公开(公告)号：CN1284248C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN00819949.3

申请日：2000-11-30

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 大塚寬之

IPC: H01L31/068

Abstract: 一种太阳能电池(100)，系在半导体基板(1)的主表面形成凹凸部，并用绝缘膜(3)被覆该主表面，在主表面形成未被绝缘膜(3)被覆之半导体层露出区域(5)(包含凹凸部的至少部分凸部(15)的顶部)。在半导体层露出区域(5)内的凸部(15)之顶部(25)上，以直接或透过其它导电层来间接接触的方式形成输出取出用电极(7)。半导体层露出区域(5)，系以包含凹凸部(15)的形式用绝缘膜(3)被覆半导体基板(1)的主表面，且在凸部(15)顶部(25)以外区域将绝缘膜(3)用蚀刻保护膜(4)被覆，之后藉蚀刻来除去凸部(15)顶部(25)的绝缘膜(3)，如此般而形成出。

公开(公告)号：CN1784789A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200480012530.2

申请日：2004-03-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社 ,  国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学

Inventor： 高桥正俊 ,  大塚宽之 ,  松村英树 ,  增田淳 ,  和泉亮

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在太阳能电池(100)中，具有半导体太阳能电池衬底(66)，在该半导体太阳能电池衬底(66)中，其第1主表面上形成感光面，并且基于照射到该感光面的光，产生光电动势，上述半导体太阳能电池衬底(66)的感光面被感光面侧绝缘膜(61)覆盖，该感光面侧绝缘膜(61)是由阳离子成分的主体为硅的无机绝缘材料形成的，该感光面侧绝缘膜(61)由氧含量原子百分比小于10％的低氢含量的无机绝缘膜构成。由此，提供具有钝化效果优良，并且避免钝化效果伴随时间而变差的绝缘膜的太阳能电池。

公开(公告)号：CN1246894C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN01804662.2

申请日：2001-12-07

Applicant: 信越聚合物株式会社 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 矢岛敏嗣 ,  镰田俊行

IPC: H01L21/68 ,  B65D85/90 ,  F16J15/10

CPC classification number: H01L21/67376 ,  B29C45/1676 ,  F16J15/025 ,  F16J15/062 ,  F16J15/104

Abstract: 一种介于由具有开口端部的容纳片料的容器本体(20a)与盖体(20b)构成的片料容纳容器(20)的所说开口端部与所说盖体之间的密封件(10)，所说密封件由以第一材料形成的基体部分(11)，以及以第二材料形成的、将所说基体部分的至少一部分覆盖的被覆部分(12)构成，所说被覆部分具有与所说容器本体和盖体中的一方接触而形成密封的密封形成部。

公开(公告)号：CN1748287A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN1229876C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN01141187.2

申请日：2001-09-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樋口晋 ,  铃木由佳里 ,  川崎真 ,  相原健

IPC: H01L33/00

Abstract: 让GaP磊晶晶圆之第一主表面侧接触于Ga溶液，对于与该Ga溶液相接之周围环境气氛供给作为氮源之NH3气体，以进行N掺杂之GaP层的液相磊晶生长。接着，于该制程中使得Ga溶液之周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。

公开(公告)号：CN1685532A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200380100151.4

申请日：2003-10-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/477 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/0095

Abstract: 在基板1的主表面上，层叠形成由该基板1所不含之In系化合物或Zn系化合物作为构成材料之多晶层或非晶态层之前段缓冲层2’，之后，在形成发光区域前，将该前段缓冲层2实施晶化用的热处理而形成缓冲层2。藉此，提供出能制造简便且可提高发光区域品质之Zn系半导体发光元器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1643658A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806715.3

申请日：2003-03-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 富永广良 ,  林俊行

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/08 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明的两面研磨装置至少具备有晶片保持孔的载体板；粘贴研磨布的上工作台及下工作台；粉浆供给机构；晶片保持孔内保持着晶片，一边供给粉浆，使载体板在上下工作台间运动，可同时研磨晶片表里两面，用圆连结上述上工作台的负载支点时构成圆直径的上工作台负载支点的PCD，与用圆连结载体板各保持孔中心时构成圆直径的载体板保持孔中心的PCD一致，由此提供以优异的响应性使工作台变形来控制晶片形状，不会使晶片形状恶化，可以高精度稳定进行研磨的晶片。

公开(公告)号：CN1604351A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410083438.7

申请日：2004-09-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供了即使包含发光层部的化合物半导体层极薄、且产生弯曲时，仍能够在不致产生裂痕及缺口的前提下确实地进行与元件基板间的贴合的发光元件的制造方法。该方法是将化合物半导体层50与元件基板7重叠制得层压体130，以于第一加压构件51的金属主体51a与层压体130的第一主表面之间及第二加压构件52的金属主体52a与层压体130的第二主表面之间两方的至少任一方、介设热塑性高分子材料构成的加压缓冲层150、111的状态，在分别具有金属主体51a、52a的第一加压构件51与第二加压构件52之间配置该层压体130。然后，以可软化加压缓冲层150、111的贴合温度来加热层压体130，并隔着软化的加压缓冲层150、111对该层压体130加压，藉此在第一加压构件51与第二加压构件52之间进行化合物半导体层50与元件基板7的贴合。

公开(公告)号：CN1574247A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045706.6

申请日：2004-05-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 保科祐章 ,  田中纪通

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/306 ,  H01L21/205

Abstract: 在自掺杂现象、颗粒以及裂纹的产生受到抑制的状态下，保持较高的生长速度在单晶硅基片的主表面上气相生长出硅外延层。作为硅外延片(1)的制造方法，首先，在单晶硅基片(10)的背面(14)形成硅氧化膜(15)。其次，将单晶硅基片(10)，以单晶硅基片(10)的背面(14)被遮盖、并且单晶硅基片(10)的外周部(16)的一部分露出于液面之上的状态浸渍在氢氟酸中，以使得从单晶硅基片(10)的背面(14)延续到外周部(16)的最外缘(X)的外周氧化膜(110)，仅残留于外周部(16)的局部上。然后，在残留的外周氧化膜(110)与基座(32)的锪孔部(33)的侧面相接触的状态下，在单晶硅基片(10)的主表面(12)上气相生长出硅外延层(13)。

公开(公告)号：CN1545725A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN02816297.8

申请日：2002-08-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 户部敏视

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225

Abstract: 本发明提供一种外延晶片，在掺杂氮的单晶硅晶片表面形成有硅外延层，其特征在于：体内具有吸气能力的氧析出物密度不低于108个/cm3。另外，本发明是提供一种外延晶片的制造方法，其特征在于：用CZ法拉制添加了氮的单晶硅，将该单晶硅加工成晶片，以制造出单晶硅晶片，在该单晶硅晶片进行热处理，使将晶片的体内的具有吸气能力的尺寸的氧析出物密度不低于108个/cm3，然后在上述单晶硅晶片上进行外延生长。由此，不依存于器件工序，可确实获得一种具有高吸气能力的单晶硅晶片。