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公开(公告)号：CN103779457A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410052172.3
申请日：2014-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/305 , C23C16/301 , C23C16/44 , H01L21/02392 , H01L21/02543 , H01L21/02581
Abstract: 本发明公开了一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法，通过在生长磷化铟（InP）材料时加入少量铋（Bi）元素形成全新的InPBi材料，获得室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi的元素百分含量为1.1％时，其室温光致发光谱的波长覆盖范围可以达到1.3-2.7μm，半峰宽达到650nm。本发明报道的InPBi单晶材料为世界上首次成功合成。此InPBi红外光源材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
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公开(公告)号：CN103715195A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310736928.1
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/8238 , H01L21/285 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，其特征在于所述硅衬底或SOI衬底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列；所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列间隔排列。包括硅或SOI衬底，利用ALD技术实现纳米线周围栅介质和金属栅极材料全包围，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够满足10nm以下技术节点对器件性能提出的高要求，为大规模集成电路中的10nm以下技术节点提供技术积累和技术支撑。
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公开(公告)号：CN101311299A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810035446.2
申请日：2008-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种分子束外延(MBE)技术中测量束源炉中源材料熔化时对应源炉热偶温度的测量方法。其特征在于测定步骤是测量出束源炉升温时的热偶温度——功率曲线；测量出束源炉降温时的热偶温度——功率曲线；将升温时和的热偶温度——功率曲线上源材料开始熔化的对应温度和降温时的热偶温度、功率曲线上源材料开始凝固的对应温度进行比较，从而得出源材料熔化时对应束源炉中热偶的温度。本发明是利用分子束外延设备源炉中源材料在加热熔化和降温凝固过程中功率曲线在熔化与凝固温度附近会出现相应波动的实验现象，通过分析比较波动出现的位置精确定出束源炉中源材料熔化时对应的束源炉中热偶温度数值。所提供的测定方法对MBE技术在实际中的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN119290934A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411401002.1
申请日：2024-10-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/20 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及一种基于卷积神经网络的RHEED衍射图样分析方法，包括以下步骤：实时获取待测样品旋转到设定角度时所述待测样品表面状态的RHEED衍射图样及生长温度；利用卷积神经网络分析所述RHEED衍射图样，获得当前所述生长温度下所述待测样品的再构类型；改变所述生长温度并重复以上步骤，获得多个不同所述生长温度下所述待测样品的再构类型，进而获得所述生长温度和所述待测样品的再构类型的对应关系。本发明能够对RHEED衍射图样进行高效迅速的分析，并准确识别出材料表面的再构类型，进而建立生长温度与再构类型的对应关系。同时，通过观测材料表面再构类型发生改变获得最佳生长温度，能够提高半导体外延生长温度的精确度。
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公开(公告)号：CN111600195B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010383180.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体和光电集成技术领域，特别是涉及一种硅基单片集成激光器及其制备方法，包括：衬底层、埋氧化层、硅波导器件、上覆层和三维波导器件；所述埋氧化层上设有图形化的限向结构；所述限向结构内设有激光器结构；所述硅波导器件设置在所述埋氧化层上；所述埋氧化层、所述激光器结构和所述硅波导器件远离所述衬底层的表面形成第一表面，所述上覆层设置在所述第一表面上；所述三维波导器件设置在所述上覆层上。通过在激光器结构有源区上方引入三维波导结构，实现激光器结构有源区和硅波导之间高质量的光学连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107195534B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201710371220.9
申请日：2017-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L29/04 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法，所述Ge复合衬底的制备方法包括：提供Ge衬底，且所述Ge衬底具有注入面，其中，所述Ge衬底为具有斜切角度的Ge衬底；于所述注入面进行离子注入，以在所述Ge衬底的预设深度处形成缺陷层；提供支撑衬底，将所述Ge衬底与所述支撑衬底键合；沿所述缺陷层剥离部分所述Ge衬底，使所述Ge衬底的一部分转移至所述支撑衬底上，以在所述支撑衬底上形成Ge薄膜，获得Ge复合衬底。通过上述方案，解决了在Si基衬底上直接生长III‑V族外延层困难、在Ge衬底上外延生长III‑V族外延层反相畴难抑制以及Ge与Si基材料等集成难的问题。
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公开(公告)号：CN108832481A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810503699.1
申请日：2018-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明提供一种外腔激光器，其沿一光轴依次排布有半导体光增益芯片、准直透镜和一维平面光栅，半导体光增益芯片的一个腔面与一维平面光栅共同组成光学谐振腔，所述一维平面光栅设置为在一维平面光栅所在平面内进行平移，其与一一维驱动机构连接。本发明还提供了该外腔激光器的调谐方法。本发明的外腔激光器利用平移一维平面光栅实现调谐功能，一维平动可以利用压电陶瓷或马达进行驱动，简便易行，结构简单、易于设计和实现；而且一维平动仅仅产生相位变化，外腔结构中比如光程等物理量将保持不变，可以有效提高外腔激光器的调谐精度。
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公开(公告)号：CN105632965B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610171321.7
申请日：2016-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得到As原子在生长过程中的最高结合率。所述测量方法特征在于通过开关但不限于第二个Ga源快门富Ga或富As表面交替出现，且用RHEED方法进行测量，且最终结果不涉及到实际的原子总量，所以与束流规最终直接测到的Ga和As的束流值相关。本发明对于利用MBE制备材料，特别是迁移率增强外延生长(MEE)模式有重要的意义。
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公开(公告)号：CN107195534A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710371220.9
申请日：2017-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L29/04 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02546 , H01L29/045 , H01L29/0684 , H01L2221/68377
Abstract: 本发明提供一种Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法，所述Ge复合衬底的制备方法包括：提供Ge衬底，且所述Ge衬底具有注入面，其中，所述Ge衬底为具有斜切角度的Ge衬底；于所述注入面进行离子注入，以在所述Ge衬底的预设深度处形成缺陷层；提供支撑衬底，将所述Ge衬底与所述支撑衬底键合；沿所述缺陷层剥离部分所述Ge衬底，使所述Ge衬底的一部分转移至所述支撑衬底上，以在所述支撑衬底上形成Ge薄膜，获得Ge复合衬底。通过上述方案，解决了在Si基衬底上直接生长III‑V族外延层困难、在Ge衬底上外延生长III‑V族外延层反相畴难抑制以及Ge与Si基材料等集成难的问题。
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公开(公告)号：CN105826169A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610153371.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02466 , H01L21/02502 , H01L21/02546 , H01L21/02631 , H01L29/0684
Abstract: 本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与Si之间晶格失配。所述Si衬底为向[110]晶向斜切5°。制备方法特征在于首先在Si衬底上生长AlSb/Si IMF阵列，然后生长GaSb缓冲层，然后在GaSb缓冲层上生长GaAs/GaSb IFM阵列，从而完成从Si衬底向GaAs材料层的过渡，获得Si基GaAs复合衬底。本发明解决了Si衬底与GaAs外延层的晶格失配，不失为为Si基Ⅲ?Ⅴ材料光电耦合提供了一种可行性方案，为Ⅲ?Ⅴ族材料集成技术的发展提供了重要的实施途径。
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