公开(公告)号：CN118316092A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410732946.0

申请日：2024-06-07

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网甘肃省电力公司

发明人： 赵东艳 ,  陈玉哲 ,  林一凡 ,  段军红 ,  郑哲 ,  崔文朋 ,  熊艳伟 ,  杨清辰 ,  池颖英 ,  刘瑞 ,  薛党莲 ,  亓学庆 ,  夏信

IPC分类号： H02J3/32 ,  H02J3/00 ,  G06Q10/0631 ,  G06Q50/06 ,  G06F18/25 ,  G06N7/04 ,  G06N3/045 ,  G06N3/043 ,  G06N3/096 ,  G06N3/084

摘要： 本公开涉及电力系统智能监控和管理技术领域，具体涉及一种源网荷储协同用电智能调控方法、装置、系统、电子设备及存储介质。所述源网荷储协同用电智能调控系统包括能源调控中心和设置于微电网内的能源调控单元。能源调控单元基于时间注意力机制的LRCN双层网络组合模型进行用电量预测，生成未来预设时间内的用电盈缺量。能源调控中心根据各微电网的用电盈缺量和最新当前电价，使用基于帕累托前沿曲线和模糊算法的融合多目标算法生成微电网协同用电调控方案，并将调控方案发送给各能源调控单元执行，确保微电网的能源供需平衡。由此实现了对微电网集群中能源的高效、智能、精细化管理，降低了能源消耗和成本，为微电网的可持续发展提供了有力支持。

公开(公告)号：CN118280928A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410181273.4

申请日：2023-12-21

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  南京航空航天大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  王祥 ,  李延 ,  胡晓波 ,  于艳艳 ,  王晶 ,  刘伟强 ,  崔益军 ,  袁艳芳 ,  张磊 ,  涂因子 ,  黄琪 ,  刘梦 ,  刘辉志 ,  张彦杰

IPC分类号： H01L23/00 ,  G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F30/398 ,  G06F18/24 ,  G06F18/214

摘要： 本发明公开了一种微粒器件、芯片、电子设备、芯片防护方法、装置及介质。采用微粒器件对芯片进行防护，由于该微粒器件的尺寸极小，相应地提升芯片内部散落微粒器件的数量，提升异常检测覆盖率。通过异构逻辑处理器对相同输入信号进行逻辑运算，得到该相同输入信号对应的多个逻辑运算结果，直接利用多个逻辑运算结果对芯片进行异常检测，不再需要如相关技术中利用不同延迟链输出的信号进行比较，更加及时快速地发现芯片异常，而且异构逻辑处理器中的逻辑运算单元结构简单。另外，相较于相关技术中各延迟线之间具有严格的约束条件，利用异构逻辑处理器对芯片进行防护，其普适性更强，能够更加灵活地在芯片内进行布局，利于提升芯片的安全性。

公开(公告)号：CN118244658A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410663835.9

申请日：2024-05-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  刘增辉 ,  郑哲 ,  刘彬 ,  龚向峰 ,  陶友水 ,  石丽月 ,  贾建磊 ,  马辉 ,  杜文奇 ,  李春晖 ,  崔文朋 ,  熊艳伟

IPC分类号： G05B19/04 ,  H05B47/105 ,  H05B47/11

摘要： 本公开涉及智能监控技术领域，具体涉及一种照明装置的智能控制方法、装置、监控设备、芯片及存储介质。所述方法包括：获取照明装置的当前开关状态；当所述照明装置的当前开关状态为关闭状态时，获取第一当前环境亮度，根据所述第一当前环境亮度和动态开灯阈值判断是否满足开启条件，若满足，将所述照明装置切换至开启状态；当所述照明装置的当前开关状态从关闭状态切换为开启状态后，获取第二当前环境亮度和第一当前色温值，根据所述第二当前环境亮度和第一当前色温值确定动态关灯阈值；根据所述动态关灯阈值判断是否满足关闭条件，若满足，将所述照明装置切换至关闭状态。由此解决了硬件光敏的局限性，提高了对于照明装置开关的控制精度。

公开(公告)号：CN118233741A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410649578.3

申请日：2024-05-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  马辉 ,  刘彬 ,  龚向峰 ,  陶友水 ,  李春晖 ,  杜文奇 ,  石丽月 ,  贾建磊 ,  刘增辉 ,  郑哲 ,  崔文朋 ,  张瑶瑶

IPC分类号： H04N23/65 ,  H04Q9/00

摘要： 本公开涉及智能监控技术领域，具体涉及一种用于远程抄表的智能微型拍摄终端及其控制方法、电子设备、介质及产品，所述智能微型拍摄终端包括：供电管理电路、低功耗控制电路、图像采集处理模块和图像传输电路；供电管理电路被配置为对低功耗控制电路进行低功耗供电；低功耗控制电路包括多模式低功耗控制模块；多模式低功耗控制模块被配置为在指定抄表时间段，利用至少一种唤醒方式唤醒所述多模式低功耗控制模块内部的微控制单元模块，以由微控制单元模块控制供电管理电路与图像采集处理模块、图像传输电路之间进行连接。本公开可以根据实际情况智能选择不同的唤醒方式，满足不同场景下的抄表需求，提高了远程抄表的灵活性和适应性。

