公开(公告)号：CN100380580C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

申请人： 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

摘要： 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN1748287A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

申请人： 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

摘要： 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN1217380C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN01812499.2

申请日：2001-07-06

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  伊藤辰夫 ,  金谷晃一

IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L21/28211 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/518 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  Y02E10/547 ,  Y02P80/30

摘要： 本发明涉及一种单结晶晶片，特征在于单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01-1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10-1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面，且晶片的厚度(μm)/晶片的直径(mm)≤3。由此，可通过提供即使晶片厚度薄，也可承受器件工艺的单结晶晶片，可降低单结晶原料的损失。另外，通过利用如此的晶片，可低成本地提供MIS型半导体器件。

公开(公告)号：CN1599958A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02824295.5

申请日：2002-11-25

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 三谷清 ,  出水清史 ,  横川功 ,  大见忠弘 ,  须川成利

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045

摘要： 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。

公开(公告)号：CN100403543C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN02824295.5

申请日：2002-11-25

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 三谷清 ,  出水清史 ,  横川功 ,  大见忠弘 ,  须川成利

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045

摘要： 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。

公开(公告)号：CN1440565A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812499.2

申请日：2001-07-06

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  伊藤辰夫 ,  金谷晃一

IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L21/28211 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/518 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  Y02E10/547 ,  Y02P80/30

摘要： 本发明涉及一种单结晶晶片及太阳电池单元，单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01－1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10－1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面为特征的单结晶晶片。由此，可经由提供即使晶片厚度为薄，可承受装置制程的单结晶晶片，可减低单结晶原料的损失。又，经由利用如此晶片，可低成本提供MIS型半导体装置或太阳电池单元。

公开(公告)号：CN100479109C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510077566.5

申请日：2002-03-28

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32211 ,  H01J37/32192

摘要： 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。

公开(公告)号：CN1210768C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02800920.7

申请日：2002-03-28

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也 ,  本乡俊明

IPC分类号： H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

摘要： 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。

公开(公告)号：CN1592957A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN01821537.8

申请日：2001-12-27

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

摘要： 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包含以硅为衬底的多个晶体管和电容，其中，氢至少存在于所述硅衬底表面的一部分上，通过将所述表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除所述氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而在硅衬底表面上形成一种硅化合物层，该硅化合物层至少包含构成所述气体分子的一部分的元素。

公开(公告)号：CN1484852A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN01821536.X

申请日：2001-12-27

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

摘要： 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。