于获得高阈值的增强型GaN HEMT。

公开(公告)号：CN117637813A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311670062.9

申请日：2023-12-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈鹏 ,  梁子彤 ,  殷鑫燕 ,  刘先程 ,  牛天豪 ,  谢自力 ,  修向前 ,  陈敦军 ,  刘斌 ,  赵红 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了Si衬底上一种具有反向掺杂层的高耐压的横向肖特基二极管，其结构自下而上依次包括：p型Si衬底层、成核层、反向掺杂层、缓冲层、沟道层和势垒层，在沟道层和势垒层界面处产生二维电子气，在成核层与缓冲层之间还设有反向掺杂层，所述反向掺杂层为n‑GaN、n‑AlGaN或者n‑GaN/n‑AlGaN组合。本发明在成核层和缓冲层之间生长反向掺杂层，吸收从顶部扩散下来的外加电场，降低到达p型Si衬底界面的电场强度，延缓Si衬底表面反型层的出现，降低通过Si衬底出现的漏电流以及来自Si的感应电荷，专门针对Si衬底上制备的GaN基肖特基二极管器件，提高反向耐压性能；也同时降低来自Si衬底电荷的影响，提高GaN肖特基二极管的开关速度。

公开(公告)号：CN117577521A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311467203.7

申请日：2023-11-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李彬 ,  张荣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种激光切割或剥离后的碳化硅或氮化镓表面处理的方法，通过喷嘴将干冰颗粒或冰粒以高速的射速喷射到碳化硅或氮化镓激光切割或剥离表面。本发明通过干冰或者冰粒或者干冰‑二氧化硅小球混合物以高速的射速冷喷到碳化硅或氮化镓激光切割或剥离表面，可以快速、无污染、无损伤的去除表面颗粒和凸起物等。可以原位去除大部分激光剥离界面的颗粒、降低粗糙度实现界面平坦化，该方法具有快速、无污染、无新增表面损伤等优点，降低了后续研磨抛光的难度。

公开(公告)号：CN114717657B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202210272003.5

申请日：2022-03-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  陈燕婷 ,  张贻俊 ,  郝景刚 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法。首先对氧化物衬底进行预处理；再使用氧气等离子体辅助的激光分子束外延，常温下在氧化物衬底上异质外延氧化镍，获得单晶氧化镍。本发明结合衬底预处理和氧气等离子体辅助沉积，通过激光分子束外延，对生长条件进行了优化，在常温下获得了NiO单晶，提高了晶体质量，降低了表面粗糙度，使得器件性能的提升更为可观。得益于对衬底的有效预处理，衬底表面形成了宏观台阶流结构，从而有利于NiO单晶的形成；此外，氧气等离子体的辅助，活化了氧原子，在常温下异质外延单晶NiO。这种天然的p型材料在氧化镓衬底上的高质量异质外延，拓宽了氧化镓基高功率器件的实现途径。

公开(公告)号：CN116247513A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310042567.4

申请日：2023-01-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 王科 ,  王一阳 ,  叶凡 ,  张荣 ,  郑有炓 ,  施毅

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种非极性面GaN基太赫兹量子级联激光器的有源区结构，其特征在于所述有源区存在多个三阱结构的周期，其中势阱层为GaN，势垒层为AlGaN。以及相应的非极性面GaN基太赫兹量子级联激光器。还公开了二阱结构的有源区结构及激光器。本发明公开了两种基于非极性面GaN的三阱共振声子和两阱声子散射注入太赫兹量子级联激光器有源区结构，当掺杂为6×1010cm‑2时，两种结构在10K时的峰值增益分别为90.1和91.3cm‑1，在300K下，在8.2和7.7太赫兹处获得了41.8和44.2cm‑1的峰值增益，这高于计算的双金属波导损耗。总的结果表明，在室温下，GaN基太赫兹量子级联激光器在8太赫兹左右是可能的。

公开(公告)号：CN116247128A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310376064.0

申请日：2023-04-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈敦军 ,  游海帆 ,  王海萍 ,  张荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种可抑制雪崩光电二极管边缘提前击穿的两层绝缘介质钝化方法，其步骤包括：(1)先采用低RF功率条件在雪崩光电二极管表面淀积缓冲绝缘介质层；(2)再采用高RF功率条件进行高质量绝缘介质层的淀积。本发明通过先后采用在两种不同的RF功率条件下进行双层绝缘介质的钝化，其机理主要是先在低RF功率下淀积一层薄的缓冲绝缘介质，从而将样品表面受到的等离子损伤控制在最小范围；随后使用常规的高RF功率淀积一层厚的高质量绝缘介质，以保证绝缘介质的整体质量以及耐击穿电压特性。既可避免雪崩器件容易在表面处因局部电场聚集而导致的提前击穿，又保证了绝缘钝化介质的耐压作用，提升器件性能。

公开(公告)号：CN116072706A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310052068.3

申请日：2023-02-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  孙娜 ,  巩贺贺 ,  胡天澄 ,  许轲 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提出了氧化镓异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括p型半导体衬底、绝缘阻隔层、n型氧化镓沟道层、导电电极层、高介电常数氧化物栅介质层，所述p型半导体衬底上方设置绝缘阻隔层，所述阻隔层之间以及上方设置所述n型氧化镓沟道层，所述n型氧化镓沟道层上设置所述高介电常数氧化物介质层，在所述绝缘阻隔层一侧、n型氧化镓沟道层及高介电常数氧化物介质层上方设置所述导电电极层。采用薄层高介电常数氧化物作为栅介质，易于从氧化物半导体结处的p型载流子的外部源吸引空穴，发生带间隧穿，突破传统MOSFET器件的玻尔兹曼限制，使得亚阈值摆幅降低至60mV/decade以下。本发明在高速度和低功耗逻辑开关电路中具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN115928447A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210019310.2

申请日：2022-01-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 唐少春 ,  张青原 ,  张荣 ,  杨鹏

IPC: D06N3/04 ,  D06N3/00 ,  D06M15/37 ,  D06M101/06

Abstract: 本发明属于被动式辐射降温材料领域，具体涉及一种集辐射降温与加热双功能于一体的热管理薄膜及其制备方法。其特征为，制备黑色的PPY改性棉作为加热面，以及白色的PMMA/NaH2PO2复合膜作为降温面，并将二者通过涂附干燥的方法结合，从而获得可以升温和降温的双面热管理薄膜。该发明解决了人在炎热或者寒冷环境下难以调节自身温度的问题，整个温度调节过程环保并且不需要消耗能量，且制备方法简单，适合大面积生产。