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公开(公告)号：CN115928323A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210019521.6
申请日：2022-01-07
Applicant: 南京大学
IPC: D04H1/728 , D04H1/4382 , D01F8/10 , D01F8/16 , D01D5/00
Abstract: 本发明属于辐射降温材料设计领域，涉及一种高辐射降温性能复合纤维膜PVDF‑HFP/PDMS及其制备方法，其特征为，将聚偏二氟乙烯‑六氟丙烯(PVDF‑HFP)与聚二甲基硅氧烷(PDMS)的混合溶液制成具有均匀单一纳米纤维的辐射降温效果优异的复合纤维膜。该制备方法具有制备方法简单，对环境友好，可大尺寸制备，易于规模化等优点，弥补了现有的辐射降温材料日间降温效果尚不够优秀，辐射降温材料大多疏水性，柔性，抗拉伸等性能不足的问题。
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公开(公告)号：CN115373160A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202111169488.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料结构的偏振光调制器及其制备方法。该偏振调制器包括超材料结构、ITO导电层、P型电极层、N型电极层和发光器件，其中，ITO导电层设于发光器件的表面，超材料结构和P型电极层位于ITO导电层上；超材料结构包括两个金属微纳结构层以及电介质隔离层，电介质隔离层位于两个金属微纳结构层之间。本发明基于偏振非对称转换的思路，使某一种线偏振光的能量全部或部分转换为与之正交的线偏振光，可突破传统50％能量损失的瓶颈。此外，本发明的制备方法基于材料生长和集成电路工艺，具有器件制备简单、便于集成、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN113224212B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110520622.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种多色堆叠台阶式背出光Micro‑LED显示器件，其结构包括：一蓝光LED外延片；若干组发出不同颜色光的InGaN多量子阱结构；在每个多量子阱上下均形成p‑n结；所述Micro‑LED显示器件刻蚀成台阶结构，每级台阶发出不同颜色的光，在每级台阶上形成n/p型GaN电极接触层，使得上下相邻两组多量子阱共用一个n/p型GaN电极接触层，并键合驱动电路，使得驱动电路实现对每级台阶的单独控制。本发明选择在MOCVD生长的蓝光LED外延片上用MBE二次外延绿光和红光多量子阱结构，可以在不破坏已有蓝光LED结构的情况下，实现RGB三色发光。MBE生长的p型层也不需要高温退火激活处理。
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公开(公告)号：CN113299805B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110569721.4
申请日：2021-05-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称量子阱结构的UV‑LED，其结构自下而上包括：一衬底层；一生长于衬底层上的n‑AlGaN层；一生长于n型AlGaN层上的对称AlGaN量子阱层；一生长于对称AlGaN量子阱层上的非对称AlGaN量子阱层；一生长于非对称AlGaN量子阱层上的p‑AlGaN层；一生长于p‑AlGaN层上的p‑GaN层；p型电极和n型电极。本发明提出了一种基于非对称多量子阱结构的AlGaN基宽光谱紫外LED(UV‑LED)，通过多种不同Al组分和不同厚度的量子阱结构的组合，获得了宽发光光谱，在6V正向电压的偏置下，发光光谱半高宽为17nm，接近传统UV‑LED的两倍。
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公开(公告)号：CN114597299A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210255429.X
申请日：2022-03-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法。所述倒装深紫外LED芯片包括外延层、第一接触层、第二接触层和第一金属反射电极，所述外延层包括依次叠层设置的n型半导体层、有源层、第一p型半导体层和第二p型半导体层，所述第一p型半导体层的表面部分区域被所述第二p型半导体层覆盖，所述第二接触层与所述第二p型半导体层电性接触，所述第一接触层与所述n型半导体层电性接触；所述第一金属反射电极覆设在所述第一p型半导体层、第二p型半导体层和第二接触层上。本发明在第一p型半导体层和第二p型半导体上覆盖高反射的第一金属反射电极来增加p侧反射出光，且使该倒装深紫外LED芯片具有高的出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114420534A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111542968.3
