公开(公告)号：CN103460346A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280017009.2

申请日：2012-05-18

申请人： 日本合成化学工业株式会社

发明人： 佐藤弘章 ,  胜间胜彦 ,  加藤邦泰 ,  堤由佳

IPC分类号： H01L21/225

CPC分类号： H01L21/2225 ,  H01L21/228

摘要： 一种杂质扩散用涂布液，其含有：聚乙烯醇系树脂（A）、杂质（B）以及沸点为100℃以上的多元醇（C），该多元醇（C）的含量为涂布液中的70重量%以上。因此，适合于丝网印刷，可实现长时间的连续印刷、间隔了空闲期后的印刷，即便将皮膜形成后的半导体基板以直立状态烧成，也能够得到电阻值的上下的差别小的半导体。

公开(公告)号：CN103299399A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180064911.5

申请日：2011-07-14

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 含有从氮化硼和碳化硼中选择的至少1种的硼化合物和分散介质而构成p型扩散层形成用组合物。通过将该p型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上，实施热扩散处理，从而制造p型扩散层和具有p型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN102986004A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180033476.X

申请日：2011-07-06

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 森田敏郎 ,  神园乔 ,  宫城忠

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法，本发明的一个方案为用于在半导体基板上印刷掺杂剂成分的扩散剂组合物，其包含硅化合物(A)、掺杂剂成分(B)和非掺杂剂金属成分(C)。这些成分中，作为非掺杂剂金属成分(C)而含有的Na的含量相对于组合物整体小于60ppb。

公开(公告)号：CN102214704B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110147587.5

申请日：2006-12-03

申请人： 费罗公司

发明人： 贾拉尔·萨拉米 ,  斯里尼瓦桑·斯里德哈兰 ,  史蒂夫·S.·基姆 ,  阿齐兹·S.·谢克

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01B1/16

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C03C3/062 ,  C03C3/064 ,  C03C8/18 ,  H01L21/2225 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

摘要： 本发明涉及铝-硼太阳能电池接触层，具体涉及一种包含由混合物制成的接触层的太阳能电池，其中，所述混合物在烧成之前包含：至少一种铝源；至少一种硼源；以及0.1～10wt％的无铅的玻璃组分，其中，铝的含量为所述混合物的50wt～85wt％，并且，其中硼的含量为所述混合物的0.05～20wt％。

公开(公告)号：CN102859659A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020188.0

申请日：2011-04-22

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC分类号： H01L21/225 ,  C03C8/18 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L31/1864 ,  C03C8/16 ,  C03C8/18 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的p型扩散层形成组合物含有：含受体元素并且寿命扼杀剂元素的总量为1000ppm以下的玻璃粉末；和分散介质。通过涂布该p型扩散层形成组合物，实施热扩散处理，从而制造p型扩散层和具有p型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN102668035A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080052777.2

申请日：2010-11-22

申请人： 日本电气硝子株式会社

发明人： 铃木良太 ,  马屋原芳夫

IPC分类号： H01L21/223

CPC分类号： H01L21/2225 ,  C04B35/18 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  H01L21/223

摘要： 本发明在于提供一种掺杂物源，其中，B2O3挥发量不易经时降低，长期具有良好的B2O3挥发能力。掺杂物源具有包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体，其中，以摩尔%表示，硼成分挥发层含有30～60%的SiO2、10～30%的Al2O3、15～50%的B2O3和2～15%的RO，耐热层含有8～40%的SiO2、40～85%的Al2O3、5～30%的B2O3和0.5～7%的RO，其中，R是碱土金属。叠层体的至少一侧的最外层由硼成分挥发层构成。叠层体还在叠层体内部包括硼成分挥发层。构成叠层体的至少一侧的最外层的硼成分挥发层中的B2O3的含有率比叠层体内部的硼成分挥发层中的B2O3的含有率低。

公开(公告)号：CN101479833B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200780024402.3

申请日：2007-07-02

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 森田敏郎

IPC分类号： H01L21/225 ,  C09D171/02 ,  C09D183/00 ,  H01L21/312

CPC分类号： C08L71/02 ,  C08L83/04 ,  C09D171/02 ,  C09D183/00 ,  C09D183/04 ,  C09D183/16 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  C08L83/00

摘要： 本发明提供一种膜形成组合物，其是用于涂布扩散法中的膜形成组合物，能够将更高浓度的杂质扩散到硅片中，而且能够同时形成二氧化硅类被膜。本发明涉及一种膜形成组合物，其是构成扩散膜的膜形成组合物，该扩散膜是形成在硅片上，用来使杂质元素扩散到该硅片中，该膜形成组合物含有(A)高分子硅化合物、(B)上述杂质元素的氧化物或含该杂质元素的盐、以及(C)成孔剂，其中(C)成分是聚烷撑二醇，相对于所述膜形成组合物总体质量，在膜形成组合物中的所述聚烷撑二醇的含量为3质量％～10质量％。

公开(公告)号：CN102468439A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110365158.5

申请日：2011-11-11

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 森田敏郎 ,  神园乔

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L31/18 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L31/186 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5253 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供扩散剂组合物，该扩散剂组合物含有缩合产物(A)和杂质扩散成分(B)。缩合产物(A)是水解烷氧基硅烷而得到的反应产物。杂质扩散成分(B)是磷酸单酯、磷酸二酯或它们的混合物。

公开(公告)号：CN101401189B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200680053918.6

申请日：2006-12-03

申请人： 费罗公司

发明人： 贾拉尔·萨拉米 ,  斯里尼瓦桑·斯里德哈兰 ,  史蒂夫·S.·基姆 ,  阿齐兹·S.·谢克

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C03C3/062 ,  C03C3/064 ,  C03C8/18 ,  H01L21/2225 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

摘要： 本发明公开了制备太阳能电池的配方和方法。一般而言，本发明提供了由混合物制成的接触层的太阳能电池，其中所述混合物在烧成之前包含至少一种铝源、至少一种硼源以及约0.1～10wt％的玻璃组分。在该混合物内，铝的总含量为所述混合物的50wt％～85wt％，硼的总含量为所述混合物的0.05wt％～20wt％。

公开(公告)号：CN101965628A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200980102659.5

申请日：2009-02-24

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： R·Y·梁 ,  D·周 ,  W·范

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/228 ,  C09D11/36 ,  C09D11/38 ,  C09D11/52 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/18

摘要： 提供一种使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及一种用于使用非接触印刷工艺形成该掺杂区域的含掺杂剂墨水。在一个示例性实施方案中，提供一种在半导体衬底中形成掺杂区域的方法。该方法包括提供包含既定导电类型掺杂剂的墨水，使用非接触印刷工艺将墨水施加至半导体衬底，以及使半导体衬底经受热处理，以使得既定导电类型掺杂剂扩散进入半导体衬底。