公开(公告)号：CN103443925B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180060905.2

申请日：2011-12-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边宽 ,  油谷直毅 ,  中木义幸 ,  大塚健一

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现漏电流的降低、导通电阻的降低以及进行开关时的高速动作的半导体装置。本发明是具备在普通单元（6）的排列中散布接触单元（7）的单元排列的半导体装置，具备n+型半导体基板（1）上的n-型半导体层（2）、埋没于n-型半导体层（2）内的p型埋入层（5）以及形成在普通单元（6）、接触单元（7）各自的中央部的p型表面层（4），在接触单元（7）中，p型埋入层（5）与p型表面层（4）接触，还具备形成在接触单元（7）的p型表面层（4）之上的p+型接触层（8）以及在n-型半导体层（2）之上形成肖特基结并与p+型接触层（8）形成欧姆结的阳极电极（3），p型埋入层（5）与阳极电极（3）经由p型表面层（4）和p+型接触层（8）连接。

公开(公告)号：CN103443925A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201180060905.2

申请日：2011-12-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边宽 ,  油谷直毅 ,  中木义幸 ,  大塚健一

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现漏电流的降低、导通电阻的降低以及进行开关时的高速动作的半导体装置。本发明是具备在普通单元（6）的排列中散布接触单元（7）的单元排列的半导体装置，具备n+型半导体基板（1）上的n-型半导体层（2）、埋没于n-型半导体层（2）内的p型埋入层（5）以及形成在普通单元（6）、接触单元（7）各自的中央部的p型表面层（4），在接触单元（7）中，p型埋入层（5）与p型表面层（4）接触，还具备形成在接触单元（7）的p型表面层（4）之上的p+型接触层（8）以及在n-型半导体层（2）之上形成肖特基结并与p+型接触层（8）形成欧姆结的阳极电极（3），p型埋入层（5）与阳极电极（3）经由p型表面层（4）和p+型接触层（8）连接。

公开(公告)号：CN104428890B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201280074596.9

申请日：2012-07-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 寺井护 ,  井高志织 ,  山本圭 ,  中木义幸

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49579 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在碳化硅基板上形成了多个的半导体元件中形成电极层(1)，在将各个电极层(1)隔开的碳化硅基板的露出面区域内切断而使半导体元件单片化，用应力缓和树脂(7)覆盖单片化了的半导体元件的电极层形成面的外周端部中的露出面。由此，得到即使在使用了碳化硅等化合物半导体基板的半导体元件中，也与密封树脂(R)的粘接力高，且不易由于动作时的热应力而引起密封树脂(R)的裂纹、剥离的半导体装置(PM)。

公开(公告)号：CN104428890A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201280074596.9

申请日：2012-07-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 寺井护 ,  井高志织 ,  山本圭 ,  中木义幸

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49579 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在碳化硅基板上形成了多个的半导体元件中形成电极层(1)，在将各个电极层(1)隔开的碳化硅基板的露出面区域内切断而使半导体元件单片化，用应力缓和树脂(7)覆盖单片化了的半导体元件的电极层形成面的外周端部中的露出面。由此，得到即使在使用了碳化硅等化合物半导体基板的半导体元件中，也与密封树脂(R)的粘接力高，且不易由于动作时的热应力而引起密封树脂(R)的裂纹、剥离的半导体装置(PM)。

公开(公告)号：CN104428889B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201280074595.4

申请日：2012-07-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 寺井护 ,  井高志织 ,  中木义幸 ,  末广善幸

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/562 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L29/417 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/84

Abstract: 在半导体基板上形成多个电力控制用半导体元件，在划分相邻的半导体元件的带状的切割区域相交叉的交叉区域中，形成覆盖交叉区域的应力缓冲树脂层(7)，切割交叉区域而切断应力缓冲树脂层(7)来将半导体元件单片化。由此，获得在使用了SiC等化合物半导体基板的半导体元件中与密封树脂的粘接力高、不易由于动作时的热应力而引起密封树脂的裂痕、剥离的半导体装置。

公开(公告)号：CN103703565A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280036061.2

