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公开(公告)号：CN111883619B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010771843.7
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/08 , C30B33/10
Abstract: 一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，采用移动加热器法完成晶体的生长，依次包括由生长炉温度场分布的设定、各组分化学计量比的配比完成、合料形成多晶料锭、建立回溶控制步序、单晶晶片的切割制成、制备电极阴阳极面的区分、晶体表面处理、电极制备、钝化处理构成的工序。本发明的一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，通过上述步序形成的晶体生长控制与电极结构设置，完成了具有载流子迁移率高、表面光滑、成分均匀的晶体及高质量的欧姆接触特性的探测器用复合电极的制备，为探测器的优秀能谱响应提供了保障。
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公开(公告)号：CN111900213A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010771822.5
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , C23C14/18 , H01L27/146 , C23C14/24 , C23C14/58
Abstract: 一种CdMnTe(简称CMT)成像探测器及其制备方法，其中所述的探测器由CMT晶体制备而成，并于晶体两端真空蒸镀Ti/Au复合电极构成平面探测器结构，并在此基础上设置了弗里希栅极结构，从而改变了权重势分布，使得收集性能得到提高的同时兼顾了漏电流的影响；其中所述的制备方法，在完成晶体制备的过程中建立了对诸如Cd空位等点缺陷补偿控制、对组分过冷造成的固液界面的不稳定的控制，并进一步通过设置的三步回溶步骤、形成对固液界面的形貌控制。本发明的一种CMT成像探测器及其制备方法，通过同时从晶体生长工艺与器件制备工艺两个方面作考量，形成对探测器性能的良好响应。
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公开(公告)号：CN111192822A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010024306.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZnTe晶体进行倒角，物理抛光和化学机械抛光等表面处理工艺；然后将石墨烯转移至Si表面，或者将石墨烯转移至CZT表面，或者将石墨烯转移至CZT和Si表面，对两个晶体进行低温退火键合，避免过高的键合的问题，键合质量高，性能优异。
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公开(公告)号：CN101871123B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010201205.8
申请日：2010-06-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及移动碲溶剂熔区生长碲锌镉晶体的装置和方法。属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：分别将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x＝0.04～0.8)的99.99999％的高纯原料装入两支石英管内，并向其中一支中加入质量百分数为30％～80％的过量Te，分别抽真空封结并在摇摆炉中合成得多晶棒和富Te合金；依次将籽晶、富Te合金、多晶棒装入长晶管抽真空封接后放入炉体中，富Te合金位置位于高频电磁感应加热器中，温度设置为700～950℃，以0.02～2mm/h的速度上升加热器，同时旋转长晶管；富Te合金区域由于过量Te的加入，熔点显著降低，随着上升，熔体上部不断溶解多晶棒，下部不断析出碲锌镉单晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度和晶体中杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102323609A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110253713.5
申请日：2011-08-31
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明涉及一种四元并行碲锌镉核辐射探测器装置,它包括四个碲锌镉探测器，每个碲锌镉探测器分别经过一个前置放大器再经过一个差分放大器和一个主放大器，然后一起连接一个加法电路，最后该加法电路连接到一个多道能谱仪和数字示波器，四个碲锌镉探测器测得的信号，经放大后由多道能谱仪和数字式波器进行处理。该探测器比传统的单元探测器探测面积大，探测效率高，探测时间短，适用于便携式核辐射探测谱仪，可广泛应用于核废料监控，环境监测以及机场港口铁路货物等的反射性检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101887849A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010215711.2
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/208
Abstract: 本发明涉及一种两步沉积法制备ZnO薄膜的方法及其装置，属纳米晶体薄膜制备方法技术领域。本发明方法的特点是：综合利用了超声雾化热解法和溶胶-凝胶法的原理和设备，分两步沉积ZnO薄膜。第一步是用改进的超声雾化热解法设备制备ZnO纳米颗粒。该设备的特征主要有在喷雾的导管上增加一个高压发生源和荷电喷头，并用一根石英管贯穿整个加热炉，使之直接通向装有一定量去离子水的烧杯里。第二步是使用超声波清洗器和离心机反复清洗ZnO纳米颗粒，最后通过旋涂机旋涂到衬底上。采用本方法避免了超声雾化热解法制备过程中产生的气溶胶对环境的污染，并获得结晶质量高的ZnO薄膜。
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公开(公告)号：CN101459207A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200910044852.X
申请日：2009-01-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种Au/Cr－CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10－5～10－7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr－CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr－CZT复合电极与以往的Au－CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I－V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。
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公开(公告)号：CN112557343B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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公开(公告)号：CN112557343A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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公开(公告)号：CN112349797A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011093126.X
申请日：2020-10-13
IPC: H01L31/0336 , H01L31/119 , H01L31/18 , G01T1/24
Abstract: 一种碲锌镉探测器的器件结构，包括有：由CZT及Si构成的复合晶体；设于复合晶体两端的电极及设于复合晶体侧壁的弗里希栅极；一种碲锌镉探测器的制备工艺，针对此结构的探测器进行。形成依次的：硅片预处理、碲锌镉表面处理、单晶硅与碲锌镉进行低温键合、电极制备、表面钝化、弗里希栅制备工序。本发明的一种碲锌镉探测器的器件结构及其制备工艺，从结构本身的设置及工艺方面，在着重探测器的探测效率及能量分辨率基础上，兼顾考量漏电流问题及键合问题，最终形成漏电流小、系统的信噪比高、构成探测器的复合晶体内部键合强度高的一种高探测效率及高能量分辨率的探测器。
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