公开(公告)号：CN118136679A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410553698.3

申请日：2024-05-07

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

发明人： 赵东艳 ,  刘芳 ,  吴波 ,  郭乾文 ,  张睿 ,  邓永峰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/15 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种基于异质结二维电子气的双栅LDMOS器件及制造方法。所述器件包括：衬底、漂移区、体区、源区及漏区，还包括：超晶格薄层、栅氧化层、正栅极及背栅极。超晶格薄层形成于衬底的上表面，漂移区和体区形成于超晶格薄层的表面，源区与体区相接并延伸至衬底与超晶格薄层的一端相接，漏区与漂移区相接并延伸至衬底与超晶格薄层的另一端相接。源区、体区、栅氧化层、正栅极及漏区组成MOSFET结构，使体区表面和漂移区表面形成第一导电沟道；体区与超晶格薄层、衬底及背栅极组成HEMT结构，超晶格薄层的异质结界面形成二维电子气作为第二导电沟道。本发明通过双导电沟道，降低器件的比导通电阻。

公开(公告)号：CN117852462A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311550020.1

申请日：2023-11-20

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王凯 ,  王柏清 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC分类号： G06F30/367 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04 ,  G06F111/08 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

摘要： 本申请公开可靠性仿真方法、可靠性仿真装置、仿真设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括获取电磁干扰信号的周期性干扰信号；对获取的电磁干扰信号周期性干扰信号进行高斯混合模拟，以获取高斯混合干扰信号时域函数；根据高斯混合干扰信号时域函数和预设加速因子模型，将周期性干扰信号转换为矩形脉冲信号，预设加速因子模型为正常工况下的预期失效时间和具有预设加速应力条件下的真实失效时间的比值，预设加速因子模型满足退化一致性条件；及将矩形脉冲信号作为输入边界条件，输入到预设的仿真软件仿真预设次数，以输出待仿真晶体管的退化率，退化率配置为表征待仿真晶体管的可靠性。如此，仿真结果可准确地反应待仿真晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN117317024B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311589183.0

申请日：2023-11-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 郁文 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘春颖 ,  曹永万 ,  陆姗姗 ,  张同 ,  李君建 ,  张东 ,  刘倩倩 ,  邵亚利 ,  倪芳

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本申请公开了一种高开关特性半导体器件、工艺、芯片及电子设备，属于半导体技术领域。高开关特性半导体器件包括：衬底；导电层，形成于衬底上，导电层包括沿第一方向排布的源区、体区、漂移区和漏区，漂移区内形成有沿第二方向延伸的隧穿区，第二方向与第一方向交叉；栅介质层，形成于导电层上，且位于体区和至少部分漂移区上方；栅电极层，形成于栅介质层上。通过在漂移区内设置隧穿区，在器件处于关态时，隧穿区由于势垒较高，载流子无法隧穿，能够有效降低漏电流，节约功耗，隧穿区的隔离作用能够提升耐压特性及抗电磁特性；在器件处于开态时，载流子一部分隧穿导电，一部分绕过隧穿区导电，获得较高的开态电流，具有良好的开关电流比。

公开(公告)号：CN117457583B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311773106.0

申请日：2023-12-21

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  南京航空航天大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  王祥 ,  李延 ,  胡晓波 ,  于艳艳 ,  王晶 ,  刘伟强 ,  崔益军 ,  袁艳芳 ,  张磊 ,  涂因子 ,  黄琪 ,  刘梦 ,  刘辉志 ,  张彦杰

IPC分类号： H01L23/00 ,  G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F30/398 ,  G06F18/24 ,  G06F18/214

公开(公告)号：CN117313625B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311605343.6

申请日：2023-11-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  戴飞 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王柏清 ,  王凯 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC分类号： G06F30/367 ,  G01R31/26 ,  G01N33/2022 ,  G06F119/04

摘要： 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。

公开(公告)号：CN117235420B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311518929.9

申请日：2023-11-15

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 刘畅 ,  赵东艳 ,  李德建 ,  杨凯悦 ,  沈冲飞 ,  谭浪 ,  杨立新

IPC分类号： G06F17/14 ,  G06F123/02

摘要： 提供一种信号处理电路、方法、处理器、存储介质及芯片，属于数字信号处理技术领域。该电路包括串行/并行数据转换器、N点FFT计算模块和FFT转换模块；所述串行/并行数据转换器，用于将由时域信号组成的第一实数序列转化为复数序列，所述第一实数序列的长度为2N或2N‑1，所述复数序列的长度为N；所述N点FFT计算模块，用于对所述复数序列进行快速傅里叶变换，得到复数序列的快速傅里叶变换结果；所述FFT转换模块，用于根据复数序列与第一实数序列的快速傅里叶变换结果的转换关系，将复数序列的快速傅里叶变换结果转换为第一实数序列的快速傅里叶变换结果，以得到所述第一实数序列的频域信号。本发明实施例可以减小信号处理电路的面积、存储量以及功耗。