公开(公告)号：CN1489248A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03159420.4

申请日：2003-09-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野村康彦 ,  井上大二朗 ,  畑雅幸 ,  狩野隆司

IPC: H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供氮化物系半导体激光元件，能谋求激光的稳定化，同时抑制阈值电流和动作电流的增大。该氮化物系半导体激光元件包括由经掺杂的氮化物系半导体及硅化物系材料二者之一组成的基板，形成于基板上的n型包层，由形成于n型包层上的氮化物系半导体构成的活性层，形成于活性层上的p型包层，活性层，仅在n型包层及p型包层之间中的活性层与p型包层之间形成的光导层。

公开(公告)号：CN100470970C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200510008473.7

申请日：2005-02-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 狩野隆司 ,  山口勤 ,  伊豆博昭 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0243 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。

公开(公告)号：CN100353573C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410043463.2

申请日：1997-04-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里竜也 ,  狩野隆司 ,  上田康博 ,  松下保彦 ,  八木克己

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。

公开(公告)号：CN1893110A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610095956.X

申请日：2006-06-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 狩野隆司 ,  太田洁

IPC: H01L29/45 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件，其具备具有主表面的氮化物类半导体层、和在上述氮化物类半导体层的主表面上形成的欧姆电极，上述欧姆电极包含与上述氮化物类半导体层的主表面接触形成的硅层、和在上述硅层上形成的第一金属层。

公开(公告)号：CN1677775A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510008473.7

申请日：2005-02-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 狩野隆司 ,  山口勤 ,  伊豆博昭 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0243 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。

公开(公告)号：CN1540775A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410043463.2

申请日：1997-04-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里竜也 ,  狩野隆司 ,  上田康博 ,  松下保彦 ,  八木克己

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III－V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III－V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III－V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III－V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。

公开(公告)号：CN1487606A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03159402.6

申请日：2003-09-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上大二朗 ,  野村康彦 ,  畑雅幸 ,  狩野隆司 ,  山口勤

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件，该氮化物系半导体发光元件通过减少在接触层的光吸收损失，可提高发光效率。该氮化物系半导体发光元件具备在基板上形成的第1导电型的第1氮化物系半导体层，形成于第1氮化物系半导体层上的由氮化物系半导体层构成的活性层，形成于活性层上的第2导电型的第2氮化物系半导体层，形成于第2氮化物系半导体层上的未掺杂接触层和形成于未掺杂接触层上的电极。