公开(公告)号：CN104106143B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201280067268.6

申请日：2012-11-20

申请人： 速力斯公司

发明人： M·M·穆斯利赫 ,  M·温格特

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0725 ,  H02S40/32 ,  H01L27/142

CPC分类号： H01L31/0516 ,  H01L27/1421 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/0725 ,  H02S40/32 ,  Y02E10/50

摘要： 提供一种带有电池上电子器件的背接触太阳能电池。所述背接触太阳能电池包括半导体衬底，该半导体衬底具有光捕获前部以及与光捕获前部相对的背部。第一叉指金属化图案设置在半导体衬底的背部，背板支撑件附着到半导体衬底的背部。第二叉指金属化图案设置在背板上并且连接到第一叉指金属化图案。电池上电子元件附着到第二叉指金属化图案上，并且以电引线将电池上电子元件连接到第二叉指金属化图案。

公开(公告)号：CN105474406A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480033927.3

申请日：2014-04-14

申请人： 速力斯公司

发明人： M·M·穆斯利赫

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/142 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18 ,  H02S40/32 ,  H01L31/044

CPC分类号： H02S20/26 ,  H01L27/1421 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/044 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/1896 ,  H02J3/385 ,  H02S40/30 ,  H02S40/32 ,  H02S40/34 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/58

摘要： 提供一种用于发电的太阳能光伏模块层压板。多个太阳能电池被嵌入模块层压板内且被设置为在所述模块层压板内形成至少一个电互连的太阳能电池串。多个功率优化器被嵌入该模块层压板内且电互连至所述多个太阳能电池上以及由所述多个太阳能电池供电。每一个分布式功率优化器能够运行在不具有局部最大功率点跟踪(MPPT)的直通模式或者具有局部最大功率点跟踪(MPPT)的开关模式，并且具有用于分布式遮蔽管理的至少一个相关的旁路开关。

公开(公告)号：CN102460716B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080030023.7

申请日：2010-05-05

申请人： 速力斯公司

发明人： 乔治·卡米安 ,  S·纳格 ,  S·泰弥尔玛尼 ,  M·M·莫斯莱希 ,  K·J·克拉默 ,  米原隆夫

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/09

CPC分类号： C25D11/32 ,  C25D11/005 ,  C25D17/001 ,  C25D17/06 ,  C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明能够实现高生产率制造半导体基分离层（由单层或多层多孔半导体如多孔硅制成，包括单一孔隙度或多种孔隙度层）、光学反射器（由多层/多种孔隙度的多孔半导体如多孔硅制成），形成用于抗反射涂层、钝化层的多孔半导体（如多孔硅）以及多界面、多带隙太阳能电池（例如，通过在晶体硅薄膜或晶圆基太阳能电池上形成可变带隙的多孔硅发射器）。其他应用包括用于脱模的MEMS分离层和牺牲层的制造以及MEMS装置制造、膜形成和浅沟槽隔离（STI）多孔硅（使用带有最佳孔隙度并在之后氧化形成的多孔硅）。另外，本公开可应用在光伏、MEMS（包括传感器和致动器（单独操作的或与集成半导体微电子集成的））、半导体微电子芯片和光电子的一般领域。

公开(公告)号：CN102844883A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180018589.2

申请日：2011-02-12

申请人： 速力斯公司

发明人： M·M·穆斯利赫 ,  K·J·克拉默 ,  D·X·王 ,  P·卡普尔 ,  S·纳格 ,  G·卡米安 ,  J·亚西伊 ,  T·米原隆夫

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18 ,  H01L21/306 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/20 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了用于在可重复使用的半导体模板的两面制造TFSS的制造方法和设备，从而有效地提高衬底的产量并降低其制造成本。对于给定的模板重复使用循环次数，这种方法可将每一个制造出的衬底(TFSS)所分摊的起始模板成本降低一半。

公开(公告)号：CN102763225A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201080063303.8

申请日：2010-12-09

申请人： 速力斯公司

发明人： M·M·穆斯利赫 ,  P·卡普尔 ,  K·J·克拉默 ,  D·X·王 ,  S·苏特 ,  V·V·雷纳 ,  A·卡尔卡特拉 ,  E·范·科斯查伟 ,  D·哈伍德 ,  M·曼苏里 ,  M·温格特

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种使用半导体晶片的背结背触点太阳能电池及其制造方法。该背结背触点太阳能电池包括具有掺杂的基极区域、光俘获正面表面和掺杂的背面发射极区域的半导体晶片。正面和背面介电层和钝化层提供增强光阱和内反射。将背面基极和发射极触点连接至金属互连件，所述金属互连件在太阳能电池背面形成由叉指状电极和汇流条形成的金属化图案。

