公开(公告)号：CN117878159A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311627872.6

申请日：2021-03-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H10K59/121

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极绝缘层及第一栅电极。第一半导体层包括金属氧化物。第二晶体管包括第二半导体层、第二栅极绝缘层及第二栅电极。第二半导体层包含结晶硅。第一绝缘层具有隔着第二绝缘层与第一晶体管重叠的区域。第二绝缘层具有隔着第一绝缘层与第二晶体管重叠的区域。第二绝缘层的膜密度高于第一绝缘层。

公开(公告)号：CN117858542A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311289649.5

申请日：2023-10-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  大出贵之 ,  后藤尚人 ,  安达广树 ,  井户尻悟 ,  山胁隼人 ,  冈崎健一 ,  川上祥子

IPC: H10K59/12 ,  H10K71/60

Abstract: 提供一种新颖显示装置的制造方法及显示装置。在第1步骤中，在绝缘膜上形成第一电极、第二电极、第一间隙，在第2步骤中，在第二电极上形成第一膜，在第3步骤中，形成与第一电极重叠的第一层，在第4步骤中，通过蚀刻法去除第一膜，来形成与第一电极重叠的第一单元，在第5步骤中，去除第二电极的表面，在第6步骤中，在第一层及第二电极上形成第二膜，在第7步骤中，形成与第二电极重叠的第二层，在第8步骤中，利用第二层通过蚀刻法去除第二膜，来形成与第二电极重叠的第二单元及与第一间隙重叠的第二间隙。

公开(公告)号：CN117397367A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280038334.0

申请日：2022-06-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  冈崎健一 ,  浜田崇 ,  笹川慎也

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。提供一种实现高颜色再现性的显示装置。提供一种高亮度的显示装置。提供一种可靠性高的显示装置。显示装置包括第一绝缘层、设置在第一绝缘层的开口内部的第一导电层、第一导电层及第一绝缘层上的第一EL层、与第一EL层的侧面及第一绝缘层的顶面接触的第二绝缘层以及第一EL层及第二绝缘层上的第二导电层。

公开(公告)号：CN117322135A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280034862.9

申请日：2022-04-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 久保田大介 ,  冈崎健一 ,  初见亮 ,  楠纮慈

IPC: H05B33/22

Abstract: 本发明的一个方式提供一种具有摄像功能的显示装置。提供一种开口率高的显示装置或摄像装置。显示装置包括第一发光元件及受光元件。第一发光元件包括第一像素电极、第一有机层及公共电极。受光元件包括第二像素电极、第二有机层及公共电极。第一有机层包括第一发光层，第二有机层包括光电转换层。在第一发光元件与受光元件之间的区域中包括第一层及第二层。第一层与第二有机层及第二像素电极重叠且包含与第一有机层相同的材料。第二层与第一有机层及第一像素电极重叠且包含与第二有机层相同的材料。在第一发光元件与受光元件之间的区域中，第一有机层的端部与第一层的端部对置，第二有机层的端部与第二层的端部对置。

公开(公告)号：CN110520962B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201880017781.1

申请日：2018-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保本清治 ,  熊仓佳代 ,  佐藤有香 ,  井户尻悟 ,  安达广树 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

公开(公告)号：CN117044398A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280023585.1

申请日：2022-03-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  中村太纪 ,  佐藤来

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层、第一着色层及第二着色层，第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极，第一绝缘层覆盖第一像素电极、第二像素电极、第一发光层及第二发光层各自的侧面，第一着色层以与第一发光器件重叠的方式配置，第二着色层以与第二发光器件重叠的方式配置，第一发光器件及第二发光器件都具有发射白色光的功能，第一着色层具有使与第二着色层不同颜色的可见光透过的功能。

公开(公告)号：CN116964658A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280019679.1

申请日：2022-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  冈崎健一

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供一种能够进行透视显示的显示装置。该显示装置包括在包括第一发光元件的第一区域、包括第二发光元件的第二区域以及外光透过的第三区域连续设置的绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极、第一有机层及公共电极。第二发光元件包括第二像素电极、第二有机层及公共电极。从截面看时，第一有机层的底面与侧面所成的角及第二有机层的底面与侧面所成的角都为60度以上120度以下。绝缘层包括隔着公共电极与第一有机层重叠的部分、隔着公共电极与第二有机层重叠的部分以及位于第三区域的部分，该绝缘层具有透光性。

公开(公告)号：CN116848949A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280012774.9

申请日：2022-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  安达广树 ,  冈崎健一 ,  山根靖正 ,  楠本直人 ,  吉住健辅 ,  山崎舜平

IPC: H05B33/10

Abstract: 提供一种可连续处理发光元件的形成至密封的工序的发光器件的制造装置。发光器件的制造装置可以连续进行形成有机EL元件的沉积工序、光刻工序、蚀刻工序及由保护层沉积的密封工序，可以形成微型、高亮度、高可靠性的有机EL元件。此外，该制造装置是按发光器件的工序顺序配置有装置的直列式装置，可以以高成品率进行制造。

公开(公告)号：CN116848948A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202180090753.4

申请日：2021-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  柳泽悠一 ,  后藤尚人 ,  真城瞬

IPC: H05B33/10

Abstract: 提供一种高清晰的显示装置的制造方法。提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。本发明的一个方式是一种包括如下步骤的显示装置的制造方法：在第一像素电极及第二像素电极上形成第一EL膜及第一牺牲膜，蚀刻第一牺牲膜来形成第一牺牲层，蚀刻第一EL膜来形成第一EL层的同时使第二像素电极露出，形成第二EL膜及第二牺牲膜，蚀刻第二牺牲膜来形成第二牺牲层，蚀刻第二EL膜来形成第二EL层，形成覆盖第一牺牲层、第一EL层、第二牺牲层及第二EL层的绝缘膜，蚀刻绝缘膜来形成具有与第一EL层的侧面接触的区域及与第二EL层的侧面接触的区域的绝缘层。

公开(公告)号：CN116783638A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202280012780.4

申请日：2022-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤来 ,  片山雅博 ,  后藤尚人 ,  中泽安孝 ,  冈崎健一

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供一种高清晰显示装置。提供一种高开口率的显示装置。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一EL层、第二EL层及公共电极。第一绝缘层覆盖第一像素电极及第二像素电极的端部。第二绝缘层设置在第一像素电极、第二像素电极及第一绝缘层上，并覆盖第一绝缘层的端部。第一EL层设置在第一像素电极上，第二EL层设置在第二像素电极上。第一EL层的端部与第二EL层的端部彼此对置，并与第一绝缘层重叠。公共电极具有与第一EL层重叠的部分及与第二EL层重叠的部分。第一绝缘层包含有机树脂，第二绝缘层包含无机绝缘材料。