-
公开(公告)号：CN103714188A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210545271.6
申请日：2012-09-28
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5045 , G03F7/70433 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 一种系统，其用于使用管芯数目优化(DNO)例程来优化能够制造在晶片上的管芯的数目以确定针对目标管芯面积(TDA)的管芯的最大数目，并且产生具有针对TDA的管芯的最大数目的管芯形状的初始结果列表。可选的，能够执行DSO例程以确定具有与管芯的最大数目相对应的最大管芯面积的管芯形状的列表、具有针对减小的TDA的最大面积利用率(AU)的优化管芯形状的第一列表、和/或具有针对增大的TDA的最小面积利用率优化管芯形状的第二列表。能够产生各种管芯形状的候选列表(CL)，并且自动选择和/或显示CL中的条目以指示建议晶片布局。
-
公开(公告)号：CN103703783A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201180072424.3
申请日：2011-07-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 什洛莫·比尔-金戈尔德 , 奥费尔·内曼 , 迈克尔·扎鲁宾斯基
IPC: H04N19/625 , H04N19/124 , H04N19/147 , H04N19/80
CPC classification number: H04N19/426 , H04N19/13 , H04N19/136 , H04N19/1883 , H04N19/513 , H04N19/63 , H04N19/635 , H04N19/93
Abstract: 一种用于处理图像的方法。所述方法包括检索图像（200），将所述图像编码成一串分量（202），导出每一个分量的指数E，导出尾数，其中每一个分量的至少近似值可以从所述指数和尾数导出，并且其中每一个指数指示其随同尾数M中的位数，至少压缩所述指数(308、206)，以及将所述指数和所述尾数存储在存储器（316）中。还提供了一种用于处理图像的装置。
-
公开(公告)号：CN103703427A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201180072400.8
申请日：2011-07-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 弗拉基米尔·利托夫琴科 , 哈拉尔德·吕普肯 , 马库斯·雷格纳
CPC classification number: G06F9/3885 , G06F1/12 , G06F11/1658
Abstract: 提出了一种包括至少第一处理单元（12）和第二处理单元（14）的处理装置（10）。所述第一处理单元（12）包括一组第一状态元件（18），所述第二处理单元（14）包括一组第二状态元件（20）。一组同步数据线（34）可以以成对的方式将所述第一状态元件（18）连接到所述第二状态元件（20）。控制单元（16）可以响应于同步请求而控制第一处理单元（12）、第二处理单元（14）和同步数据线（34）以便经由所述同步数据线（34）并行地将第一状态元件（18）的状态复制到第二状态元件（20）。还提出了一种同步处理单元的方法。
-
公开(公告)号：CN103703422A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201180072408.4
申请日：2011-07-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Abstract: 安全关键装备(10)包括：安全相关模块组(12、14、16)；具有一个或多个用户界面(20、22、24)的一个或多个舒适模块(18)；以及被布置成使所述一个或多个用户界面中的至少一个适应于所述安全关键装备的当前操作状况的涣散控制设备(26)。所述涣散控制设备包括被布置成从所述安全相关模块组接收安全相关状态信号组(32、34、36)以及提供取决于所述安全相关状态信号组的当前可接受涣散阈值(38)的操作者负担评估单元(28)；被布置成从所述一个或多个舒适模块接收一个或多个舒适状态信号(42)以及提供取决于所述一个或多个舒适状态信号的当前涣散值(44)的涣散管理单元(40)；以及被布置成接收所述当前可接受涣散阈值和所述当前涣散值以及当所述当前涣散值超过所述当前可接受涣散阈值的时候给所述一个或多个舒适模块的所述一个或多个用户界面提供一个或多个去激活判定信号(48、50、52)的判定单元(46)。
-
公开(公告)号：CN103681473A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310410597.2
申请日：2013-09-11
