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公开(公告)号：CN108368639A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201780004008.7
申请日：2017-02-20
申请人： 爱思开矽得荣株式会社
摘要： 本发明涉及一种能够通过均匀地形成沿着熔融硅液表面流动的惰性气体的流速来精确控制熔融硅液表面上的氧挥发的单晶锭生长装置。本发明涉及一种单晶锭生长装置，包括：容纳有熔融硅液的坩埚；隔热构件，所述隔热构件被安装以悬在所述坩埚上方并且冷却从所述坩埚的熔融硅液生长的单晶锭；第一流动路径，所述第一流动路径形成在单晶锭的外周表面与所述隔热构件的内周表面之间，其中惰性气体垂直向下移动；和第二流动路径，所述第二流动路径形成在所述隔热构件的下端与所述熔融硅液的上表面之间，其中惰性气体水平向外移动，其中，单晶中的氧浓度根据所述第二流动路径与所述第一流动路径的体积比来控制。
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公开(公告)号：CN103890242B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201280048372.0
申请日：2012-07-17
申请人： GTAT公司
发明人： C·夏蒂埃
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , C30B11/007 , C30B11/02 , C30B29/06 , F28D15/00 , F28F13/00
摘要： 本发明揭露一种长晶炉，包括：至少含有原料的坩锅以及液体冷却热交换器，液体冷却热交换器是在该坩锅下方能垂直移动来从该坩锅散热以促成晶锭的成长。液体冷却热交换器包含由高导热材料制作的散热球，其能够垂直移动地与该坩锅进行热交流来使用液态冷媒从该坩锅散热。还揭露一种被封闭在密封管状外罩中的液体冷却热交换器和使用能垂直移动的液体冷却热交换器来制造晶锭的方法。
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公开(公告)号：CN107299390A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710683170.8
申请日：2017-08-11
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种带缓冲夹层的硅料加热埚，属于单晶硅生产技术领域。其包括保护埚和石英埚，石英埚嵌套在保护埚内，保护埚为一体化结构，石英埚和保护埚之间在侧壁位置处和底部位置处均具有间隙，间隙内填充有缓冲砂。本发明中保护埚为一体化结构，可以防止硅蒸气进入保护埚内，提高保护埚的使用寿命，并且，保护埚和石英埚并非直接接触，而是在两埚的间隙中填充有缓冲砂，缓冲砂可以吸收石英埚的膨胀力，对保护埚起到保护的作用。
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公开(公告)号：CN107287652A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710394434.8
申请日：2017-05-29
申请人： 德令哈晶辉石英材料有限公司
摘要： 一种抑制熔融硅液面振动的石英坩埚，其壁部和弯曲部的内表面在垂直方向和水平方向分布有微凹槽，微凹槽的宽度为0～500μm，微凹槽的深度为0～500μm；垂直方向微凹槽之间的间隔为5～20mm，水平方向微凹槽之间的间隔为0.1～5mm；凹槽的横截面为半圆形、矩形或半椭圆形中的任意一种；所述的微凹槽形成方法为：在坩埚制备的高温熔制工艺结束后，用二氧化碳气体激光器发射激光束对坩埚内表面特定区域加热使部分区域二氧化硅升华来形成凹槽；或者用钻石钻头在水冷的条件下对表面的特定区域加工形成凹槽；或者用氢氧焰对表面的特定区域局部加热使部分区域二氧化硅升华来形成凹槽；或者用加热到高温的等离子气体对表面的特定区域加热形成凹槽。此坩埚能够有效地保证拉晶工序的顺利进行，并提高成晶率。
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公开(公告)号：CN104818531B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510261736.9
申请日：2015-05-21
申请人： 株洲佳邦难熔金属股份有限公司
发明人： 申智慧
摘要： 本发明公开了一种蓝宝石长晶炉中钨坩埚的支撑方法及钨坩埚支撑装置，支撑方法是在钨坩埚的底部设置凸台，在钨托盘的顶面设置凹槽，在钨托盘的凹槽中设置氧化锆沙，将凸台插入到凹槽中且凸台与氧化锆沙相支撑接触使得钨坩埚支撑在钨托盘上；凸台的外侧面与凹槽的内侧面之间留有间隙，钨坩埚的底面与钨托盘的顶面之间留有间隙，或支撑方法是在钨托盘的顶面设置凸台，在钨坩埚的底部设置凹槽，在钨托盘的凸台设置氧化锆片，将凸台插入到凹槽中且凸台与氧化锆片相支撑接触使得钨坩埚支撑在钨托盘上；凸台的外侧面与凹槽的内侧面之间留有间隙，钨坩埚的底面与钨托盘的顶面之间留有间隙。本发明能使钨坩埚在加热体变形后，还能再次调整以确保同心度。
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公开(公告)号：CN106894079A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510959044.1
申请日：2015-12-21