申请日：2021-12-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于铝酸锶薄膜制备GaN自分离衬底的方法，其步骤包括：(1)在衬底上沉积铝酸锶薄膜；(2)在铝酸锶薄膜上沉积氧化镓薄膜；(3)在氧化镓薄膜上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延；(4)将外延完成的样品置于水中，铝酸锶薄膜溶解，得到自支撑的GaN薄膜或厚膜。本发明提供了一种简单的获得自支撑GaN衬底的方法，采用铝酸锶薄膜作为牺牲层，铝酸锶薄膜溶于水即可实现衬底与外延膜的自分离，而氧化镓层的作用是提供可以高质量外延GaN的缓冲层或多孔模板，同时可以降低后续外延的GaN薄膜材料中应力及位错密度。
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公开(公告)号：CN113044809B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110299773.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种垂直Ga2O3纳米管有序阵列的制备方法，其基本原理为利用β‑Ga2O3和GaN材料之间的刻蚀差异性，通过ICP刻蚀将热氧化后得到的GaN/β‑Ga2O3纳米线阵列中的GaN核纳米线去除，从而制备出垂直排列的、尺寸可控的β‑Ga2O3纳米管阵列。首先在衬底上GaN薄膜表面蒸镀镍薄膜，退火，使得镍薄膜变成纳米岛状结构作为刻蚀掩膜，利用ICP刻蚀技术来制备获得GaN纳米线有序阵列；将获得GaN纳米线有序阵列在一定温度和氧气氛下进行热氧化，得到GaN/β‑Ga2O3纳米线阵列；采用利于GaN刻蚀的工艺条件，去除作为核的GaN纳米线，即可得到垂直Ga2O3纳米管有序阵列。这是一种全新的、成本较低的、相对简单的制备β‑Ga2O3纳米管的方法，在新型微纳电子学和光电子学领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN111638192B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010511130.7
申请日：2020-06-08
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/39
Abstract: 一种基于超连续谱光源的可调谐泵浦‑探测系统，包括飞秒光纤激光与激光分束装置、超连续谱光源与波长滤波装置、样品与探测接收装置、时间延时装置、锁相放大与数据采集装置；飞秒光纤激光与激光分束装置将激光分为两束；一束光作为泵浦光，另一束光入射高非线性光纤而产生的非线性效应产生超连续谱、并且波长从可见光波段至近红外波段可调谐，并且与波长、带宽可调谐滤波器结合获得波长可调谐的探测光；泵浦光与探测光通过时间延时装置后，入射到样品的同一位置；样品在泵浦光照射下产生非线性光电响应，对经过其中的探测光形成调制；探测光经滤波后，由数据接收装置接收。
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公开(公告)号：CN110112172B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910428357.2
申请日：2019-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓纳米孔阵列/量子点混合结构的全色微米LED显示芯片。在硅基片的GaN蓝光LED外延层上，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式矩形台面结构，每个矩形台面结构构成一个RGB像素单元。在每个矩形像素单元中，都包含三块红光、绿光和蓝光矩形亚像素区域，相邻亚像素区域之间由隔离槽隔开。每个亚像素区域中设纳米孔阵列结构，并填充红色和绿色量子点，通过量子点颜色转换实现全色显示。还公开了其制备方法。该器件利用纳米孔结构提高量子点的稳定性与寿命，同时利用量子点间的能量共振转移，有效提高其内量子效率与色转换效率，能够实现高分辨、高色域、高对比度的全色显示。
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公开(公告)号：CN109918857B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910316477.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件适用的高频动态损耗的非线性分段时序模型建立方法。根据器件开关过程中不同时段电学参数状态，具体分为开通、关断、开启变换和关断变换四个阶段计算损耗。建模过程中，考虑了器件特有的高频工作下动态阻抗增大的问题，并通过搭建电路，实现器件高频工作时影响动态导通阻抗变化的参数准确提取；建模过程中，本发明采用栅电荷替代器件输出电容直接计算损耗的方法，避免了电容容值随电压变化造成的复杂、不精确计算。此外，发明首次通过在器件外部的漏极和源极之间并联外部电容，来比较器件漏极电流与实际沟道电流的差异，分析差异产生的具体来源和对开关损耗的真实影响，以此实现了模型的损耗计算的修正。
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