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/76814 , H01L23/485 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/0231 , H01L2224/02375 , H01L2224/04105 , H01L2924/12042 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有沟槽通路的微电子封装及其制造方法。本发明提供包括至少一个沟槽通路(76)的微电子封装(50)的实施例，以及用于制造这样的微电子封装的方法的实施例。在一个实施例中，该方法包括在具有多个接触垫(58、60)的第一微电子器件(52)之上沉积介电层(74)的步骤，所述多个接触垫(58、60)被所述介电层覆盖。沟槽通路被形成于所述介电层内以通过所述沟槽通路暴露所述多个接触垫。所述沟槽通路被形成为包括在其中具有多个凹部的相对的细圆齿状侧壁(78)。然后，通过所述沟槽通路暴露出来的所述多个接触垫被溅射蚀刻。多个互连线(96)在所述介电层上形成，所述多个互连线的每一个电耦合到所述多个接触垫中的不同的一个。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103679067A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310411053.8
申请日：2013-09-11
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G06F21/80
CPC classification number: G06F21/6218 , G06F12/1466 , G06F12/1483 , G06F21/79
Abstract: 公开了用于非易失性存储器（NVM）系统内代码保护的方法和系统。存储在NVM存储器扇区内的信息，例如启动代码或其它代码块，通过使用写入在NVM系统内的一次编程存储器区域的锁定代码和锁定密钥被保护。此外，锁定代码被结合为可以被存储在合并的保护寄存器内的合并的锁定代码。合并的保护寄存器内被用于控制对受保护存储器扇区的访问。当存储器扇区被保护时，锁定代码/密钥对被写入一次编程区域。存储了锁定代码/密钥对的一次编程区域对外部用户来说是不可读的。一旦被保护，存储器扇区在没有锁定代码/密钥对的情况下不能被更新。
-
公开(公告)号：CN103678112A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310384852.0
申请日：2013-08-29
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G06F11/3636
Abstract: 本发明公开了用于处理观察点的数据处理器装置及其方法。在数据处理器的操作的调试模式期间，启用集成电路的操作的调试跟踪模式。响应于操作的调试跟踪模式被启用，跟踪信息(701)被存储在集成电路的存储器中。如果用跟踪信息将存储器填充到特定水平（702-Y），响应于检测到观察点的发生，从存储器中清除跟踪信息。
-
公开(公告)号：CN103677054A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210334326.9
申请日：2012-09-11
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种带隙基准电压发生器具有在第一节点和第二节点之间的第一和第二电流传导路径。第一电流传导路径具有与第一正向偏置PN结元件串联连接的第一电阻元件。抽头通过开关选择性连接到第一电阻元件，开关可控制来选择抽头处的分压比。第二电流传导路径包括与电流密度比第一PN结更大的第二PN结元件串联连接的第二电阻元件。电压误差放大器具有连接到抽头和第二PN结元件的输入以及提供热补偿输出电压VREF的输出。反馈路径将输出电压VREF经第三电阻元件应用到第一节点。
-
公开(公告)号：CN103674412A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310388997.8
申请日：2013-08-30
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 安德鲁·C·麦克耐尔 , 林毅桢
IPC: G01L17/00
CPC classification number: G01L9/0072 , B60C23/0408 , G01L9/12
Abstract: 本发明公开了一种具有差分电容输出的压力传感器。提供了一种MEMS压力传感器装置(200,400,500,600)，其不仅可以提供关于外部压力的线性输出，而且提供差分电容输出以便改进信号振幅水平。这些优势通过使用旋转检测质量(250,420,520)被提供，其中该旋转检测质量从配置在旋转检测质量两端的电极生成电容输出(283,293)。可以然后通过使用从旋转检测质量末端生成的电容之间的差来生成传感器输出。这种配置的附加好处是，与传统MEMS压力传感器相比，差分电容输出相对于外部压力改变以更加线性的方式改变。
-
公开(公告)号：CN103634609A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210452056.1
申请日：2012-08-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 何叶东
IPC: H04N19/86 , H04N19/176
Abstract: 一种符合H.264/AVC标准的对编码宏块去块滤波的方法和系统。该方法包括对宏块的第一子块的三条边去块滤波，以及对与第一子块相邻的第二子块的两条垂直边去块滤波。该方法还对第二子块的上水平边执行去块滤波，以提供去块滤波后的第一子块。在对该三条边以及第二子块的左垂直边和右垂直边滤波后，即刻执行第二子块的上水平边的去块滤波。在执行任何进一步的去块滤波前，该方法还将去块滤波后的第一子块存储在一输出缓冲器中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
2276
records
(took 0.061 seconds)
