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    磁控溅射方法
    102.
    发明公开
    磁控溅射方法 无效

    公开(公告)号：CN1188816A

    公开(公告)日：1998-07-29

    申请号：CN97102277.1

    申请日：1997-01-21

    申请人： 日本板硝子株式会社

    发明人： 中西功次 ,  山冈智则

    IPC分类号： C23C14/35

    CPC分类号： H01J37/3408 ,  H01J37/3455

    摘要： 磁体以负极与正极交错放置的方式安置且允许磁体在垂直于磁体长度方向的方向上往复运动。地屏蔽和屏蔽阳极设为地电势,腔体底部也设为地电势。靶固定于衬板上。在屏蔽阳极的外侧相应地安置了喷气管。在屏蔽阳极和靶之间安置了与地屏蔽11和靶绝缘的附属电极。阴极磁体按形成两个闭合的溅射消蚀区域环的方式安置。磁体在垂直于阴极长度方向的方向上往复运动。

    磁场生成设备和溅射设备
    104.
    发明授权
    磁场生成设备和溅射设备 有权

    公开(公告)号：CN104278243B

    公开(公告)日：2018-08-14

    申请号：CN201410319170.6

    申请日：2014-07-04

    申请人： 索尼公司

    发明人： 佐佐木纯 ,  阿部淳博 ,  平塚亮一

    IPC分类号： C23C14/35

    CPC分类号： H01J37/3452 ,  C23C14/35 ,  H01F7/0278 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3455

    摘要： 本发明提供一种能够轻易地调节磁场分布的磁场生成设备和使用所述磁场生成设备的溅射设备，所述磁场生成设备包括：两个以上主磁极部，其用于生成主磁场；一个以上副磁极部，其包括通过分割得到的多个第一分割磁体，并且生成用于对生成的主磁场进行调节的副磁场；以及轭部，其包括对应于所述一个以上副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对的一个以上第一轭。

    一种磁控溅射装置
    105.
    发明授权
    一种磁控溅射装置 失效

    公开(公告)号：CN105088159B

    公开(公告)日：2018-08-03

    申请号：CN201510493704.1

    申请日：2015-08-12

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 孙建明 ,  牛犇 ,  王治 ,  周翔

    IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08

    CPC分类号： C23C14/352 ,  C23C14/225 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3455

    摘要： 本发明提供种磁控溅射装置,属于磁控溅射技术领域,其可解决现有的磁控溅射装置无法连续、均匀、任意比例掺杂元素的问题。本发明的磁控溅射装置,包括至少两个靶,分别用于放置向同基板的成膜区进行溅射的靶材;与每个靶分别对应的磁场产生装置,用于控制靶溅射的粒子的方向。本发明的磁控溅射装置包括至少两个靶,每个靶分别对应磁场产生装置,通过使用至少两个靶溅射,每个靶的靶材都是掺杂了不同的元素的透明导电氧化物,调整两种靶材的比例,实现均匀掺杂不同的元素的目的,通过控制磁场产生装置调节靶材的磁场,从而控制靶材的溅射速度,进而实现靶材任意比例掺杂的目的。本发明的磁控溅射装置适用于制备各种透明导电氧化物薄膜。

    在半导体处理腔室中所使用的溅射源
    107.
    发明授权
    在半导体处理腔室中所使用的溅射源 有权

    公开(公告)号：CN105074873B

    公开(公告)日：2018-05-29

    申请号：CN201480008495.0

    申请日：2014-02-26

    申请人： 应用材料公司

    发明人： 基思·A·米勒 ,  马丁·李·莱克

    IPC分类号： H01L21/208

    CPC分类号： C23C14/3407 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3497

    摘要： 在某些实施方式中，一种用于处理腔室的溅射源可包括：第一围绕体，所述第一围绕体具有顶部、多个侧部和开放的底部；靶材，所述靶材耦接至所述开放的底部；电馈入器，所述电馈入器耦接至所述第一围绕体的所述顶部、靠近所述第一围绕体的中心轴，以经由所述第一围绕体提供功率至所述靶材；磁体组件，所述磁体组件具有轴、耦接至所述轴的支撑臂和耦接至所述支撑臂的磁体，所述磁体组件设置于所述第一围绕体内；第一旋转致动器，所述第一旋转致动器相对于所述第一围绕体的所述中心轴设置成离轴的并且可旋转地耦接至所述磁体，以使所述磁体绕着所述第一围绕体的所述中心轴旋转；和第二旋转致动器，所述第二旋转致动器相对于所述第一围绕体的所述中心轴设置成离轴的并且可旋转地耦接至所述磁体，以使所述磁体绕着所述磁体组件的中心轴旋转。

    一种薄膜沉积装置
    109.
    发明授权
    一种薄膜沉积装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN103924200B

    公开(公告)日：2017-07-04

    申请号：CN201310746171.4

    申请日：2013-12-30

    申请人： 上海天马有机发光显示技术有限公司 ,  天马微电子股份有限公司

    发明人： 费强 ,  徐伟齐

    IPC分类号： C23C14/35

    CPC分类号： H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

    摘要： 本发明公开了一种薄膜沉积装置，包括：驱动装置、溅射靶组件、位于溅射靶组件背部的至少一组旋转磁电装置，其中，旋转磁电装置包括传动装置和第一磁铁组；传动装置包括传送带、至少一对与传送带适配并设置于传送带内侧的齿轮，其中齿轮的轴向平行于溅射靶组件的表面；第一磁铁组设置于传送带的外侧；驱动装置，用于驱动齿轮旋转。通过本发明公开的一种薄膜沉积装置，可以能够适当的调试旋转磁电装置的旋转速度，从而使得溅射靶组件表面磁场具有较高覆盖率，提高了溅射靶组件的利用率。