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公开(公告)号：CN102864496A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210349836.3
申请日：2012-09-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种移动加热器法生长碲锌镉晶体的装置，设有高频电磁感应加热器和上下电阻加热炉，上下电阻加热炉形成生长炉体中间加热段的保温区，伺服旋转机构驱动氧化铝支撑杆带动石英料管转动，伺服直线移动机构驱动生长炉体在竖直方向上进行升降运动，控制系统控制高频电磁感应加热器和上下电阻加热炉的输出功率，并控制伺服旋转机构并使碲锌镉晶体生长材料处于生长炉体的中间加热段，控制系统控制伺服直线移动机构匀速上升，同时控制伺服旋转机构使石英料管匀速旋转。本发明装置制备碲锌镉晶体，能降低了晶体生长温度，减少了杂质污染，同时区熔过程的存在对晶体起到了提纯的作用，最终获得高纯度的碲锌镉晶体，完全符合作为探测器材料要求。
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公开(公告)号：CN102230213B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110150914.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法，属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，再向其中加入质量百分数为30%～80%的过量Te，抽真空熔封并在摇摆炉中合成；将合成结束的石英坩埚放入晶体生长装置中，由于过量Te的加入，晶体的生长温度可以从1092℃～1295℃下降到700～900℃；晶体生长过程开始之前，使石英坩埚处于高温区，使其内部的碲锌镉多晶和溶剂Te均处于液相，然后以0.04～2mm/h的速度上升炉体，温度梯度区的温度梯度在15-25℃/cm，随着温度的降低，溶液中碲锌镉的饱和度下降，则坩埚底部不断饱和析出碲锌镉晶体，同时采用不同的施主掺杂（In、Cl-1、Al等）来提高碲锌镉晶体的电阻率，从而制备出探测器级碲锌镉晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度、晶体中杂质浓度及晶体中的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN101950769B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010215805.X
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为CuxO/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜上溅射电极，溅射靶材为高纯Cu电极；溅射时先通入氩气和氧气的混合气体，采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极；溅射一定时间后关闭氧气气源，继续溅射，从而形成CuxO/Cu复合电极；CuxO/Cu复合电极制备后，将薄膜真空高温退火。采用该复合电极及电极制备方法可以使CdTe薄膜太阳能电池的效率得到提高，促进其应用。
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公开(公告)号：CN102249344A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110152794.X
申请日：2011-06-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2FeSnS4纳米晶的制备方法，该方法是：将反应物前躯体油胺、氯化亚铁、醋酸铜、氯化亚锡和硫粉加入一个与西莱克装置连接的四口烧瓶中，在氩气的气氛中将反应温度缓慢的升高到200-350℃反应1-60分钟，撤掉加热装置使反应物冷却，向冷却后的反应物中加入丙酮和氯仿使纳米粒子沉降；然后以3000-14000转/min的速度离心1-10分钟收集纳米晶，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性好等。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。
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公开(公告)号：CN102249292A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110154912.0
申请日：2011-06-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶的水热制备方法，该方法是：通过将溶剂无水乙二胺和反应物前躯体氯化铜、氯化镉或者硫酸亚铁、氯化亚锡和硫粉加入高压釜中，然后升高温度进行反应一定时间，反应完毕后，将纳米晶融于异丙醇和甲苯的混合溶液；然后以5000-12000转/min的速度离心3-10分钟收集纳米晶，最终得到高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电及磁性材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102220644A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110151562.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置，属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括：利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质，然后利用热迁移机制（处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温方向移动）将晶锭置于一定的温度梯度温场中进行长时间退火，使晶体内的Te沉淀/夹杂相携带着杂质移动到晶体的尾端，最后切除尾部，得到提纯的碲锌镉晶体。采用本发明对完成生长的碲锌镉晶锭进行退火改性，能够显著的减少碲锌镉晶体中的杂质和缺陷的含量。
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公开(公告)号：CN101887921A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010215756.X
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种CdMnTe薄膜太阳能电池及其制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该CMT薄膜太阳能电池的结构为：透明导电玻璃/CdS/CdMnTe/背电极或透明导电玻璃/CMT电池/CuInSe2电池/背电极的叠层电池。其中CMT薄膜制备方法是：采用近空间升华法在衬底上沉积CdMnTe薄膜；薄膜沉积后，采用近空间升华设备，在氯化镉蒸汽氛围中对CMT薄膜进行高温退火。采用CMT薄膜制备太阳能电池有利于促进低成本、高稳定性和高效率叠层太阳能电池的发展。
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公开(公告)号：CN101882653A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010215802.6
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种基于纳米CdS薄膜窗口层的高效太阳能电池制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该太阳能电池的制备方法是：通过磁控溅射法在导电玻璃上制备高禁带宽度的氧掺杂纳米CdS薄膜(CdS:O薄膜)，在溅射时通入一定比例的氩气和氧气的混合气体，从而得到纳米CdS:O薄膜；薄膜制备后在氩气和氧气的混合气体及氯化镉的蒸汽下高温退火以改善薄膜性能；再在纳米CdS:O薄膜上制备CdTe或CdZnTe薄膜及背电极从而制备出太阳能电池。通过采用CdS:O薄膜制备太阳能电池，有利于提高基于CdS薄膜的太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN101459207B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910044852.X
申请日：2009-01-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10-5～10-7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr-CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr-CZT复合电极与以往的Au-CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I-V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。
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公开(公告)号：CN100568547C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810040632.5
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/纳米金刚石薄膜紫外光探测器制备方法，属纳米无机化合物能源材料制造工艺技术领域。该方法是将ZnO薄膜以磁控溅射法沉积在纳米金刚石薄膜上，以高纯ZnO陶瓷靶为溅射靶材，通入氩气，调节流量为40标准毫升/分；调节反应气压为0.3Pa；溅射功率300W；溅射时间1.5小时；采用了剥落光刻技术在高度定向的ZnO薄膜表面实现微米级的叉指电极，制备共面栅ZnO/纳米金刚石薄膜共面栅紫外光探测器。
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