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公开(公告)号：CN108987336B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201810508072.5
申请日：2018-05-24
申请人： ASM IP控股有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/762 , H01L29/78
摘要： 公开了一种在低温下形成具有良好膜闭合的金属氮化物膜的方法。所述方法可以包括利用等离子体形成NH和NH2自由基以允许在低温下形成所述金属氮化物。所述方法还可以包括使蚀刻气体流动以产生具有均匀厚度的无定形膜。所述方法还可以包括使烷基肼流动以抑制所述金属氮化物膜的三维岛状生长。
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公开(公告)号：CN109690744B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201780043306.7
申请日：2017-07-14
申请人： ASM IP控股有限公司
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/455
摘要： 根据本发明，提供了一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域。可以以第三剂量将第三反应物提供至反应室中的所述基底，所述第三反应物与所述第一和第二反应物中的至少一种反应。
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公开(公告)号：CN110494968B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201880021201.6
申请日：2018-03-30
申请人： ASM IP控股有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673 , B23K26/03
摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体装置的设备，其包括：反应室，所述反应室包括用于保持衬底的衬底保持器；以及用于加热所述衬底的加热器。所述加热器可以包括竖直腔表面发射激光器，所述竖直腔表面发射激光器被构造和布置成将辐射束发射到由所述衬底保持器保持的衬底以加热所述衬底。
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公开(公告)号：CN109314045B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201780023966.9
申请日：2017-04-07
申请人： ASM IP 控股有限公司 , 微电子研究中心
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/768
摘要： 一种藉由以下步骤于基底上形成定向自组装(DSA)层的方法：提供基底；在所述基底上施加包含自组装材料的层；以及藉由在所述基底周围提供受控的温度及受控的气体环境而将所述层的所述自组装材料退火以形成定向自组装层。所述受控的气体环境以介于10帕至2000帕之间的分压包含含有氧元素的分子。
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公开(公告)号：CN107342218B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201710300524.6
申请日：2017-05-02
申请人： ASM IP控股有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , H10B43/27 , C23C16/30 , C23C16/455
摘要： 本发明涉及通过原子层沉积形成的电荷俘获层。本申请公开了一种用于形成适用于V‑NAND堆叠体的层的方法。具体地说，为了形成氮氧化物层，所述方法可以包括用于形成氧化物和氮化物的多重循环。
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公开(公告)号：CN115838916A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202310026459.8
申请日：2016-10-14
申请人： ASM IP控股有限公司
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/02
摘要： 本发明涉及用于在基材上沉积薄膜的方法。特别地，该方法在基材上形成过渡金属硅酸盐。所述过渡金属硅酸盐例如可包括硅酸镧或硅酸钇。过渡金属硅酸盐呈现可靠性和良好的用于栅极介电材料的电特性。
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公开(公告)号：CN110911324B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910822356.6
申请日：2019-09-02
申请人： ASM IP控股有限公司
发明人： C·德里德
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/68
摘要： 本发明涉及一种用于存储和处理用于基材的盒的盒供应系统，以及配备有所述系统的用于处理基材的处理设备。该系统具有设置有基板的盒存储装置，该基板构造和布置成支承盒。还提供了一种具有末端执行器的盒处理器以将盒传送到基板和从基板传送盒，末端执行器具有至少一个突起以支承和定位末端执行器上的盒。基板可设置有基本平坦的表面以支承盒。
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公开(公告)号：CN110890290B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201910822358.5
申请日：2019-09-02
申请人： ASM IP控股有限公司
发明人： T·奥斯特拉肯
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , F27D1/00 , F27D1/14
摘要： 本发明提供了一种衬底处理设备，包括：提供了支撑表面(34)的衬底支撑件(32)，所述支撑表面用于在其上支撑衬底或衬底载体(24)；和支撑加热器(50)，所述支撑加热器被构造并被布置成加热所述支撑表面(34)。所述设备包括热屏蔽，所述热屏蔽被构造并被布置成在所述支撑表面上没有衬底或衬底载体(24)时覆盖并屏蔽所述衬底支撑件(32)。
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公开(公告)号：CN115214866A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210862355.6
申请日：2017-03-29
申请人： 梅德IP控股有限公司
发明人： B·泰尔斯
摘要： 一种由自动定位放置系统使船舶自动地移动的方法包括：由中央处理单元从视觉测距摄影系统接收至少一个光学馈送，所述至少一个光学馈送包括提供船舶周围的环境的映射的数据。所述方法包括由所述中央处理单元在触摸屏监视器上显示所述环境的所述映射。所述方法包括由所述中央处理单元从所述触摸屏监视器接收目标定位数据。所述方法包括由所述中央处理单元使用所述映射来指导所述船舶的推进系统的至少一个元件，以使所述船舶移动到所述目标定位。
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公开(公告)号：CN110016655B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201910022394.3
申请日：2019-01-09
申请人： ASM IP控股有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种用于等离子体沉积设备的喷淋板，该喷淋板包括：多个孔口，所述多个孔口中的每一个都从喷淋板的后表面延伸到前表面以用于使载气沿此方向通过该孔口到达反应室；多个第一孔口，所述多个第一孔口中的每一个都从第一连接孔口延伸到前表面的内部部分以用于使气体沿此方向通过该第一孔口到达反应室；以及多个第二孔口，所述多个第二孔口中的每一个都从第二连接孔口延伸到前表面的外部部分以用于使气体沿此方向通过该第二孔口到达反应室，其中第一连接孔口将第一孔口连接到从喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第一孔口，第二连接孔口将第二孔口连接到从侧壁侧延伸的至少一个第二孔口。
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