申请人： 上海超硅半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种单晶硅锭的生长装置，主要涉及单晶炉用热场，主要包括：石墨坩埚、加热器、上下保温筒、支撑环、保温罩、导流筒、坩埚托盘、坩埚支撑轴和底盘保温层。本发明通过优化石墨坩埚的结构、加热器结构和调整保温材料，来改善单晶炉的保温效果，改善热场分布，从而降低能耗；并且可以增加石墨坩埚、加热器等部件的重复使用率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106835278A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710024371.7
申请日：2017-01-13
申请人： 许昌天戈硅业科技有限公司
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/206 , C30B29/20
摘要： 本发明公开供一种晶体生长炉加热器以及蓝宝石晶体生长炉，生长炉加热器，包括环形基筒、加热环以及电机，加热环设置在环形基筒的内壁上，且加热环通过导线与炉体外部的加热元件电源和控制器连接，炉体的炉盖上对称设置有两个电机，电机与控制器通过导线连接，电机的输出轴上绕设有提拉线，提拉线的下端穿过炉体并与环形基筒的上端固定连接。本发明的蓝宝石晶体生长炉为较为环保的低能耗生长炉，生长炉内的加热器可灵活调节，并且长晶炉还配有换热器，换热器用于保护气和冷却循环水之间的热量交换，利用冷却循环水的热量使充入炉体内的保护气升温，带有热量的保护气进入炉体内，能进一步提高炉内的保温效果，实现了坩埚冷却循环水热量的重新利用。
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公开(公告)号：CN104120489B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410314769.0
申请日：2009-12-08
申请人： II-VI有限公司
发明人： 瓦拉塔拉詹·伦加拉詹 , 伊利娅·茨维巴克 , 迈克尔·C·诺兰 , 布赖恩·K·布鲁哈德
CPC分类号： C30B23/063 , C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/541 , C30B23/06 , C30B23/066 , C30B29/36
摘要： 本发明提供一种高晶体质量的SiC单晶晶锭及其形成方法。方法包括：(a)设置圆筒形的坩埚，其具有顶部、底部和侧部；(b)设置以间隔关系位于所述坩埚内部的SiC籽晶和源材料；(c)设置一个或多个电阻加热器，其与所述坩埚的顶部、底部和侧部呈间隔关系并关于所述坩埚轴对称地设置在所述坩埚外侧；(d)在所述电阻加热器上施加电功率，以使所述源材料升华并且将升华的所述源材料传输到所述SiC籽晶，在所述SiC籽晶处，传输的升华的所述源材料凝结并形成具有凸形生长界面的SiC单晶晶锭；以及(e)生长具有如下特性的晶体质量的所述SiC单晶晶锭：X射线反射的半高宽小于40弧秒，晶片平均微管密度小于0.5微管/cm2。
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公开(公告)号：CN104389014B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410720086.5
申请日：2014-12-02
申请人： 江苏科技大学
IPC分类号： C30B15/10
摘要： 本发明公开了一种用于单晶生长的石英坩埚，包括内层和外层，其中，所述内层由0.5mm～2mm的二氧化硅颗粒和100nm以下的纳米二氧化硅制备而得；所述的外层由0.5mm～2mm的二氧化硅颗粒、100nm以下的纳米二氧化硅、稳定相物质和氮化硅按比例制备而成，所述的稳定性物质为氧化钛、氧化锆、氧化铝、氮化钛、氮化铝和氮化锆中的任意一种。本发明将石英坩埚分为内外两层生产，内层是采用合成石英，其中在石英的颗粒尺度上进行控制，包括大颗粒与小颗粒；外层通过加入增强相和稳定相控制石英强度，增强相加入的物质为天然硅砂二氧化硅。本发明的制造方法提供了石英坩埚强度高、耐久性好、外层粘度高等物理性质，因此可以防止高温加热导致的石英坩埚的开裂、漏硅。
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公开(公告)号：CN103827351B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280042094.8
申请日：2012-08-02
申请人： 3M创新有限公司
CPC分类号： F27B14/10 , C23C18/1204 , C23C18/1212 , C23C18/127 , C23C18/1275 , C30B11/002 , C30B15/10 , C30B35/002 , F27B2014/104 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种模塑制品，其包括具有牢固粘附的剥离层的基底，其中所述剥离层包含92-98重量%氮化硅(Si3N4)以及2-8重量%二氧化硅(SiO2)，并且其中所述剥离层具有≤8重量%的总氧含量和根据DIN EN ISO 6506-1的至少10HB 2.5/3的硬度。本发明还涉及一种用于制备此类模塑制品的方法、一种用于在此类方法中使用的涂层悬浮液以及根据本发明的模塑制品在腐蚀性非铁金属熔体领域中的用途。
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