公开(公告)号：CN104421038A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410419963.5

申请日：2014-08-22

申请人： 株式会社理研

发明人： 佐佐木隼一 ,  小野敬

IPC分类号： F02F5/00

CPC分类号： F16J9/12 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C16/303 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C24/08 ,  C23C24/10 ,  C23C30/00 ,  F16J9/26 ,  F02F5/00

摘要： 本发明提供即使在高温且高负荷条件下也能够长期地防止铝固着的内燃机用活塞环。一种抗铝固着皮膜12被覆于活塞环用母材11上的内燃机用活塞环1，其特征在于，抗铝固着皮膜12由被覆于活塞环用母材11的上下侧面11a以及11b的至少一方的陶瓷构成。

公开(公告)号：CN104395986A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380035035.2

申请日：2013-05-30

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 姜石民

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C23C16/325 ,  C30B25/165 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529

摘要： 根据一个实施方案，一种制造外延晶片的方法包括：在衬托器中提供晶片，以及在所述晶片上生长外延层。所述在所述晶片上生长外延层包括：将第一输入量的原料供给到所述衬托器中的第一步骤，和将第二输入量的原料供给到所述衬托器中的第二步骤。所述第一输入量小于所述第二输入量。根据一个实施方案，外延晶片包含晶片和在所述晶片上形成的外延层，其中所述晶片的表面缺陷为1ea/cm2以下。

公开(公告)号：CN102301043B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201080005900.5

申请日：2010-01-29

申请人： 新日铁住金株式会社

发明人： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC分类号： C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02609 ,  C23C16/325 ,  C30B25/14 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634

摘要： 本发明提供一种具有在使用了偏离角度为6°及其以下的基板的外延生长中抑制了台阶束的发生的高品质外延膜的外延SiC单晶基板及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶基板，是在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上形成了碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板，其特征在于，所述碳化硅单晶薄膜表面的表面粗糙度(Ra值)为0.5nm以下。

公开(公告)号：CN103338928A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201180062978.5

申请日：2011-12-28

申请人： 麒麟麦酒株式会社

发明人： 清水真里 ,  松井荣太朗 ,  佐藤爱子 ,  中谷正树 ,  田渕博康

IPC分类号： B32B27/00 ,  C23C16/42

CPC分类号： C23C16/44 ,  B65D1/40 ,  C23C16/045 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/505 ,  Y10T428/1352 ,  Y10T428/269

摘要： 本发明的目的为提供一种具有高阻气性的阻气性塑料成型体及其制造方法。本发明涉及的阻气性塑料成型体是一种具备塑料成型体和设置于塑料成型体表面的阻气薄膜的阻气性塑料成型体，所述阻气薄膜具有含Si层，所述含Si层含有硅(Si)、碳(C)、氧(O)和氢(H)作为组成元素，并且以(数学式1)表示的含Si率为40.1%以上。(数学式1)：含Si率[%]＝｛(Si含量[atomic%])/(Si、O和C的合计含量[atomic%])｝×100。在数学式1中，Si、O或C的含量为Si、O和C这3种元素内部的含量。

公开(公告)号：CN103320762A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310093006.3

申请日：2013-03-22

申请人： 纽富来科技股份有限公司 ,  株式会社电装

发明人： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/52

CPC分类号： H01L21/02529 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

摘要： 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。

公开(公告)号：CN102803555A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080030547.6

申请日：2010-05-06

申请人： 3M创新有限公司

发明人： 莫塞斯·M·大卫 ,  丹尼尔·R·汉森 ,  菲利浦·A·因克斯 ,  克里斯托弗·G·布拉奇福德 ,  维基·M·利曹 ,  简·A·凯利 ,  苏赖斯·艾耶尔

IPC分类号： C23C16/32 ,  A61M15/00

CPC分类号： C23C16/325 ,  A61M15/009 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31667

摘要： 本发明涉及一种药物吸入装置或其部件，其具有类金刚石玻璃涂层，所述类金刚石玻璃涂层包含氢并且不算氢计包含约20原子％至约40原子％的硅、大于39原子％的碳和小于33原子％低至且包括0原子％的氧。

公开(公告)号：CN102763193A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009955.8

申请日：2011-02-22

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 佐佐木隆史 ,  今井义则 ,  栗林幸永 ,  中嶋定夫

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45578 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  Y10S438/931

摘要： 本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第1气体供给口；以及第2气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第2气体供给口，第1气体供给口的方向和第2气体供给口的方向被设置成在到达衬底之前交叉，其中，该半导体器件的制造方法具有以下的工序：将衬底搬入至反应室内的工序；从第1气体供给口向反应室内至少供给含硅气体和含氯气体、或含硅及氯的气体，从第2气体供给口向反应室内至少供给含碳气体和还原气体，从第1气体供给口或第2气体供给口向反应室内进一步供给杂质气体，在衬底上形成膜的工序；以及从反应室搬出衬底的工序。

公开(公告)号：CN102317500A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080007530.9

申请日：2010-02-12

申请人： 格里菲斯大学

发明人： 艾伦·维克托·亚科皮

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C30B25/08 ,  C30B29/36

摘要： 本发明提供了一种化学气相沉积系统，所述系统包括：用于容纳至少一个样品的工艺管，所述工艺管由碳化硅构造而成，用硅浸渍并涂布有碳化硅；将所述工艺管抽成高真空的抽吸系统；用于将一种或更多种工艺气体引入到抽空的工艺管中的一个或更多个气体入口；和加热器，以加热工艺管并由此加热工艺管内的所述一种或更多种工艺气体和所述至少一个样品以使材料通过化学气相沉积沉积到工艺管内的所述至少一个样品上。

公开(公告)号：CN102272352A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080003809.X

申请日：2010-01-29

申请人： 东洋炭素株式会社

发明人： 吉本义明 ,  久保田刚史

IPC分类号： C23C16/458 ,  H01L21/683

CPC分类号： C23C16/4588 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/87 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4587 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  C04B35/52 ,  C04B41/4531

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够在不导致生产成本高昂及装置大型化的情况下飞跃性地提高基座的品质和生产性的CVD装置。在该CVD装置中，在通过支承部件支承碳质基材(5)的状态下向内部导入气体，由此在碳质基材(5)的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，所述支承部件具备载置所述碳质基材(5)并支承碳质基材下部的下部支承部件(6)和支承所述碳质基材(5)上部的上部支承部件(13)，该上部支承部件(13)设置在所述碳质基材(5)的外周缘，并且在该上部支承部件(13)形成有V字状的槽(13d)，在由该V字状的槽(13d)构成的碳质基材配置空间(17)内，以具有充分的游隙的状态配置所述碳质基材(5)。

公开(公告)号：CN101431047B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200810169685.7

申请日：2008-10-09

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 夏立群 ,  许惠雯 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  石美仪 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76831 ,  C23C16/325 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1036

摘要： 本发明提供用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法。所述多级互连结构具有空气间隙。一个实施方式提供了一种用于在半导体结构中形成导电线路的方法，包括：在第一介电层中形成多个沟槽，其中空气间隙将形成在第一介电层中；在沟槽中沉积共形介电阻挡膜，其中共形介电阻挡膜包括低k介电材料，其被构成为用作抵抗在第一介电层中形成空气间隙时使用的湿蚀刻化学试剂的阻挡层；在共形低k介电层上方沉积金属扩散阻挡膜；和沉积导电材料以填充沟槽。