公开(公告)号：CN102725877A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007592.4

申请日：2011-01-27

申请人： 聚合物视象有限公司

发明人： C.W.赛尔 ,  N.A.J.M.范埃尔勒 ,  K.M.奥尼尔

IPC分类号： H01L51/05

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/107

摘要： 在此描述晶体管结构包括半导体层及介电层。根据此公开，至少一半导体层和/或该层间介电层包括一化学添加物，对于存在环境中的化学物质，该化学添加物具有高于该半导体层和/或介电层的材料的反应能。

公开(公告)号：CN101361205B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200680051140.5

申请日：2006-12-20

申请人： 默克专利股份有限公司

发明人： S·D·奥吉尔 ,  J·韦赖什 ,  M·蔡丹

IPC分类号： H01L51/10

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/105

摘要： 本发明涉及一种改进的电子器件，像有机场效应晶体管(OFET)，其具有短的源至漏的沟道长度且含有包含半导体粘合剂的有机半导体配方。

公开(公告)号：CN100540628C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN03822523.9

申请日：2003-09-24

申请人： E.I.内穆尔杜邦公司

发明人： C·苏

IPC分类号： C09K11/06 ,  H01B1/12 ,  H01L51/50 ,  H01L51/30 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L51/5088 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  C08K3/01 ,  C08K3/04 ,  C08K3/08 ,  C08K7/06 ,  C08K7/24 ,  C08K2201/011 ,  C08L25/18 ,  C08L33/24 ,  C08L65/00 ,  C08L79/02 ,  C09C1/0081 ,  C09D5/028 ,  C09D5/24 ,  C09D7/61 ,  C09D7/67 ,  C09D7/68 ,  C09D7/70 ,  H01B1/12 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0566 ,  H01L2251/5369 ,  Y02E10/549 ,  C08L2666/06 ,  C08L2666/14 ,  C08L2666/22

摘要： 提供了包含导电有机聚合物和许多纳米微粒组成的水分散体的组合物。用本发明组合物铸塑而成的膜可用作电致发光器件中的缓冲层，如有机发光二极管(OLED)和薄膜场效应晶体管的电极。含有纳米微粒的缓冲层的电导率比不含纳米微粒的缓冲层的电导率低得多。此外，本发明缓冲层嵌入电致发光(EL)器件后，它能提高EL器件的应力寿命。

公开(公告)号：CN100456499C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200480020581.X

申请日：2004-07-15

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 竹内孝之 ,  七井识成

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0566 ,  H01L51/0068 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的薄膜晶体管，是具有半导体层(4)、和在该半导体层上相互分离地设置的源极区域(5)、漏极区域(6)和栅极区域(2)的薄膜晶体管(100)，所述半导体层由复合材料构成，所述复合材料是在有机物半导体材料的内部分散多个至少一种无机物材料颗粒的复合材料。

公开(公告)号：CN100416882C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN01819563.6

申请日：2001-11-21

申请人： 默克专利股份公司

发明人： B·A·布朗 ,  D·C·库珀蒂诺 ,  S·W·李明 ,  J·D·肖费尔德 ,  J·维雷斯 ,  S·G·耶特斯

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L29/08 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

摘要： 一种场效应晶体管，其中连续的半导体层含有：a)有机半导体；和b)有机粘合剂，其固有导电率小于10-6Scm-1，在1,000Hz的介电常数小于3.3，以及制备它的方法，该方法包括：用含有有机半导体和能够发生反应形成粘合剂的材料的液层涂敷基材；和通过使所述材料发生反应而形成粘合剂将液层转化为含有半导体和粘合剂的固体层。

公开(公告)号：CN1742392A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200480002935.8

申请日：2004-01-26

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： D·M·德里尤 ,  E·J·梅杰 ,  S·塞塔耶斯

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0083 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

摘要： 电子器件包括具有第一和第二场效应晶体管的反相器单元，该晶体管具有包括第一导电类型的第一有机半导体材料和具有第二导电类型的第二有机半导体材料的有源层。该有源层可以通过溶液提供，例如，其是两种材料的混合物。

公开(公告)号：CN1602551A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN03801738.5

申请日：2003-07-02

申请人： 索尼株式会社

发明人： 和田胜 ,  近藤真一郎 ,  安田亮一

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0075 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0095 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

摘要： 一种具有新颖结构的导电路径的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其中导电路径由有机半导体分子材料形成并显示出高的迁移率。由导体，如Au，或半导体组成的微粒(8)和有机半导体分子(9)如4，4′－联苯二硫酚通过在该有机半导体分子(9)两端上的官能团交替键合，形成网状的导电路径，其中在微粒(8)内的导电路径和在有机半导体分子(9)内的导电路径二维或三维地键合在一起。这种导电路径不包括分子间的电子迁移，迁移率不受分子间的电子迁移限制，因此，可最大利用沿有机半导体分子主链内的导电路径的迁移率(在该分子的轴向上)，例如离域π电子所致的高的分子内的迁移率。

公开(公告)号：CN1478309A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN01819563.6

申请日：2001-11-21

申请人： 艾夫西亚有限公司

发明人： B·A·布朗 ,  D·C·库珀蒂诺 ,  S·W·李明 ,  J·D·肖费尔德 ,  J·维雷斯 ,  S·G·耶特斯

IPC分类号： H01L51/20 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L29/08 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

摘要： 一种场效应晶体管，其中连续的半导体层含有：a)有机半导体；和b)有机粘合剂，其固有导电率小于10－6Scm－1，在1,000Hz的介电常数小于3.3，以及制备它的方法，该方法包括：用含有有机半导体和能够发生反应形成粘合剂的材料的液层涂敷基材；和通过使所述材料发生反应而形成粘合剂将液层转化为含有半导体和粘合剂的固体层。

公开(公告)号：CN105097429B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201410167831.8

申请日：2014-04-24

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 金元浩 ,  李群庆 ,  范守善

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L51/0566 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303

摘要： 本发明涉及一种碳纳米管复合膜的制备方法，其包括以下步骤：提供一含有多个半导体颗粒的第一悬浮液；将第一悬浮液中的多个半导体颗粒沉积于一基底的表面；提供一含有多根碳纳米管的第二悬浮液；以及，将第二悬浮液中的多根碳纳米管沉积在带有半导体颗粒的基底表面，形成一碳纳米管复合膜。

公开(公告)号：CN107710874A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680036216.0

申请日：2016-06-21

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 佐佐修一 ,  六原行一

IPC分类号： H05B33/10 ,  B05D3/06 ,  B05D7/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/02 ,  H01L31/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/48 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC分类号： H01L51/0026 ,  B05D3/06 ,  B05D7/00 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/228 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/95 ,  C09D5/24 ,  C09D165/00 ,  H01L29/786 ,  H01L31/02 ,  H01L31/10 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/05 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/105 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/55 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的一个实施方式的有机电子元件的制造方法具备：将包含具有交联性基团的材料的涂布液涂布于基板(10)上而形成涂布膜的工序；和利用向涂布膜的红外线的照射来加热涂布膜(23a)、使交联性基团交联、由此形成作为有机功能层(23)的有机薄膜的工序，涂布膜在第一波长范围1.2μm～5.0μm的任意波长下具有吸收峰，红外线是在第一波长范围的任意波长下具有波长范围1.2μm～10.0μm的最大发射强度、并且在第一波长范围中包含波长范围1.2μm～10.0μm的红外线的总发射能量的80％以上的红外线。