公开(公告)号：CN102859696A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020961.3

申请日：2011-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  渡边宽

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明的目的在于提供一种反馈电容小、且开关损耗低的半导体装置。本发明的半导体装置具备：半导体基板（20）；漂移层（21），形成于半导体基板（20）表面上；第1阱区域（41），在漂移层（21）表面形成了多个；源极区域（80），是形成于各第1阱区域（41）表面的区域，将由该区域和漂移层（21）夹住的各第1阱区域（41）表面规定为沟道区域；栅电极（50），从沟道区域上到漂移层（21）上隔着栅极绝缘膜（30）形成；以及第2阱区域（43），在栅电极（50）下的漂移层（21）内部埋设，并且与相互相邻的各第1阱区域（41）的各个连接地形成。

公开(公告)号：CN107534061B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201580078952.8

申请日：2015-04-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老原洪平 ,  渡边宽

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 将在向背面电极施加额定电压V[V]时从阱区域向半导体层的外周方向扩展的耗尽层的前端的、半导体层的表面处的位置设为x，将位置x和表面电极的外周端的外周方向的距离设为W1，将位置x和场绝缘膜的外周端的外周方向的距离设为W2，将场绝缘膜的膜厚设为t[μm]，以使位置x处的场绝缘膜中的电场W2V/t(W1+W2)成为3MV/cm以下的方式规定终端部的布局。

公开(公告)号：CN106256024B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201480078514.7

申请日：2014-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老原洪平 ,  小山皓洋 ,  纐缬英典 ,  长江明美 ,  川原洸太朗 ,  渡边宽 ,  田口健介 ,  日野史郎

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78

Abstract: 其目的在于提供一种能够缓和开关时的电场来提高元件耐压的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置(100)具备：场绝缘膜(3)，形成于碳化硅基板(1)的表面上；第一表面电极(4)，搭载于场绝缘膜(3)而形成；第二表面电极(5)，覆盖第一表面电极(4)并超过第一表面电极(4)的外周端而延伸到场绝缘膜(3)上；以及第二导电类型的终端阱区域(2)，在碳化硅基板(1)内延伸到比第二表面电极(5)的外周端更靠外周侧的位置，第二表面电极(5)的外周端和场绝缘膜(3)的内周端的距离小于对第二表面电极(5)的外周下端施加的电场强度与构成场绝缘膜(3)或者表面保护(6)的绝缘材料的绝缘破坏强度中的较小的绝缘破坏强度相等时的第二表面电极(5)的外周端和场绝缘膜(3)的内周端的距离。

公开(公告)号：CN103703565B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201280036061.2

申请日：2012-07-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  中木义幸 ,  藤井善夫 ,  渡边宽 ,  中田修平 ,  海老原洪平 ,  古川彰彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无需高位置精度地形成埋入注入层，具有高耐压并且高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具备：作为第2导电类型的活性区域的基极2，形成于第1导电类型的半导体层表层，构成半导体元件；作为第2导电类型的多个第1杂质区域的保护环11～保护环16），在半导体层表层，以俯视时分别包围基极2的方式相互离开地形成；以及作为第2导电类型的第2杂质区域的埋入注入层18，被埋入到半导体层表层，连接多个保护环11～保护环16的底部中的至少两个。

公开(公告)号：CN103299425B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180064721.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老池勇史 ,  中谷贵洋 ,  渡边宽 ,  藤井善夫 ,  绫淳 ,  中木义幸 ,  川上刚史 ,  中田修平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/0465 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制高电场的产生、抑制绝缘破坏的产生的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：（a）准备作为由第1导电类型的碳化硅半导体构成的基底的n+基板（1）的工序；（b）在n+基板（1）上使用抗蚀剂图案（13）来形成包围元件区域的凹槽构造（14）的工序；以及（c）通过经由抗蚀剂图案（13）的杂质注入而在凹槽构造（14）内的凹槽底面（15）以及凹槽侧面（20）的面内形成作为第2导电类型的杂质层的保护环注入层（3）的工序，其中，凹槽构造（14）的拐角部分被杂质层（3）所覆盖。

公开(公告)号：CN103262248A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059464.4

申请日：2011-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 香川泰宏 ,  古川彰彦 ,  日野史郎 ,  渡边宽 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供一种能够防止在关断时流入栅电极的沟槽底部的保护扩散层的位移电流所引起的栅绝缘膜的破坏，同时使单元间距变窄而提高电流密度的沟槽栅型的半导体装置。该半导体装置具备埋入到贯通基区3的沟槽5的栅电极7。栅电极7在俯视时配设为格子状，在其底部的漂移层2a形成保护扩散层13。由栅电极7划分的至少一个区段是在整体形成了沟槽5的保护触点区域20。在保护触点区域20，配设连接沟槽5的底部的保护扩散层13和源电极9的保护触点21。

公开(公告)号：CN101355026A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810133706.X

申请日：2008-07-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边宽

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，该方法不对沟道区域造成等离子蚀刻引起的等离子损伤地制造沟道长度均匀的碳化硅半导体装置。在碳化硅层的表面形成第一抗蚀图案之后，注入第一导电型杂质离子，在形成通过干式蚀刻缩小了该第一抗蚀图案的宽度后的第二抗蚀图案、并且在未被第二抗蚀图案覆盖的碳化硅层的表面形成堆积层之后，经由堆积层将第二导电型的杂质离子注入碳化硅层。

公开(公告)号：CN107112369B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201580073264.2

申请日：2015-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边宽

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 本技术涉及具有温度系数是正的适合的电阻值的电阻的半导体装置以及具有温度系数是正的适合的电阻值的电阻的半导体装置的制造方法。本技术所涉及的半导体装置是经由pn结而流过电流的双极器件。半导体装置具备n型的碳化硅漂移层(3)、形成于碳化硅漂移层(3)上的p型的第一碳化硅层(4)、以及形成于第一碳化硅层(4)上的p型的第二碳化硅层(5)。另外，第二碳化硅层(5)的电阻的温度系数是正。

公开(公告)号：CN107534061A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201580078952.8

申请日：2015-04-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老原洪平 ,  渡边宽

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 在密封凝胶、表面保护膜吸收水分等而在场绝缘膜的表面形成泄漏路径的情况下，有时将对场绝缘膜施加的电场抑制为一定以下而导致元件击穿。在本发明的半导体器件中，具备：场绝缘膜，形成于半导体层的表面上；表面电极，延伸到场绝缘膜上而形成；第2导电类型的阱区域，比表面电极的外周端更向外周侧延伸；表面保护膜，形成为覆盖表面电极及场绝缘膜的外周端；密封凝胶，形成于半导体层的外周部；以及背面电极，将在向背面电极施加额定电压V[V]时扩展的耗尽层的前端的位置设为x，将位置x和表面电极的外周端的外周方向的距离设为W1，将位置x和场绝缘膜的外周端的外周方向的距离设为W2，场绝缘膜的膜厚t[μm]是t≥W2V/300(W1+W2)。

公开(公告)号：CN107112369A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580073264.2

申请日：2015-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边宽

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 本技术涉及具有温度系数是正的适合的电阻值的电阻的半导体装置以及具有温度系数是正的适合的电阻值的电阻的半导体装置的制造方法。本技术所涉及的半导体装置是经由pn结而流过电流的双极器件。半导体装置具备n型的碳化硅漂移层(3)、形成于碳化硅漂移层(3)上的p型的第一碳化硅层(4)、以及形成于第一碳化硅层(4)上的p型的第二碳化硅层(5)。另外，第二碳化硅层(5)的电阻的温度系数是正。