公开(公告)号：CN104737302A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380040222.X

申请日：2013-05-29

申请人： 速力斯公司 ,  A·德什潘德 ,  P·卡普尔 ,  V·V·雷纳 ,  M·M·穆斯利赫 ,  S·M·苏特 ,  H·德沙泽尔 ,  S·科默拉 ,  P·安巴拉甘 ,  B·E·拉特尔 ,  S·库坦特

发明人： A·德什潘德 ,  P·卡普尔 ,  V·V·雷纳 ,  M·M·穆斯利赫 ,  S·M·苏特 ,  H·德沙泽尔 ,  S·科默拉 ,  P·安巴拉甘 ,  B·E·拉特尔 ,  S·库坦特

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 描述了与太阳能电池的多级金属化有关的制作方法和结构。在一个实施例中，背触点太阳能电池包括具有接收光的前侧表面的衬底，以及用于形成图案化的发射极和非嵌套的基极区域的背侧表面。在晶体半导体衬底的背侧表面形成叉指状的掺杂的发射极和基极区域。在图案化的掺杂的发射极和基极区域上形成图案化的电绝缘层堆叠，该电绝缘层堆叠至少包括掺杂层和非掺杂覆盖层的组合。形成触点金属化图案，该触点金属化图案包括接触发射极区域的发射极金属化电极和接触基极区域的非嵌套基极金属化电极，其中，允许非嵌套基极金属化电极超出基极区域，从而与至少一部分的图案化的电绝缘体重叠而不会在太阳能电池中引发电分流。

公开(公告)号：CN102427971B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201080021690.9

申请日：2010-04-14

申请人： 速力斯公司

发明人： 乔治·卡米安

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14

CPC分类号： C23C16/45502 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14

摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积反应器，其具有改善的化合物利用率和成本效益。本公开的晶片基座可以以堆叠结构用于同时加工多个晶片。本公开的反应器可为逆流耗尽型反应器，其具有均一的膜厚度以及高的化合物利用率。

公开(公告)号：CN102782827B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080064953.4

申请日：2010-12-30

申请人： 速力斯公司

发明人： M·M·穆斯利赫 ,  D·X·王

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833 ,  G03F7/70708 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/76879 ,  H02N13/00 ,  Y02P80/30

摘要： 本发明在一个实施例中提供了一种载具，该载具包括具有由前侧沟槽划分的隔离的正电极区域和隔离的负电极区域的顶部半导体层，该前侧沟槽贯穿顶部半导体层至少至位于顶部半导体层和底部半导体层之间的基底绝缘层。一介质层覆盖载具的顶部的暴露表面。贯穿底部半导体层至少至绝缘层的背侧沟槽形成与前侧正电极区域和负电极区域对应的隔离的背侧区域。位于底部半导体层上且耦接至正电极区域和负电极区域的背侧触点允许了前侧电极区域的充电。

公开(公告)号：CN102782869A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080063496.7

申请日：2010-12-09

申请人： 速力斯公司

发明人： M·M·穆斯利赫 ,  P·卡普尔 ,  K·J·克拉默 ,  D·X·王 ,  S·苏特 ,  V·V·雷纳

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 提供了背结背触点三维太阳能电池及其制造方法。背结背触点三维太阳能电池包括三维衬底。该衬底包括具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，和极性与掺杂的基极区域相反的掺杂的背面发射极区域。背面钝化层置于掺杂的背面发射极区域上。背面发射极触点和背面基极触点，其连接至金属互连件且选择性地在三维太阳能电池背面的三维特征上形成。

公开(公告)号：CN102714227A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080060493.8

申请日：2010-11-10

申请人： 速力斯公司

发明人： P·卡普尔 ,  M·M·莫斯莱希

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/068 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本公开使三维薄膜太阳能电池（3-D TFSC）衬底的生产具有大批量成本效益。首先，本公开内容公开了锥体状单元电池结构16和50，通过其开放的锥体结构能够外延生长。然后本公开给出了四种3-D TFSC的实施方案70、82、100和110，其可根据需要进行结合。具有衬底、发射极、发射极上的氧化物、前和背金属接触的基础3-D TFSC加工简单。其它实施方案公开了选择性发射极、选择性背侧金属接触和前侧SiN ARC层。数种加工方法包括工艺流程150、200、250、300和350能够生产这些3-D TFSC。此外，本公开通过使用双侧模板400使生产量较高。通过在模板中加工衬底，本公开提高了成品率并减少了加工步骤。