公开(公告)号：CN108475699A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680076957.1

申请日：2016-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  岛行德

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/005

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN108473334A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680077344.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  黑崎大辅 ,  羽持贵士 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。

公开(公告)号：CN104488016B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201380038678.2

申请日：2013-07-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/135 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248

Abstract: 显示装置包括设置有位于像素区域的外侧并与所述像素区域相邻并包括将信号供应给在像素区域的各像素中的第一晶体管的至少一个第二晶体管的驱动电路区域的第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底、夹在第一衬底与第二衬底之间的液晶层、在第一晶体管及第二晶体管上的包含无机绝缘材料的第一层间绝缘膜、第一层间绝缘膜上的包含有机绝缘材料的第二层间绝缘膜、以及第二层间绝缘膜上的包含无机绝缘材料的第三层间绝缘膜。第三层间绝缘膜被设置在所述像素区域的上部区域的一部分中，并具有驱动电路区域内侧上的边缘部分。

公开(公告)号：CN107683531A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201680029379.6

申请日：2016-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。

公开(公告)号：CN103779423A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310511688.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。