公开(公告)号：CN106276873A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610642661.3

申请日：2016-08-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  马骏 ,  张苗 ,  薛忠营 ,  贾鹏飞 ,  汪子文 ,  王刚 ,  王曦

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01P2004/04

Abstract: 本发明提供一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法，包括如下步骤：S1：提供一锗基石墨烯，所述锗基石墨烯包括Ge衬底及形成于所述Ge衬底上的石墨烯；S2：对所述锗基石墨烯进行离子注入，以在所述石墨烯中产生点缺陷；S3：对所述锗基石墨烯进行退火，以从所述点缺陷处对所述石墨烯进行刻蚀，得到纳米孔。本发明的制备锗基石墨烯纳米孔的方法获得的石墨烯纳米孔具有质量好、尺寸易于调节、不会刻蚀石墨烯等优势。另外，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺。所以本发明的制备方法将能更快地推动石墨烯在单层膜材料上的推广与应用。

公开(公告)号：CN105110324A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510508080.6

申请日：2015-08-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  戴家赟 ,  王刚 ,  郑晓虎 ,  汪子文 ,  薛忠营 ,  张苗

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明提供一种制备无褶皱的石墨烯的方法，包括以下步骤：S1：提供一催化基底，在所述催化基底表面预设区域进行离子注入以破坏注入区域的催化性能，并使得所述催化基底表面形成若干分立的未注入单元；S2：将所述催化基底放入生长腔室，将所述催化基底加热至预设温度，并往所述生长腔室内通入碳源，在所述催化基底表面生长出若干分立的没有褶皱的石墨烯单元。本发明不仅可以得到高质量的没有褶皱或褶皱密度很低的石墨烯单元还可以通过控制离子注入的区域，得到具有特定形状的石墨烯单元，从而适应多样的器件应用需求。

公开(公告)号：CN103204455B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210008150.8

申请日：2012-01-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  陈龙 ,  王刚 ,  魏星 ,  张苗 ,  王曦

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种可控石墨烯阵列的制备方法，采用晶向相同的两硅衬底进行小角度键合形成方形网格状的螺旋位错，由于位错引起硅表面应力分布不均，利用应力选择性腐蚀，对位错线影响的垂向对应的区域进行刻蚀，形成正方形网格状的图形化硅岛，采用电子束外延形成具有偏析特性的金属纳米颗粒，最后采用化学气相沉积法与偏析方法制备出所述石墨烯阵列。采用本发明制备的石墨烯阵列具有很高的可控性和可靠性，石墨烯阵列的分布通过硅硅小角度键合进行控制，可达到较高的精度。本发明制备方法工艺简单，效果显著，且兼容于一般的半导体工艺，适用于工业生产。

公开(公告)号：CN103208425B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201310095306.5

申请日：2013-03-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  郑晓虎 ,  王刚 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28255 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L22/14 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种石墨烯调制的高k金属栅Ge基MOS器件的制作方法，包括步骤：1）于Ge基衬底上引入石墨烯薄膜；2）对石墨烯薄膜进行氟化处理形成氟化石墨烯；3）采用臭氧等离子体活化氟化石墨烯表面，然后通过原子层沉积技术于氟化石墨烯表面形成高k栅介质；4）于高k栅介质表面形成金属电极。本发明利用石墨烯作为钝化层抑制Ge基衬底表面非稳定氧化物GeOx形成，同时阻挡栅介质与Ge基衬底间的互扩散，提高Ge与高k栅介质层之间的界面性质。氟化石墨烯能够在保持石墨烯优良特性的基础上使石墨烯变为质量较好的绝缘体，减少其对Ge 基器件电学性能的影响。采用臭氧等离子处理Ge基石墨烯，然后采用原子层沉积技术可以获得超薄的Hf基高k栅介质层。

公开(公告)号：CN104332405A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410482922.0

申请日：2014-09-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  叶林 ,  许宝建 ,  蔡奇 ,  王刚 ,  张苗

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/775 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L29/66439

Abstract: 本发明提供一种锗纳米线场效应晶体管的制备方法，包括步骤1）提供SGOI衬底结构；2）刻蚀SiGe层，形成SiGe纳米线阵列；3）对步骤2）的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO2层包裹的锗纳米线阵列；4）去除包裹在纳米线两端表面的SiO2层，裸露出锗纳米线的两端；5）在锗纳米线的延长线上沉积金属引线、源极电极和漏极电极，在硅衬底上制作栅极电极；6）在步骤5）的结构表面形成Si3N4保护层；7）去除纳米线图形区域和金属电极图形区域内的Si3N4保护层，直至完全露出锗纳米线、源极电极和漏极电极。本发明的锗纳米线基于自上而下的方法，工艺过程简单，可控性强，与传统的CMOS工艺完全兼容，成本较低，适于工业生产。

