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公开(公告)号：CN117038504A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310933907.2
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种双脉宽激光耦合剥离半导体材料的设备及方法，通过将双脉宽激光耦合辐照至半导体材料内，利用高光强的飞秒脉冲激光将价带的电子跃迁至导带形成自由电子种子，随后利用长脉冲激光对导带上的自由电子进行吸收、产热并形成热应力差，从而实现半导体材料的激光诱导改质以及剥离。不仅解决了传统机械加工如碳化硅、金刚石等高硬度半导体材料耗时长、损耗大等问题，同时也降低了传统激光改质作业中对超短脉冲激光单脉冲能量的要求，节省制造成本，为硬脆半导体材料的广泛应用提供可靠的帮助。
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公开(公告)号：CN116430493A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310368585.1
申请日：2023-04-07
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种高硬度纳米周期光栅的制备方法，该方法首先利用激光强化装置进行光栅制备材料的表面冲击强化；接着对强化后的光栅制备材料进行清洗抛光处理；最后利用纳米周期光栅制备激光系统，对抛光后的光栅制备材料进行加工，制备得到纳米周期光栅。通过本申请提出的高硬度纳米周期光栅的制备方法，制备得到的纳米周期光栅结构具有高强度、耐磨性好的特点，克服了传统制备纳米周期光栅极为脆弱的问题，大大降低了使用维护成本，并且扩展了更多极端条件下的应用场景。
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公开(公告)号：CN115371970A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211062433.0
申请日：2022-08-31
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光学元件激光损伤增长阈值的测试装置及方法，本发明通过以损伤后入射光斑的调制度以及透过率作为依据，将传统测试方法中忽略的由于损伤产生的光场调制以及能量损耗效应进行分析，得到光学元件损伤增长过程中的功能性损伤增长阈值，从而规避了传统测试方法中只考虑损伤面积增长，而忽略损伤对于元件对装置产生影响以及元件本身功能性影响的评价，本发明的测试装置及测试方法不仅提高了测试精度，也为高功率激光装置中光学元件损伤阈值测试中提供了新的评价体系，并提供了更多相应的损伤信息。
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公开(公告)号：CN107942598A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711165504.9
申请日：2017-11-21
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: G02F1/35
CPC classification number: G02F1/353 , G02F2001/354
Abstract: 本发明公开了一种基于切伦科夫辐射实现亚飞秒级超短脉冲合成的方法，包括：步骤1，建立基准光路，将非线性晶体置于六维旋转平移台上，旋转六维旋转平移台调节非线性晶体的角度，使非线性切伦科夫辐射在非线性晶体内表面发生，步骤2，据入射激光在非线性晶体内表面反射的角度确定各阶倍频光在晶体中的非线性切伦科夫辐射角，步骤3，入射激光产生的基频光、二倍频光、三倍频光、四倍频光、五倍频光及更高阶倍频光沿各自辐射角出射，经过振幅型液晶光调制器、相位型液晶光调制器调制后，经第二色散棱镜，各阶光波传输方向由平行变为汇聚，经第三色散棱镜后，合成一束亚飞秒级超短脉冲。本发明实现亚飞秒级光波形合成过程，高效率、高保真度。
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公开(公告)号：CN118438063A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410707106.9
申请日：2024-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: B23K26/53 , B23K26/064 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种提高激光减薄半导体材料效率的方法及装置，通过在碳化硅薄片剥离后的碳化硅晶锭表面制备硬度较低的氧化层，降低了机械抛光碳化硅表面的难度，可以以最快速度将碳化硅晶锭表面抛光至激光可以入射到材料体内的程度，进而开始下一轮的减薄改质加工，大大提高了半导体材料多次减薄剥离的加工效率；同时，对去除氧化层的半导体材料继续进行减薄剥离加工时，引入激光测距仪，利用激光测距仪实时检测材料表面的粗抛形貌，并根据激光测距仪的检测结果及时调整激光焦点的聚焦位置，可以避免半导体材料表面的粗抛形貌对加工精度造成影响，达到激光继续均匀改质、剥离碳化硅的加工目的，提高加工质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117452744A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311279160.X
申请日：2023-10-07
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种非线性近场滤波方法，通过在激光滤波光路中设置单块或多块级联的非线性滤波晶体，利用非线性滤波晶体对待滤波光束中的不同立体角的近场高频成分进行频率转换，并在后续放大传输过程中将其滤除，从而实现空间滤波，有效地解决了原有空间滤波器需配备很长的光束传输管道且需在高功率条件下对光管道抽真空而导致造价高的问题。
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公开(公告)号：CN111007586B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201911310965.X
申请日：2019-12-18
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸纳米周期光栅的制备方法，具体包括以下步骤：建立光路系统；调整激光能量密度，在加工样品表面制备出激光光斑的光栅夹缝结构，并获取光栅夹缝结构内相邻两个激光诱导表面周期性微结构之间的间距d1；通过三维移动平台沿着Y方向多次移动加工样品；通过三维移动平台将加工样品沿着X方向移动设定距离，使加工样品表面制备出的当前激光光斑的光栅夹缝结构与前一激光光斑的光栅夹缝结构之间的结构间距d2与间距d1相等；重复上述步骤，在加工样品表面制备出任意长度和宽度的纳米周期光栅。本发明只需控制激光能量密度和移动平台，就能直接制备大尺寸纳米周期光栅，工艺简单，对环境要求极低，方便实现。
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公开(公告)号：CN113161849A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011509296.1
申请日：2020-12-18
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对激光束入射角度相对误差不敏感的色谱合成装置及方法，该色谱合成装置通过在普通的二向色镜上添加特殊的分区镀膜构成复合色谱合成镜，通过将该复合色谱合成镜与角锥棱镜配合使用，使两支激光束的光路中均只存在一次反射，从而避免因色谱合成装置与两束待合束的激光束之间的相对角度误差而引起的合束激光光轴的指向偏差，从而提高了色谱合成激光束的亮度和光束质量。
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公开(公告)号：CN112414677A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011245093.6
申请日：2020-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及到一种高精度测量光学元件体内光斑大小的测试装置，所述测试装置结构上包括有激光器(1)、衰减器(2)、聚焦透镜(3)、平行光管(4)、成像镜头(5)、CCD相机(7)、第一电动位移平台(10)、第二电动位移平台(8)、分划板(9)和计算机(11)，还涉及一种应用所述的测试装置测量光学元件体内光斑大小的方法。本发明的测试装置和测试方法能够精确的计算出待测光学元件内任意位置处的光斑大小，解决了传统测试方法中无法直接测量光学元件任一位置光斑大小以及理论计算精度较低等问题，为光学元件的激光加工、非线性效应以及激光损伤等方面的生产和研究提供了更多的帮助。
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公开(公告)号：CN109725431B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910034307.6
申请日：2019-01-15
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型大口径光栅压缩器，该光栅压缩器为对称结构，它包括第一大口径光栅、第二大口径光栅、第一大口径反射镜、第二大口径反射镜、第三大口径光栅、第四大口径光栅，所述第一大口径反射镜与第二大口径反射镜之间左右对称设置，所述第一大口径光栅与第二大口径光栅的表面之间相互平行，第三大口径光栅与第四大口径光栅的表面之间相互平行，所述第一大口径光栅与第四大口径光栅在横向上位于同一条直线上，所述第二大口径光栅与第三大口径光栅在横向上位于同一条直线上。本发明能够实现大口径光栅压缩器较为紧凑的排布方式及高精密的光栅平行度，有利于获得良好的脉冲压缩效果，产生皮秒级高能拍瓦激光。
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