公开(公告)号：CN103299425B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180064721.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老池勇史 ,  中谷贵洋 ,  渡边宽 ,  藤井善夫 ,  绫淳 ,  中木义幸 ,  川上刚史 ,  中田修平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/0465 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制高电场的产生、抑制绝缘破坏的产生的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：（a）准备作为由第1导电类型的碳化硅半导体构成的基底的n+基板（1）的工序；（b）在n+基板（1）上使用抗蚀剂图案（13）来形成包围元件区域的凹槽构造（14）的工序；以及（c）通过经由抗蚀剂图案（13）的杂质注入而在凹槽构造（14）内的凹槽底面（15）以及凹槽侧面（20）的面内形成作为第2导电类型的杂质层的保护环注入层（3）的工序，其中，凹槽构造（14）的拐角部分被杂质层（3）所覆盖。

公开(公告)号：CN113764520B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202110591432.4

申请日：2021-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 本田成人 ,  中谷贵洋 ,  新田哲也

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/331

Abstract: 提供提高了半导体基板的背面侧的设计自由度的半导体装置。半导体装置在共通的半导体基板形成有晶体管和二极管，其中，半导体基板具有：晶体管区域，其形成有晶体管；以及二极管区域，其形成有二极管，晶体管区域的第2主面侧的第1电极、二极管区域的第2主面侧的第2电极由不同的材料构成。

公开(公告)号：CN118553773A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410183457.4

申请日：2024-02-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中谷贵洋 ,  西康一 ,  增冈史仁 ,  附田正则

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/29 ,  H01L21/331

Abstract: 半导体装置具备半导体基板、TEOS膜以及电极。半导体基板具有第1主面和作为第1主面的相反面的第2主面。半导体基板在沿着第2主面的法线方向观察第2主面时具有活性区域和包围活性区域的终端区域。TEOS膜配置于第2主面的处于活性区域的部分之上。

公开(公告)号：CN115706157A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210962508.4

申请日：2022-08-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤井秀纪 ,  曾根田真也 ,  中谷贵洋

IPC: H01L29/739

Abstract: 目的在于得到容易进行特性调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：衬底，其具有IGBT区域和二极管区域；表面电极，其设置于所述衬底的上表面；以及背面电极，其设置于所述衬底的与上表面相反侧的背面，所述二极管区域具有通过所述衬底的上表面凹陷而形成得比所述IGBT区域薄的第1部分和设置于所述第1部分的一侧且比所述第1部分厚的第2部分。

公开(公告)号：CN112526313A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010852061.6

申请日：2020-08-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 瓜生胜美 ,  凑忠玄 ,  中谷贵洋

IPC: G01R31/265

Abstract: 提供无需使用通过使用了加速器等大型的放射线设施的实验得到的数据，就能够对半导体元件的SEB耐性进行评价的SEB耐性评价装置及SEB耐性评价方法。SEB耐性评价方法具有以下步骤：在半导体元件的模型内配置激励光源；以及一边改变向半导体元件的模型的施加电压及激励光源的能量，一边求出使半导体元件热失控的激励光源的能量。