公开(公告)号：CN103633010A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210310581.X

申请日：2012-08-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  薛忠营 ,  卞剑涛 ,  王刚

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法。该方法首先在第一衬底上依次外延生长超薄掺杂单晶薄膜和超薄顶层薄膜，并通过离子注入和键合工艺，制备出高质量的超薄绝缘体上材料。所制备的超薄绝缘体上材料的厚度范围为5~50nm。本发明利用超薄掺杂单晶薄膜对其下注入离子的吸附作用，形成微裂纹以致剥离，剥离后绝缘体上材料表面粗糙度小。此外，杂质原子增强了超薄单晶薄膜对离子的吸附能力，得以降低制备过程中的离子注入剂量和退火温度，有效减轻了顶层薄膜中注入的损伤，达到了提高生产效率和降低生产成本的目的。

公开(公告)号：CN103474386A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310447610.1

申请日：2013-09-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  薛忠营 ,  叶林 ,  王刚 ,  母志强

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，包括步骤：1）于SOI的顶硅层表面形成C掺杂SiGe调制层；2）于所述C掺杂SiGe调制层表面形成SiGe材料层；3）于所述SiGe材料层表面形成Si帽层；4）对上述结构进行氧化退火，以氧化所述Si帽层，并逐渐氧化所述SiGe材料层、C掺杂SiGe调制层及顶硅层，使所述SiGe材料层及C掺杂SiGe调制层中的Ge向所述顶硅层扩散并逐渐浓缩，最终形成顶SiGe层或顶Ge层以及上方的SiO2层；5）去除所述SiO2层。本发明利用C掺杂SiGe调制层减小SOI顶硅层和外延的SiGe材料层之间的晶格失配，从而减小浓缩过程中缺陷的产生。本发明所制备的SGOI具有高弛豫、低缺陷密度、高Ge组分等优点。

公开(公告)号：CN103014847A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210587242.6

申请日：2012-12-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  郭庆磊 ,  张苗 ,  叶林 ,  薛忠营 ,  陈龙 ,  王刚 ,  高晓强

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/08 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法，该方法包括以下步骤：提供一GeOI衬底；在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层，其中，所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1-xAs/GeOI 结合体的临界厚度，x的取值范围为0～1；在该InxGa1-xAs层上外延Ge纳米薄膜层，形成Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体；所述Ge纳米薄膜的厚度与所述GeOI衬底中顶层锗的厚度相等；且不超过Ge/InxGa1-xAs/GeOI结合体的临界厚度；利用光刻以及RIE技术将Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体进行图形化并得到腐蚀窗口；湿法腐蚀，直至所述埋氧层被腐蚀完全，其余 Ge/InxGa1-xAs/Ge结合体与所述底层硅脱离。本发明所制备的张应变锗具有较低的位错密度，较高的单晶质量；通过该种方法所制备的张应变Ge薄膜具有应变大小任意可调的特点；制备的Ge薄膜应变大，迁移率高。

公开(公告)号：CN102347267A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110324597.1

申请日：2011-10-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  母志强 ,  王刚

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法，首先在一衬底上按周期交替生长Ge层（Si层）与Si1-xGex层形成超晶格结构，然后再低温生长Si1-mGem材料，控制此外延层的厚度，使其小于临界厚度。紧接着对样品进行退火或离子注入加退火处理，使顶层的Si1-mGem材料弛豫。最后采用智能剥离的方法将顶层的Si1-mGem及超晶格结构转移到SiO2/Si结构的支撑材料上，形成多层材料。使用研磨或CMP的方法制备高质量的SGOI。由此，利用超晶格结构材料，我们制备出高质量、低成本、低缺陷、厚度可控的SGOI。

公开(公告)号：CN117712202A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311711379.2

申请日：2023-12-13

Applicant: 宁波大学 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王刚 ,  狄增峰 ,  郑理 ,  许文武 ,  赵子奇 ,  吴慧娟 ,  王冰坤 ,  连山水 ,  张金秋 ,  张珊 ,  张光临

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  G01D5/26

Abstract: 本发明提供了一种光电异质结、制备方法、光电检测装置及应用，在硅衬底上制备三维石墨烯层，在所述三维石墨烯层的表面旋涂硫化铅量子点溶液，由硫化铅量子点对三维石墨烯层的表面进行修饰，以使三维石墨烯层转换成改性三维石墨烯层，以获得光电异质结。