申请日：2012-07-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  中木义幸 ,  藤井善夫 ,  渡边宽 ,  中田修平 ,  海老原洪平 ,  古川彰彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无需高位置精度地形成埋入注入层，具有高耐压并且高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具备：作为第2导电类型的活性区域的基极2，形成于第1导电类型的半导体层表层，构成半导体元件；作为第2导电类型的多个第1杂质区域的保护环11～保护环16），在半导体层表层，以俯视时分别包围基极2的方式相互离开地形成；以及作为第2导电类型的第2杂质区域的埋入注入层18，被埋入到半导体层表层，连接多个保护环11～保护环16的底部中的至少两个。

公开(公告)号：CN103299425A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180064721.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老池勇史 ,  中谷贵洋 ,  渡边宽 ,  藤井善夫 ,  绫淳 ,  中木义幸 ,  川上刚史 ,  中田修平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/0465 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制高电场的产生、抑制绝缘破坏的产生的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：（a）准备作为由第1导电类型的碳化硅半导体构成的基底的n+基板（1）的工序；（b）在n+基板（1）上使用抗蚀剂图案（13）来形成包围元件区域的凹槽构造（14）的工序；以及（c）通过经由抗蚀剂图案（13）的杂质注入而在凹槽构造（14）内的凹槽底面（15）以及凹槽侧面（20）的面内形成作为第2导电类型的杂质层的保护环注入层（3）的工序，其中，凹槽构造（14）的拐角部分被杂质层（3）所覆盖。

公开(公告)号：CN103125024A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201180046411.9

申请日：2011-04-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  古川彰彦 ,  三浦成久 ,  香川泰宏 ,  浜田宪治 ,  中木义幸

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/12 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，以与活性区域（2）邻接的方式，形成了由比较低浓度地包含P型杂质的多个P型注入层构成的RESURF层（101）。RESURF层（101）从P型基底（2）侧依次包括以包围P型基底（2）的方式配置的第1RESURF层（11）、第2RESURF层（12）、第3RESURF层（13）、第4RESURF层（14）以及第5RESURF层（15）。第2RESURF层（12）构成为与第1RESURF层（11）相同的注入量的小区域（11'）、和与第3RESURF层（13）相同的注入量的小区域（13'）多重地交替排列。第4RESURF层（14）构成为与第3RESURF层（13）相同的注入量的小区域（13'）、和与第5RESURF层（15）相同的注入量的小区域（15'）多重地交替排列。

公开(公告)号：CN103703565B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201280036061.2

申请日：2012-07-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  中木义幸 ,  藤井善夫 ,  渡边宽 ,  中田修平 ,  海老原洪平 ,  古川彰彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无需高位置精度地形成埋入注入层，具有高耐压并且高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具备：作为第2导电类型的活性区域的基极2，形成于第1导电类型的半导体层表层，构成半导体元件；作为第2导电类型的多个第1杂质区域的保护环11～保护环16），在半导体层表层，以俯视时分别包围基极2的方式相互离开地形成；以及作为第2导电类型的第2杂质区域的埋入注入层18，被埋入到半导体层表层，连接多个保护环11～保护环16的底部中的至少两个。

公开(公告)号：CN103125024B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180046411.9

申请日：2011-04-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  古川彰彦 ,  三浦成久 ,  香川泰宏 ,  浜田宪治 ,  中木义幸

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/12 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，以与活性区域（2）邻接的方式，形成了由比较低浓度地包含P型杂质的多个P型注入层构成的RESURF层（101）。RESURF层（101）从P型基底（2）侧依次包括以包围P型基底（2）的方式配置的第1RESURF层（11）、第2RESURF层（12）、第3RESURF层（13）、第4RESURF层（14）以及第5RESURF层（15）。第2RESURF层（12）构成为与第1RESURF层（11）相同的注入量的小区域（11'）、和与第3RESURF层（13）相同的注入量的小区域（13'）多重地交替排列。第4RESURF层（14）构成为与第3RESURF层（13）相同的注入量的小区域（13'）、和与第5RESURF层（15）相同的注入量的小区域（15'）多重地交替排列。